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離散半導体製品（ 1253）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
IRFR3303TRPBF	-	RFQ	7880	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	2,000		nチャネル		30 V	33a	10V	31mohm @ 18a 、10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	750 PF @ 25 V	-	57W
IRFS3006TRLPBF	-	RFQ	9240	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード						0000.00.0000	1		nチャネル		60 V	195a（tc）	10V	2.5mohm @ 170a 、10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8970 PF @ 50 V	-	375W
auirls3034trl	2.6100	RFQ	23	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	800		nチャネル		40 v	195a（tc）		1.7mohm @ 195a 、10V	2.5V @ 250µA	162 NC @ 4.5 v		10315 PF @ 25 V	-	375W
auirf9952qtr	0.5700	RFQ	42	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	auirf9952		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	4,000	nおよびpチャネル			30V	3.5a 、2.3a		100mohm @ 2.2a 、10V	3V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	ロジックレベルゲート
auirfs8407trl	-	RFQ	1946年年	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		40 v	195a（tc）	10V	1.8mohm @ 100a 、10V	4V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W
auirfs3207ztrl	-	RFQ	7809	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	86		nチャネル		75 v	120a（tc）		4.1mohm @ 75a 、10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V		6920 PF @ 50 V	-	300W （TC）
auirfb8405-071	3.2300	RFQ	2	国際整流器	*	バルク	アクティブ									ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-AUIRFB8405-071-600047			101
IRFBA90N20DPBF	-	RFQ	5308	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-273AA			モスフェット（金属酸化物）		Super-220™（to-273aa	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		200 v	98a（tc）	10V	23mohm @ 59a 、10V	5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±30V	6080 PF @ 25 V	-	650W
auirf3504	0.9400	RFQ	12	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		40 v	87a（tc）	10V	9.2mohm @ 52a 、10V	4V @ 100µA	54 NC @ 10 V	±20V	2150 PF @ 25 V	-	143W
IRF8313TRPBF	-	RFQ	9989	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF8313		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード						0000.00.0000	1	2 nチャンネル（デュアル）			30V	9.7a		15.5mohm @ 9.7a 、10V	2.35V @ 25µA	9NC @ 4.5V		760pf @ 15V	ロジックレベルゲート
IRF6644TRPBF	1.4100	RFQ	606	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mn			モスフェット（金属酸化物）		directfet™mn	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	214		nチャネル		100 V	10.3a	10V	13mohm @ 10.3a 、10V	4.8V @ 150µA	47 NC @ 10 V	±20V	2210 pf @ 25 v	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
IRF6811STRPBF	0.7000	RFQ	35	国際整流器	directfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™sq			モスフェット（金属酸化物）		directfet™sq	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	225		nチャネル		25 v	19a（タタ）、 74a（tc）		3.7mohm @ 19a 、10V	2.1V @ 35µA	17 NC @ 4.5 v	±16V	1590 pf @ 13 v	-	2.1W
IRF665TRPBF	0.5600	RFQ	49	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™等尺性sh			モスフェット（金属酸化物）		directfet™sh	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		100 V	4.2a	10V	62mohm @ 5a、10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	530 PF @ 25 V	-	2.2W
auirlr3636	1.0000	RFQ	8458	国際整流器	Automotive	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		60 V	50a（tc）		6.8mohm @ 50a 、10V	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 v	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W
auirfr2905ztrl	-	RFQ	6366	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		55 v	42a	10V	14.5mohm @ 36a 、10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1380 PF @ 25 V	-	110W
IRLU3915PBF	-	RFQ	5458	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		IPAK（TO-251）	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	30a（tc）	5V、10V	14mohm @ 30a 、10v	3V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±16V	1870 pf @ 25 v	-	120W （TC）
auirf4905	-	RFQ	8761	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		pチャネル		55 v	74a（tc）	10V	20mohm @ 38a 、10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	200W （TC）
auirf7207q	-	RFQ	2173	国際整流器	hexfet®	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		pチャネル		20 v	5.4a（ta）	2.7V 、4.5V	60mohm @ 5.4a 、4.5V	1.6V @ 250µA	22 NC @ 4.5 v	±12V	780 PF @ 15 V	-	2.5W
auirf3205	-	RFQ	8020	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-AUIRF3205-600047			1		nチャネル		55 v	75a（tc）	10V	8mohm @ 62a 、10V	4V @ 250µA	146 NC @ 10 V	±20V	3247 PF @ 25 V	-	200W （TC）
IRF8714PBF	1.0000	RFQ	8405	国際整流器	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	3,800		nチャネル		30 V	14a（ta）	4.5V 、10V	8.7mohm @ 14a 、10V	2.35V @ 25µA	12 NC @ 4.5 v	±20V	1020 PF @ 15 V	-	2.5W
IRF3717TRPBF	-	RFQ	5381	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		20 v	20a（ta）	4.5V 、10V	4.4mohm @ 20a 、10V	2.45V @ 250µA	33 NC @ 4.5 v	±20V	2890 PF @ 10 V	-	2.5W
IRG4BC20UDSTRRP	1.5900	RFQ	5	国際整流器	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		標準		60 W	d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1			480V 、6.5A 、50OHM、15V											37 ns	-	600 V	13 a	52 a	2.1V @ 15V 、6.5a	160µj（オン）、130µj （オフ）	27 NC	39ns/93ns
IRGP35B60PD-EP	-	RFQ	2350	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		標準		308 W	TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			390V 、22A 、3.3OHM、15V											42 ns	npt	600 V	60 a	120 a	2.55V @ 15V、35a	220µj（on ）、215µj （オフ）	160 NC	26ns/110ns
IRGIB7B60KDPBF	0.9500	RFQ	1	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック		標準		39 W	TO-220AB FULL-PAK	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			400V 、8A 、50OHM、15V											95 ns	npt	600 V	12 a	24 a	2.2V @ 15V 、8a	160µj（オン）、160µj（オフ）	29 NC	23ns/140ns
auirf1405zl	1.6300	RFQ	1	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		TO-262	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		55 v	150a	10V	4.9mohm @ 75a 、10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 PF @ 25 V	-	230W
auirgp50b60pd1	-	RFQ	4598	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	auirgp50	標準		390 w	TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			390v											42 ns	npt	600 V	75 a	150 a	2.85V @ 15V 、50a	255µj（on 375µj （オフ）	308 NC	30ns/130ns
IRG7PH30K10DPBF	1.0000	RFQ	4174	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		標準		180 W	TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			600V 、9A 、22OHM、15V											140 ns	溝	1200 v	30 a	27 a	2.35V @ 15V 、9a	530µj（on 380µj （オフ）	45 NC	14ns/110ns
IRGP4740D-EPBF	2.5700	RFQ	5	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		250 W	TO-247AD	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			400V 、24a 、10ohm15V											170 ns	-	650 V	60 a	72 a	2V @ 15V、24a	520µj（on ）、240µj （オフ）	70 NC	24ns/73ns
IRGS4064DPBF	1.2400	RFQ	6989	国際整流器	-	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		標準		101 w	d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.29.0095	181			400V 、10A 、22OHM 、15V											62 ns	溝	600 V	20 a	40 a	1.91V @ 15V 、10a	29µj（on ）、200µj（オフ）	32 NC	27ns/79ns
IRFS4321PBF	1.0000	RFQ	9042	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		150 v	85a（tc）	10V	15mohm @ 33a 、10V	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 PF @ 25 V	-	350W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1253）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²