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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N3290	-	RFQ	4186	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	DO-205AA	1N3290	標準		do-205aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*1N3290	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns		300 V		1.5 V @ 100 a		24 mA @ 300 v	-40°C〜200°C	100a	-
BZD27B47P-E3-08	0.1050	RFQ	8995	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B47		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 36 V				47 v	45オーム
VS-MBRD650CTPBF	-	RFQ	2746	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	to-252-3	MBRD6	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	3a	650 mv @ 3 a		100 µA @ 50 V	-40°C〜150°C
BZX84B4V3-G3-08	0.0389	RFQ	4478	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B4V3		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							3 µA @ 1 V				4.3 v	90オーム
IRKJ71/14A	-	RFQ	6213	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	add-a-pak	IRKJ71	標準		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns	1ペア共通アノード	1400 v	80a			10 mA @ 1400 v
au2pmhm3/87a	-	RFQ	5128	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	au2	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns		1000 V		2.5 V @ 2 a	75 ns	10 µA @ 1000 v	-55°C〜175°C	1.3a	29pf @ 4V、1MHz
GF1DHE3/5CA	-	RFQ	1296	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214BA	GF1	標準		do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
plz24a-hg3_a/h	0.3600	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、PLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.5％	150°C	表面マウント	DO-219AC	PLZ24		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500					900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 19 v				24 v	35オーム
BZX384B3V9-HE3-08	0.0378	RFQ	2148	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B3V9		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							3 µA @ 1 V				3.9 v	90オーム
8AF1RPP	-	RFQ	7225	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	B-47	8AF1	標準		B-47	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*8AF1RPP	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		100 V				7 ma @ 100 v	-65°C〜195°C	50a	-
GP10D-4003-M3/73	-	RFQ	9659	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
VS-88-7323	-	RFQ	5002	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					88-7323				-				112-VS-88-7323			1
GP10-4005EHM3/54	-	RFQ	2800	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		500 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
VS-87HF120	8.7081	RFQ	1698	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	87HF120	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS87HF120	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1200 v		1.2 V @ 267 a			-65°C〜180°C	85a	-
BAS70-04-G3-18	0.0629	RFQ	1356	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAS70	ショットキー		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペアシリーズ接続	70 v	200MA （DC）	1 V @ 15 mA	5 ns	100 Na @ 50 V	125°C （最大）
GP10JE-E3/54	0.1840	RFQ	4865	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
VS-72HFR140	13.0328	RFQ	6061	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	72HFR140	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS72HFR140	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1400 v		1.46 V @ 220 a			-65°C〜150°C	70a	-
VS-15MQ040HM3/5AT	0.5100	RFQ	58	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	15MQ040	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		40 v		430 mV @ 1.5 a		500 µA @ 40 V	-40°C〜150°C	1.5a	134pf @ 10V、1MHz
VS-70HFR140	13.7400	RFQ	54	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	70HFR140	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1400 v		1.46 V @ 220 a		4.5 mA @ 1400 v	-65°C〜150°C	70a	-
VS-85HFR100	12.0307	RFQ	1920	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	85HFR100	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1000 V		1.2 V @ 267 a		9 mA @ 1000 v	-65°C〜180°C	85a	-
12CWQ03FNTRL	-	RFQ	9822	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	12cwq	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	6a	470 mV @ 6 a		3 ma @ 30 v	-55°C〜150°C
byg10jhm3_a/i	0.1551	RFQ	7309	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg10	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	標準回復> 500ns		600 V		1.15 V @ 1.5 a	4 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
1N4007/54	-	RFQ	9552	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4007	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a		5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
50wq06fntrl	-	RFQ	2979	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	50WQ06	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		60 V		570 mV @ 5 a		3 ma @ 60 v	-40°C〜150°C	5.5a	360pf @ 5V、1MHz
VS-10WQ045FNPBF	-	RFQ	9019	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	to-252-3	10WQ045	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75	高速回復= <500ns		45 v		630 mv @ 10 a		1 MA @ 45 v	-40°C〜175°C	10a	760pf @ 5v、1MHz
vs-8etl06spbf	-	RFQ	9083	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	8etl06	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		1.05 V @ 8 a	250 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	8a	-
1N5397GP-E3/54	0.6300	RFQ	1672	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	1N5397	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	標準回復> 500ns		600 V		1.4 V @ 1.5 a	2 µs	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1.5a	15pf @ 4V、1MHz
SS10P2CLHM3/86A	-	RFQ	4773	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS10P2	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	20 v	5a	520 mV @ 5 a		850 µA @ 20 V	-55°C〜150°C
VS-30CPF12PBF	-	RFQ	8679	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	30CPF12	標準		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns		1200 v		1.41 V @ 30 a	160 ns	100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	30a	-
BZT52C33-HE3-18	0.0378	RFQ	2791	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C33		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 25 V				33 v	80オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²