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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
AZ23C39-E3-08	0.0415	RFQ	8101	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C39		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード																	100 Na @ 29 v					39 v	90オーム
GLL4742A-E3/97	0.3168	RFQ	9699	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4742		1 W		melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																		5 µA @ 9.1 v					12 v	9オーム
BZG05B11-E3-TR	-	RFQ	5703	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w		DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000																1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 8.2 v					11 v	8オーム
MMBZ5238C-HE3-08	-	RFQ	5657	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5238		225 MW		SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000																		3 µA @ 6.5 v					8.7 v	8オーム
VSKY10201406-G4-08	0.4600	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	0502 （1406 メトリック）	VSKY10201406	ショットキー			CLP1406-2L	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns												20 v		450 mV @ 1 a		100 µA @ 20 V	150°C （最大）	1a	240pf @ 0V、1MHz
BZX84B6V2-G3-08	0.0389	RFQ	8195	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B6V2		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000																		3 µA @ 4 V					6.2 v	10オーム
UG2C-E3/73	-	RFQ	1477	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	UG2	標準			DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns												150 v		950 mv @ 2 a	25 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	2a	-
VS-8TQ060-N3	-	RFQ	7804	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	8TQ060	標準			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-8TQ060-N3GI	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns												60 V		720 mV @ 8 a		50 µA @ 60 V	-55°C〜175°C	8a	-
VS-ST180S20P0	173.8275	RFQ	9395	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシ、スタッドマウント	to-209ab、to-93-4 、スタッド	ST180				TO-209AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	12			600 Ma	2 kV	314 a	3 v	5000A 、5230A	150 Ma	1.75 v	200 a	30 Ma	標準回復
VS-ST333C04CFL0	102.2475	RFQ	4297	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します		-40°C〜125°C	シャーシマウント	TO-200AB、E-PUK	ST333				TO-200AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	12			600 Ma	400 V	1435 a	3 v	11000a 、11500a	200 ma	1.96 v	720 a	50 Ma	標準回復
VS-111RKI120M	113.6556	RFQ	2268	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシ、スタッドマウント	TO-209AC	111rki120				TO-209AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs111rki120m	ear99	8541.30.0080	25			200 ma	1.2 kv	172 a	2 v	1750a、1830a	120 Ma	1.57 v	110 a	20 ma	標準回復
IRKL142/16	-	RFQ	5244	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 2）	IRKL142			-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRKL142/16	ear99	8541.30.0080	3			200 ma	1.6 kV	310 a	2.5 v	4500a 、4712a	150 Ma		140 a												1 scr、1ダイオード
byg22bhm3_a/i	0.2251	RFQ	8357	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg22	雪崩			do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns												100 V		1.1 V @ 2 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	-
30BQ040TR	-	RFQ	5078	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	30BQ040	ショットキー			do-214ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns												40 v		530 mv @ 3 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	-
VS-ST250C04C1	61.8420	RFQ	3241	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-	シャーシマウント	TO-200AB、a-puk	ST250				TO-200AB、a-puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST250C04C1	ear99	8541.30.0080	120							-					標準回復
BZD27B100P-HE3-18	0.1238	RFQ	1839	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27b	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B100		800 MW		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 75 V					100 V	200オーム
RS2G-E3/5BT	0.4200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	rs2g	標準			do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		高速回復= <500ns												400 V		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	20pf @ 4V、1MHz
VSKL250-14D20	-	RFQ	1153	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKL250			-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	2			500 Ma	1.4 kV	555 a	3 v	8500a 、8900a	200 ma		250 a												1 scr、1ダイオード
uh1bhe3/5at	-	RFQ	4781	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	uh1	標準			do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns												100 V		1.05 V @ 1 a	30 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	1a	-
1N4948GP/1	-	RFQ	1582	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4948	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない	1N4948	ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns												1000 V		1.3 V @ 1 a	500 ns	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
VS-20TQ045-M3	1.4100	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	20TQ045	ショットキー			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns												45 v		730 mv @ 40 a		2.7 MA @ 45 v	-55°C〜150°C	20a	1400pf @ 5V、1MHz
VS-VSKH430-16PBF	-	RFQ	7391	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	スーパーマグニュパック	VSKH430			-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSVSKH43016PBF	ear99	8541.30.0080	1			500 Ma	1.6 kV	675 a		15700a 、16400a			430 a												1 scr、1ダイオード
UF5405-E3/73	-	RFQ	8296	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	UF5405	標準			DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns												500 V		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	3a	36pf @ 4V、1MHz
BZT52B12-HE3-18	0.0436	RFQ	6073	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B12		410 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																		100 na @ 9 v					12 v	20オーム
TZM5254C-GS18	-	RFQ	7971	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5254		500 MW		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 21 V					27 v	41オーム
VS-MURB820TRL-M3	0.8500	RFQ	525	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	murb820	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns												200 v		975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-
ZM4742A-GS18	0.3900	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZM4742		1 W		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																		5 µA @ 9.1 v					12 v	9オーム
SS14HE3/5AT	-	RFQ	7426	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS14	ショットキー			do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns												40 v		500 mV @ 1 a		200 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	-
VS-25TTS12STRR-M3	1.1468	RFQ	7144	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-40°C〜125°C	表面マウント	TO-263-3	25TTS12				TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	800			150 Ma	1.2 kv	25 a	2 v	350A @ 50Hz	45 Ma	1.25 v	16 a	10 Ma	標準回復
VS-MBRB30CTLPBF	-	RFQ	8205	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB30	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsmbrb3030ctlpbf	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	30 V	15a	470 mV @ 15 a		2 mA @ 30 v	-55°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²