画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 構造 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | scr の数、ダイオード | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX384B3V9-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 2148 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B3V9 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 8AF1RPP | - | ![]() | 7225 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシ、スタッドマウント | B-47 | 8AF1 | 標準 | B-47 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *8AF1RPP | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 100 V | 7 ma @ 100 v | -65°C〜195°C | 50a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-STPS20L15GR-M3 | 0.6448 | ![]() | 9758 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | STPS20 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 15 V | 520 mV @ 40 a | 10 ma @ 15 v | -55°C〜125°C | 20a | 2000pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SE70PJ-M3/86A | 0.8900 | ![]() | 6045 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SE70 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.05 V @ 7 a | 2.6 µs | 20 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 2.9a | 76pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | uh4pdchm3/86a | - | ![]() | 8118 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | uh4 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 2a | 1.05 V @ 2 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | V2FM15HM3/i | 0.0842 | ![]() | 8588 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | V2FM15 | ショットキー | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.46 V @ 2 a | 50 µA @ 150 v | -40°C〜175°C | 2a | 90pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | vs-vskv26/14 | 38.0270 | ![]() | 7962 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | - | シャーシマウント | add-a-pak(3 + 4) | VSKv26 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKV2614 | ear99 | 8541.30.0080 | 10 | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP10D-4003-M3/73 | - | ![]() | 9659 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-70HF140M | 16.7658 | ![]() | 5582 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 70HF140 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS70HF140M | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1400 v | 1.46 V @ 220 a | -65°C〜150°C | 70a | - | |||||||||||||||||||||||
BAS70-04-G3-18 | 0.0629 | ![]() | 1356 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS70 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 70 v | 200MA (DC) | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 Na @ 50 V | 125°C (最大) | |||||||||||||||||||||||
1N3290 | - | ![]() | 4186 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 1N3290 | 標準 | do-205aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *1N3290 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 300 V | 1.5 V @ 100 a | 24 mA @ 300 v | -40°C〜200°C | 100a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VLZ12C-GS08 | - | ![]() | 2997 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | VLZ12 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 Na @ 11.2 v | 12 v | 12オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VSSAF56-M3/6A | 0.4200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS®、Slimsma™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | SAF56 | ショットキー | DO-221AC(スリムスマ) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 620 mV @ 5 a | 400 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 5a | 540pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SS26S-M3/5AT | 0.0749 | ![]() | 9888 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS26 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 2 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||
vs-p103kw | 44.8820 | ![]() | 6188 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシマウント | 8ペースパック | P103 | ブリッジ、単相 -scrs/ダイオード(レイアウト 1) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 130 Ma | 800 V | 2 v | 357a、375a | 60 Ma | 2つのscr 、2ダイオード | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-16TTS08-M3 | 3.7800 | ![]() | 9026 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-220-3 | 16TTS08 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 150 Ma | 800 V | 16 a | 2 v | 170a @ 50Hz | 60 Ma | 1.4 v | 10 a | 10 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||||||
1N5402-E3/51 | - | ![]() | 8495 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | 1N5402 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.2 V @ 3 a | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRKH92/14A | - | ![]() | 6565 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | add-a-pak(3 + 2) | IRKH92 | -scr/ダイオード | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 Ma | 1.4 kV | 210 a | 2.5 v | 1785a、1870a | 150 Ma | 95 a | 1 scr、1ダイオード | ||||||||||||||||||||||
![]() | P600G-E3/73 | 0.9000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | P600 、軸 | P600 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 標準回復> 500ns | 400 V | 900 mV @ 6 a | 2.5 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 6a | 150pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | ES3FHE3_A/H | 0.3392 | ![]() | 4319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3F | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZG05B11-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 1362 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B11 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 8.2 v | 11 v | 8オーム | ||||||||||||||||||||||||
DZ23C47-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 9933 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | DZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通カソード | 100 Na @ 35 V | 47 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||
VS-12TQ045-M3 | 1.1600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 12TQ045 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 710 mv @ 30 a | 1.75 mA @ 45 v | -55°C〜150°C | 15a | 900pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-1N3892 | - | ![]() | 5337 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N3892 | 標準 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.4 V @ 12 a | 300 ns | 25 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | es1che3_a/h | 0.3900 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 150 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | EGP30AHE3/54 | - | ![]() | 7060 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-201AA | EGP30 | 標準 | GP20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-10BQ060TRPBF | - | ![]() | 2248 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 10BQ060 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 600 mV @ 1 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | rs2dhe3_a/h | 0.1650 | ![]() | 7952 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | RS2D | 標準 | do-214aa | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1.5 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
VS-150KR10A | 28.5996 | ![]() | 3221 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 150kr10 | 標準、逆極性 | do-205aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.33 V @ 471 a | 35 mA @ 100 V | -40°C〜200°C | 150a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S1PD-E3/85A | - | ![]() | 2312 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-220AA | S1P | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | 6PF @ 4V、1MHz |
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