RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（ 1253）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
auirf1404zstrlct	1.9900	RFQ	548	国際整流器	*	バルク	アクティブ									ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-AUIRF1404ZSTRLCT-600047			1
IRF7458PBF	-	RFQ	5805	国際整流器	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	-	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	3,800		nチャネル		30 V	14a（ta）	10V 、16V	8mohm @ 14a 、16V	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±30V	2410 PF @ 15 V	-	2.5W
IRGS14C40LPBF	1.0000	RFQ	3821	国際整流器	-	チューブ	廃止	-40°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		論理		125 w	d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	1,000			-												-	430 v	20 a		1.75V @ 5V、14a	-	27 NC	900ns/6µs
IRFH5007TR2PBF	-	RFQ	2569	国際整流器	hexfet®	バルク	廃止		表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	50		nチャネル		75 v	17a		5.9mohm @ 50a 、10V	4V @ 150µA	98 NC @ 10 V		4290 PF @ 25 V	-
auirf7736m2tr	-	RFQ	6357	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	directfet™m4			モスフェット（金属酸化物）		directfet™m4	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		40 v	22a（ta ）、108a （tc）	10V	3mohm @ 65a 、10V	4V @ 150µA	108 NC @ 10 V	±20V	4267 PF @ 25 V	-	2.5W
IRF2907ZSPBF	1.0000	RFQ	7565	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		75 v	160a（tc）		4.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IRLR7807ZTRPBF	-	RFQ	8634	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		30 V	43a（tc）	4.5V 、10V	13.8mohm @ 15a 、10V	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	±20V	780 PF @ 15 V	-	40W （TC）
IRF7580MTRPBF	1.2600	RFQ	7	国際整流器	strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	directfet™等尺性私			モスフェット（金属酸化物）		directfet™等尺性私	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	238		nチャネル		60 V	114a（tc）	6V 、10V	3.6mohm @ 70a 、10V	3.7V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	6510 PF @ 25 V	-	115W
IRFP4110PBF	-	RFQ	6651	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-247AC	-					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		100 V	120a（tc）	10V	4.5mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	9620 PF @ 50 V	-	370W （TC）
IRFI7440GPBF	-	RFQ	7625	国際整流器	hexfet®、 strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB FULL-PAK	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	191		nチャネル		40 v	95a	10V	2.5mohm @ 57a 、10V	3.9V @ 100µA	132 NC @ 10 V	±20V	4549 PF @ 25 V	-	42W
auirls4030trl	-	RFQ	9910	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		100 V	180a（tc）	4.5V 、10V	4.3mohm @ 110a 、10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 4.5 v	±16V	11360 PF @ 50 V	-	370W （TC）
IRLS4030-7PPBF	-	RFQ	9664	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		100 V	190a	4.5V 、10V	3.9mohm @ 110a 、10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 v	±16V	11490 PF @ 50 V	-	370W （TC）
auirfs3307z	-	RFQ	4605	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		75 v	120a（tc）	10V	5.8mohm @ 75a 、10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W
auirf3205z	-	RFQ	3054	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		55 v	75a（tc）	10V	6.5mohm @ 66a 、10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 PF @ 25 V	-	170W
IRL3715ZPBF	-	RFQ	2997	国際整流器	hexfet®	バルク	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	46		nチャネル		20 v	50a（tc）	4.5V 、10V	11mohm @ 15a 、10V	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	±20V	870 PF @ 10 V	-	45W
IRFS3006PBF	-	RFQ	1153	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		60 V	195a（tc）	10V	2.5mohm @ 170a 、10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8970 PF @ 50 V	-	375W
auirlr3114z	1.0700	RFQ	14	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		40 v	42a	4.5V 、10V	4.9mohm @ 42a 、10V	2.5V @ 100µA	56 NC @ 4.5 v	±16V	3810 PF @ 25 V	-	140W
IRFH5301TRPBF	-	RFQ	8476	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERVDFN			モスフェット（金属酸化物）		PQFN	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		30 V	35a	4.5V 、10V	1.85mohm @ 50a、10V	2.35V @ 100µA	77 NC @ 10 V	±20V	5114 PF @ 15 V	-	3.6W
IRF7307PBF	-	RFQ	1986年年	国際整流器	hexfet®	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF73		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1	nおよびpチャネル			20V	5.2a 、4.3a		50mohm @ 2.6a 、4.5V	700MV @ 250µA	20NC @ 4.5V		660pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IRFR9120NPBF	-	RFQ	8371	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IRFR9120		モスフェット（金属酸化物）		PG-to252	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	1		pチャネル		100 V	6.6a（tc）		480mohm @ 3.9a 、10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 PF @ 25 V	-	40W （TC）
auirl3705zstrl	1.7800	RFQ	13	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		55 v	75a（tc）		8mohm @ 52a 、10V	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V		2880 PF @ 25 V	-	130W
IRFR3411PBF	0.3200	RFQ	6205	国際整流器	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252AA	ダウンロード	ROHS3準拠			2156-IRFR3411PBF-IR	ear99	8541.29.0095	3,000		nチャネル		100 V	32a		44mohm @ 16a 、10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 25 v	-	130W
2N6806	1.8400	RFQ	3210	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）		to-204aa	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	135		pチャネル		200 v	6.5a（tc）	10V	940mohm @ 6.5a 、10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	700 PF @ 25 V	-	75W
IRF8788PBF	-	RFQ	5001	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		30 V	24a（ta）	4.5V 、10V	2.8mohm @ 24a 、10V	2.35V @ 100µA	66 NC @ 4.5 v	±20V	5720 PF @ 15 V	-	2.5W
IKFW60N60DH3EXKSA1	-	RFQ	2200	国際整流器	TrenchStop™	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		141 w	PG-TO247-3-AI	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-IKFW60N60DH3EXKSA1-600047			1			400V、50A 、7OHM15V											68 ns	トレンチフィールドストップ	600 V	53 a	150 a	2.7V @ 15V 、50a	1.57MJ	210 NC	23ns/170ns
IRF2907ZPBF	2.4200	RFQ	21	国際整流器	*	バルク	アクティブ									ダウンロード					ear99	8541.29.0095	124
IRF7749L2TRPBF	1.0000	RFQ	3722	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	DirectFet™等尺性L8			モスフェット（金属酸化物）		DirectFet L8	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		60 V	33a	10V	1.5mohm @ 120a 、10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12320 PF @ 25 V	-	3.3w
IRG4BC20SD-SPBF	1.1400	RFQ	11	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		標準		60 W	d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			480V 、10A、50OHM 、15V											37 ns	-	600 V	19 a	38 a	1.6V @ 15V 、10a	320µj（on ）、 2.58mj （オフ）	27 NC	62ns/690ns
IRFR3910TRPBF	-	RFQ	2497	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3	IRFR3910		モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		100 V	16a（tc）	10V	115mohm @ 10a 、10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	640 PF @ 25 V	-	79W
auirf1405zs	-	RFQ	3103	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		55 v	150a	10V	4.9mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 PF @ 25 V	-	230W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1253）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²