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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-30CPQ080-N3	1.9171	RFQ	9975	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	30CPQ080	ショットキー			TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS30CPQ080N3	ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	80 v	30a	1.05 V @ 30 a		550 µA @ 80 V	175°C （最大）
VS-UFL80FA60	22.0000	RFQ	159	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	UFL80	標準			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-UFL80FA60GI	ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns								2独立	600 V	65a	1.49 V @ 60 a	115 ns	50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C
VS-EPU3006LHN3	1.6695	RFQ	4143	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	EPU3006	標準			TO-247AD	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns									600 V		2 V @ 30 a	45 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	30a	-
VS-1N1190A	-	RFQ	5171	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N1190	標準			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns									600 V		1.3 V @ 126 a		2.5 mA @ 600 v	-65°C〜200°C	40a	-
AS4PDHM3_a/i	0.6386	RFQ	5079	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AS4	雪崩			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns									200 v		1.1 V @ 4 a	1.8 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2.4a	60pf @ 4V、1MHz
BY134GPHE3/54	-	RFQ	6644	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	by134	標準			DO-204AC （DO-15）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	標準回復> 500ns									600 V		1.2 V @ 2 a	2 µs	5 µA @ 600 v	-	1a	-
VS-VSKT26/16	39.8650	RFQ	5226	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 4）	VSKT26			シリーズ接続 -すべてのscr		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKT2616	ear99	8541.30.0080	10		200 ma	1.6 kV	60 a	2.5 v	400A 、420A	150 Ma	27 a										2 SCRS
SS5P4-E3/86A	-	RFQ	3269	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS5P4	ショットキー			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns									40 v		520 mV @ 5 a		250 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	5a	-
uge18act-e3/45	-	RFQ	5521	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	uge18	標準			TO-220-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	50 v	18a	1.2 V @ 20 a	30 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C
SMZJ3788A-E3/5B	-	RFQ	3694	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ37		1.5 w		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200														50 µA @ 7 V					9.1 v	4オーム
BZG03B200TR	-	RFQ	5521	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03		1.25 w		DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000												1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 150 V					200 v	500オーム
USB260HM3/5BT	0.2495	RFQ	1157	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	USB260	標準			do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns									600 V		1.6 V @ 2 a	30 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	2a	45pf @ 4V、1MHz
VS-95PFR120W	5.8661	RFQ	3809	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	95pfr120	標準、逆極性			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS95PFR120W	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns									1200 v		1.4 V @ 267 a			-55°C〜180°C	95a	-
MMSZ5257C-E3-08	0.3200	RFQ	9424	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5257		500 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000														100 Na @ 25 V					33 v	58オーム
MMSZ5265C-HE3-18	0.0454	RFQ	2712	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5265		500 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000														100 Na @ 47 v					62 v	185オーム
SS5P6-E3/86A	-	RFQ	2819	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS5P6	ショットキー			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns									60 V		690 mV @ 5 a		150 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	5a	-
1N4003GPHE3/54	-	RFQ	4069	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4003	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns									200 v		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
BZD27C27P-M-18	-	RFQ	7067	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C27		800 MW		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000												1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 20 V					27 v	15オーム
IRKH57/16A	-	RFQ	9862	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 2）	IRKH57			-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10		200 ma	1.6 kV	135 a	2.5 v	1310a、1370a	150 Ma	60 a										1 scr、1ダイオード
EGP10FE-M3/54	-	RFQ	7987	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して		EGP10					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500
BYM11-800-E3/97	0.1284	RFQ	7510	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym11	標準			DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns									800 V		1.3 V @ 1 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
TZQ5266B-GS08	0.0303	RFQ	1190	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	TZQ5266		500 MW		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500												1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 52 v					68 v	230オーム
VS-6FL80S05	5.7283	RFQ	1644	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	6FL80	標準			do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns									800 V		1.4 V @ 6 a	500 ns	50 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	6a	-
VS-85HF60	12.2700	RFQ	72	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	85HF60	標準			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns									600 V		1.2 V @ 267 a		9 mA @ 600 v	-65°C〜180°C	85a	-
Irku105/08a	-	RFQ	1953年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜130°C （TJ	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 4）	Irku105			一般的なカソード -すべてのscr		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10		200 ma	800 V	165 a	2.5 v	1785a、1870a	150 Ma	105 a										2 SCRS
VS-8TQ080S-M3	1.4300	RFQ	990	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	8TQ080	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns									80 v		720 mV @ 8 a		550 µA @ 80 V	-55°C〜175°C	8a	500pf @ 5V、1MHz
IRKH105/08A	-	RFQ	3787	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜130°C （TJ	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 2）	IRKH105			-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10		200 ma	800 V	235 a	2.5 v	1785a、1870a	150 Ma	105 a										1 scr、1ダイオード
GSD2004WS-HE3-08	0.3300	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323	GSD2004	標準			SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns									240 v		1 V @ 100 MA	50 ns	100 Na @ 240 v	150°C （最大）	225MA	5PF @ 0V、1MHz
VS-U5FH120FA60	23.2500	RFQ	152	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	vs-u5fh	標準			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-U5FH120FA60	ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns								2独立	600 V	60a （DC）	1.7 V @ 60 a	67 ns	40 µA @ 600 V	-55°C〜175°C
UF1006-E3/54	0.1150	RFQ	5294	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UF1006	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns									800 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜180°C	1a	10pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²