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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VBT1060C-E3/4W	0.4493	RFQ	5935	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT1060	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns																						1ペア共通カソード	60 V	5a	700 mV @ 5 a		700 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
VS-P122	35.6080	RFQ	2896	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	8ペースパック	P122			ブリッジ、単相 -scrs/ダイオード（レイアウト 3）		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10			130 Ma											600 V		2 v	357a、375a	60 Ma														2つのscr 、2ダイオード
VS-20CTH03S-M3	1.7200	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	20cth03	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns																						1ペア共通カソード	300 V	10a	1.25 V @ 10 a	35 ns	20 µA @ 300 V	-65°C〜175°C
1N6483HE3/97	-	RFQ	2842	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N6483	標準			DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1n6483he3_a/i	ear99	8541.10.0080	5,000	標準回復> 500ns																							800 V		1.1 V @ 1 a		10 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
BZX384C62-HE3-18	0.0341	RFQ	3090	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C62		200 MW		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																												50 Na @ 43.4 v					62 v	215オーム
TZM5245C-GS08	-	RFQ	1317	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5245		500 MW		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500																										1.1 V @ 200 mA		100 na @ 11 v					15 V	16オーム
VS-30EPF04PBF	-	RFQ	1211	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-2	30EPF04	標準			TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns																							400 V		1.41 V @ 30 a	160 ns	100 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	30a	-
1N4748A-TR	0.3700	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4748		1.3 w		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																										1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 16.7 v					22 v	23オーム
VS-150U120DL	34.3676	RFQ	8946	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	DO-205AA	150U120	標準			do-205aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS150U120DL	ear99	8541.10.0080	25	標準回復> 500ns																							1200 v		1.47 V @ 600 a			-40°C〜180°C	150a	-
VS-T90RIA100	40.8300	RFQ	8837	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	D-55 Tモジュール	T90			シングル		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10			200 ma											1 kV	141 a	2.5 v	1780a、1870a	120 Ma		90 a												1 SCR
VSKT500-14	-	RFQ	1875年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	スーパーマグニュパック	VSKT500			シリーズ接続 -すべてのscr		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1			500 Ma											1.4 kV	785 a	3 v	17800a、18700a	200 ma		500 a												2 SCRS
VS-ST183S08MFL0P	140.5433	RFQ	1068	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します		-	シャーシ、スタッドマウント	to-209ab、to-93-4 、スタッド	ST183				TO-209AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST183S08MFL0P	ear99	8541.30.0080	12																	-					標準回復
v8p8hm3_a/h	0.6800	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	v8p8	ショットキー			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns																							80 v		660 mV @ 8 a		700 µA @ 80 V	-40°C〜150°C	8a	-
VSKHF200-12HK	-	RFQ	4275	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKHF200			-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2			600 Ma											1.2 kv	444 a	3 v	7600A 、8000A	200 ma		200 a												1 scr、1ダイオード
VS-25TTS12FPPBF	-	RFQ	9599	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-40°C〜125°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	25TTS12				TO-220フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	50			100 Ma											1.2 kv	25 a	2 v	350A @ 50Hz	45 Ma	1.25 v	16 a	500 µA	標準回復
VS-ST330S16M1	-	RFQ	1932年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシ、スタッドマウント	to-209AE、to-118-4 、スタッド	ST330				to-209ae （118 まで）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST330S16M1	ear99	8541.30.0080	6			600 Ma											1.6 kV	520 a	3 v	7570A 、7920A	200 ma	1.52 v	330 a	50 Ma	標準回復
VS-ST083S10PFK1P	86.2272	RFQ	4649	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します		-40°C〜125°C	シャーシ、スタッドマウント	TO-209AC	ST083				TO-209AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST083S10PFK1P	ear99	8541.30.0080	25			600 Ma											1 kV	135 a	3 v	2060a 、2160a	200 ma	2.15 v	85 a	30 Ma	標準回復
MBR1645	-	RFQ	8837	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	MBR16	ショットキー			TO-220AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns																							45 v		630 mv @ 16 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	16a	-
SS5P9-E3/87A	-	RFQ	8864	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS5P9	ショットキー			TO-277A	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns																							90 v		880 mV @ 5 a		15 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	5a	-
VS-FC420SA10	23.7600	RFQ	6400	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	FC420	モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10		nチャネル		100 V	435a（tc）	10V	2.15mohm @ 200a 、10V	3.8V @ 750µA	375 NC @ 10 V	±20V	17300 pf @ 25 v	-	652W
VS-25CTQ035S-M3	0.8993	RFQ	9388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	25CTQ035	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns																						1ペア共通カソード	35 v	15a	560 mV @ 15 a		1.75 mA @ 35 v	-55°C〜150°C
VS-32CTQ025PBF	-	RFQ	4027	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	32CTQ025	ショットキー			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns																						1ペア共通カソード	25 v	15a	490 mV @ 15 a		1.75 MA @ 25 V	-55°C〜150°C
EGF1DHE3/5CA	-	RFQ	1041	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214BA	EGF1	標準			do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns																							200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
vs-mur820pbf	-	RFQ	2550	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	MUR820	標準、逆極性			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns																							200 v		975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-
VS-1N1206A	6.0000	RFQ	9225	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N1206	標準			do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns																							600 V		1.35 V @ 12 a		1 MA @ 600 v	-65°C〜200°C	12a	-
VS-MBRB745TRL-M3	0.5595	RFQ	1163	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB745	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns																							45 v		570 mV @ 7.5 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	7.5a	400pf @ 5v、1MHz
au2pd-m3/86a	0.3135	RFQ	7251	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	au2	雪崩			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns																							200 v		1.9 V @ 2 a	75 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1.6a	42pf @ 4V、1MHz
VBT2060C-M3/8W	0.8443	RFQ	1466	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT2060	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns																						1ペア共通カソード	60 V	10a	650 mV @ 10 a		850 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
VS-22RIA120	20.8800	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-65°C〜125°C	シャーシ、スタッドマウント	to-208aa、to-48-3	22RIA120				to-208aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	100			130 Ma											1.2 kv	35 a	2 v	400A 、420A	60 Ma	1.7 v	22 a	10 Ma	標準回復
VS-P101	37.7100	RFQ	6241	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	8ペースパック	P101			ブリッジ、単相 -scrs/ダイオード（レイアウト 1）		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSP101	ear99	8541.30.0080	10			130 Ma											400 V		2 v	357a、375a	60 Ma														2つのscr 、2ダイオード

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²