画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在-hold(ihmax) | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4007/54 | - | ![]() | 9552 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4007 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | GF1DHE3/5CA | - | ![]() | 1296 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214BA | GF1 | 標準 | do-214ba | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||||||||
![]() | S1PAHE3/84A | - | ![]() | 7729 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | S1P | 標準 | DO-220AA | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||
![]() | GP10JE-E3/54 | 0.1840 | ![]() | 4865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | VS-MBRD650CTPBF | - | ![]() | 2746 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | MBRD6 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 3a | 650 mv @ 3 a | 100 µA @ 50 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | sblb1640cthe3_a/p | - | ![]() | 6465 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SBLB1640 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | sblb1640cthe3_b/p | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 8a | 550 mv @ 8 a | 500 µA @ 40 V | -40°C〜125°C | |||||||||||||||||||
![]() | 12CWQ03FNTRL | - | ![]() | 9822 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 12cwq | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 6a | 470 mV @ 6 a | 3 ma @ 30 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | 50wq06fntrl | - | ![]() | 2979 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 50WQ06 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 570 mV @ 5 a | 3 ma @ 60 v | -40°C〜150°C | 5.5a | 360pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | RS1DHE3/5AT | - | ![]() | 4414 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | RS1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | plz24a-hg3_a/h | 0.3600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、PLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.5% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | PLZ24 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 19 v | 24 v | 35オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST300C20L1 | 160.9900 | ![]() | 7915 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシマウント | TO-200AB、E-PUK | ST300 | TO-200AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSST300C20L1 | ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 Ma | 2 kV | 1290 a | 3 v | 6730a 、7040a | 200 ma | 2.18 v | 650 a | 50 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||
![]() | VS-2N688 | 12.9300 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜125°C | シャーシ、スタッドマウント | to-208aa、to-48-3 | 2N688 | to-208aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 100 | 20 ma | 400 V | 25 a | 2 v | 145a 、150a | 40 Ma | 2 v | 16 a | 4 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||
![]() | VS-MBR2545CT-1-M3 | 0.8623 | ![]() | 9099 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | MBR2545 | ショットキー | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 820 mv @ 15 a | 200 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | au3pk-m3/87a | 0.4620 | ![]() | 7548 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | au3 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 2.5 V @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜175°C | 1.4a | 42pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | GP10-4003HM3/73 | - | ![]() | 7787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | VS-85HFR100 | 12.0307 | ![]() | 1920 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 85HFR100 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.2 V @ 267 a | 9 mA @ 1000 v | -65°C〜180°C | 85a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | IRKJ71/14A | - | ![]() | 6213 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | add-a-pak | IRKJ71 | 標準 | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 1400 v | 80a | 10 mA @ 1400 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27B47P-E3-08 | 0.1050 | ![]() | 8995 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27B | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27B47 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 36 V | 47 v | 45オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | US1A-M3/5AT | 0.0825 | ![]() | 7820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1a | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-12CWQ10FNTRLPBF | - | ![]() | 5151 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 12CWQ10 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 6a | 800 mV @ 6 a | 1 MA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-88-7323 | - | ![]() | 5002 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 88-7323 | - | 112-VS-88-7323 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-70HFR140 | 13.7400 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 70HFR140 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1400 v | 1.46 V @ 220 a | 4.5 mA @ 1400 v | -65°C〜150°C | 70a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | au2pmhm3/87a | - | ![]() | 5128 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | au2 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 2.5 V @ 2 a | 75 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜175°C | 1.3a | 29pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | RGP10J-M3/73 | - | ![]() | 2582 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | VS-72HFR140 | 13.0328 | ![]() | 6061 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 72HFR140 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS72HFR140 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1400 v | 1.46 V @ 220 a | -65°C〜150°C | 70a | - | ||||||||||||||||||||
20ETF04 | - | ![]() | 4491 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | 20ETF04 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 20 a | 160 ns | 100 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-15CTQ035PBF | - | ![]() | 9006 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | 15CTQ035 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 7.5a | 550 mV @ 7.5 a | 800 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | byg10jhm3_a/i | 0.1551 | ![]() | 7309 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg10 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 1.5 a | 4 µs | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | |||||||||||||||||||
![]() | GL41BHE3/96 | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | GL41 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-71HFR40 | 9.2057 | ![]() | 6867 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 71HFR40 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.35 V @ 220 a | 15 mA @ 400 v | -65°C〜150°C | 70a | - |
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