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離散半導体製品（ 1253）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
IRAMS10UP60A-2	-	RFQ	8807	国際整流器	*	バルク	アクティブ									ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けた	2156-IRAMS10UP60A-2-600047	ear99	8542.39.0001	1
IRF7805PBF	-	RFQ	6853	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		30 V	13a（ta）		11mohm @ 7a 、4.5V	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W
IRF40H210	-	RFQ	9970	国際整流器	hexfet®、 strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERVDFN			モスフェット（金属酸化物）		8-PQFN	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		40 v	100a（tc）	6V 、10V	1.7mohm @ 100a 、10V	3.7V @ 150µA	152 NC @ 10 V	±20V	5406 PF @ 25 V	-	125W
auirls4030-7trl	-	RFQ	2234	国際整流器	Automotive	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	83		nチャネル		100 V	190a	4.5V 、10V	3.9mohm @ 110a 、10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 v	±16V	11490 PF @ 50 V	-	370W （TC）
IRFAG20	3.3400	RFQ	1	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）		to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		1000 V	1.3a	-	-	-		-		-	50W
IRG4PH50UDPBF	-	RFQ	3601	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		標準		200 W	TO-247AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			800V 、24A 、5OHM 、15V											90 ns	-	1200 v	45 a	180 a	3.7V @ 15V 、24A	2.1MJ	160 NC	47ns/110ns
IRL530NSPBF	-	RFQ	9316	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		100 V	17a（tc）	4V 、10V	100mohm @ 9a 、10V	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±20V	800 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、 79W （TC）
IRG4PC50F-EPBF	1.0000	RFQ	5655	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3		標準		200 W	TO-247AD	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			480v												-	600 V	70 a	280 a	1.6V @ 15V、39a	370µj（on ）、 2.1mj （オフ）	190 NC	31ns/240ns
IRF5805TRPBF	-	RFQ	7325	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SOT-23-6薄い、TSOT-23-6			モスフェット（金属酸化物）		micro6™（tsop-6）	-	適用できない	2（1 年）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		pチャネル		30 V	3.8a（ta）	4.5V 、10V	98mohm @ 3.8a 、10V	2.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	511 PF @ 25 V	-	2W （TA）
IRFF9233	1.6200	RFQ	289	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	To-205af Metal Can			モスフェット（金属酸化物）		to-205af（to-39）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	0000.00.0000	185		nチャネル		150 v	3.5a	-	-	-		-		-	25W
IRF7749L1TRPBF	-	RFQ	3512	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	DirectFet™等尺性L8			モスフェット（金属酸化物）		DirectFet™等尺性L8	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		60 V	33a	10V	1.5mohm @ 120a 、10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12320 PF @ 25 V	-	3.3w
IRG4BC30FDPBF	-	RFQ	6216	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		標準		100 W	TO-220AB	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			480V 、17a 、23ohm15V											42 ns	-	600 V	31 a	124 a	1.8V @ 15V 、17a	630µj（on ）、 1.39mj （オフ）	51 NC	42ns/230ns
IRFS3607PBF	-	RFQ	3192	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		75 v	80a（tc）	10V	9mohm @ 46a 、10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 PF @ 50 V	-	140W
IRFZ46ZSTRLPBF	0.7100	RFQ	62	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRFZ46		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		55 v	51a（tc）	10V	13.6mohm @ 31a 、10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1460 PF @ 25 V	-	82W
IRF7306TR	-	RFQ	8501	国際整流器	hexfet®	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）	2W （TA）	8-SO	-				2156-IRF7306TR			1	2 P-Channel			30V	3.6a（ta）		100mohm @ 1.8a 、10V	1V @ 250µA	25NC @ 10V		440pf @ 25V	ロジックレベルゲート
auirfr5505trl	0.7900	RFQ	2	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		pチャネル		55 v	18a（tc）	10V	110mohm @ 9.6a 、10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 PF @ 25 V	-	57W
IRF7468TRPBF	1.0000	RFQ	4547	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		40 v	9.4a（ta）	4.5V 、10V	15.5mohm @ 9.4a 、10V	2V @ 250µA	34 NC @ 4.5 v	±12V	2460 PF @ 20 V	-	2.5W
IRGP4078DPBF	2.7900	RFQ	800	国際整流器	-	バルク	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		標準		278 W	TO-247AC	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1			400V、50a 、10ohm15V												溝	600 V	74 a	150 a	2.2V @ 15V 、50a	1.1MJ （オフ）	92 NC	- /116ns
auirlr2905trl	-	RFQ	3720	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	3,000		nチャネル		55 v	42a	4V 、10V	27mohm @ 25a 、10V	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	110W
IRLU3636PBF	1.0800	RFQ	1	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		i-pak	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	277		nチャネル		60 V	50a（tc）	4.5V 、10V	6.8mohm @ 50a 、10V	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 v	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W
auirlr3105trl	-	RFQ	8023	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	25a（tc）		37mohm @ 15a 、10V	3V @ 250µA	20 NC @ 5 V		710 pf @ 25 v	-	57W
AUIRF2804STRL7P	-	RFQ	3280	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		40 v	240a	10V	1.6mohm @ 160a 、10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	6930 PF @ 25 V	-	330W
auirfr3806	1.0000	RFQ	8191	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak（to-252aa）	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		60 V	43a（tc）	10V	15.8mohm @ 25a 、10V	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W
auirg4bc30s-s	1.6500	RFQ	700	国際整流器	-	バルク	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	auirg4	標準		100 W	d2pak	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-auirg4bc30s-s	ear99	8541.29.0095	1			480v												-	600 V	34 a	68 a	1.6V @ 15V 、18a	260µj（on 3.45mj （オフ）	50 NC	22ns/540ns
auirfl014ntr	0.4200	RFQ	16	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			モスフェット（金属酸化物）		SOT-223	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	2,500		nチャネル		55 v	1.5a（ta）	10V	160mohm @ 1.9a 、10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 25 v	-	1W
auirfp2907	4.7100	RFQ	11	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		75 v	90a	10V	4.5mohm @ 125a 、10V	4V @ 250µA	620 NC @ 10 V	±20V	13000 pf @ 25 V	-	470W （TC）
IRGR2B60KDTRLPBF	-	RFQ	5148	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3	IRGR2B60	標準		35 W	d-pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			400V、2A 、100OHM15V											68 ns	npt	600 V	6.3 a	8 a	2.25V @ 15V、2a	74µj（on 39µj （オフ）	12 NC	11ns/150ns
auirlr014n	-	RFQ	4748	国際整流器	Automotive	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252AA	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	10a（tc）		140mohm @ 6a 、10V	3V @ 250µA	7.9 NC @ 5 V	±16V	265 PF @ 25 V	-	28W （TC）
IRFU9024NPBF	-	RFQ	4353	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		IPAK（TO-251AA）	-		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-IRFU9024NPBF-600047	ear99	0000.00.0000	1		pチャネル		55 v	11a（tc）	10V	175mohm @ 6.6a 、10V	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	±20V	350 PF @ 25 V	-	38W
IRG8P75N65UD1PBF	3.3700	RFQ	1	国際整流器	-	バルク	廃止									-					ear99	8542.39.0001	1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1253）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²