画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 構造 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在-hold(ihmax) | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | scr の数、ダイオード | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT41-TR | 0.3900 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAT41 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 200 mA | 100 Na @ 100 V | 125°C (最大) | 100mA | 2PF @ 1V 、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
VS-VSKN56/04 | 39.0550 | ![]() | 1306 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシマウント | add-a-pak(3 + 4) | VSKN56 | -scr/ダイオード | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKN5604 | ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 ma | 400 V | 135 a | 2.5 v | 1200a、1256a | 150 Ma | 60 a | 1 scr、1ダイオード | |||||||||||||||||||||||
![]() | SS3P3L-M3/86A | 0.2362 | ![]() | 9597 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS3p3 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 30 V | 470 mV @ 3 a | 250 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | vssaf56hm3_a/h | 0.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | SAF56 | ショットキー | DO-221AC(スリムスマ) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 620 mV @ 5 a | 400 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 5a | 540pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-40HFLR80S05M | 22.8068 | ![]() | 9241 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 40HFLR80 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS40HFLR80S05M | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 125 a | -65°C〜190°C | 40a | - | ||||||||||||||||||||||||
vs-18tq035pbf | - | ![]() | 3618 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | 18tq035 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 35 v | 600 mV @ 18 a | 2.5 mA @ 35 v | -55°C〜175°C | 18a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | vs-8etx06-1pbf | - | ![]() | 8572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | 8etx06 | 標準 | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3 V @ 8 a | 24 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-8TQ100STRLPBF | - | ![]() | 5706 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 8tq100 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 720 mV @ 8 a | 550 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 8a | 500pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST183S04PFL0P | 102.3725 | ![]() | 8266 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜125°C | シャーシ、スタッドマウント | to-209ab、to-93-4 、スタッド | ST183 | TO-209AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSST183S04PFL0P | ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 Ma | 400 V | 306 a | 3 v | 4120a 、4310a | 200 ma | 1.8 v | 195 a | 40 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||||||
![]() | ES3G-E3/9AT | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3G | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | au1pmhm3/84a | 0.7600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | au1 | 雪崩 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.85 V @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜175°C | 1a | 7.5pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-16F100 | 6.0868 | ![]() | 4375 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 16F100 | 標準 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.23 V @ 50 a | 12 mA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 16a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RGP10BHM3/73 | - | ![]() | 3179 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | UH3B-M3/57T | - | ![]() | 9954 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | uh3 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.05 V @ 3 a | 40 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 2.5a | 42pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSKE91/10 | 37.4020 | ![]() | 2077 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | add-a-pak | vske91 | 標準 | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKE9110 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 10 mA @ 1000 v | -40°C〜150°C | 100a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VI20150C-M3/4W | 0.7494 | ![]() | 9733 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive 、AEC-Q101、TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | VI20150 | ショットキー | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 1.2 V @ 10 a | 150 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | bat83s-tr | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | bat83 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 60 V | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 60 V | 125°C (最大) | 30ma | 1.6pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
BZT52C3V9-HE3_A-18 | - | ![]() | 2603 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-BZT52C3V9-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 95オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-10MQ060NPBF | - | ![]() | 1684 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 10MQ060 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 710 mv @ 1.5 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2.1a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AS1PM-M3/85A | 0.2459 | ![]() | 1365 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | AS1 | 雪崩 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 1.5 a | 1.5 µs | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜175°C | 1.5a | 10.4pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-8TQ100STRL-M3 | 1.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 8tq100 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 720 mV @ 8 a | 550 µA @ 80 V | -55°C〜175°C | 8a | 500pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DF10S-E3/77 | 0.8000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | DF10 | 標準 | DFS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 v | 1 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB15H50CTHE3/45 | - | ![]() | 3243 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB15 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 7.5a | 730 mv @ 7.5 a | 50 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | rgl41khe3_a/i | - | ![]() | 8008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | RGL41 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | 影響を受けていない | rgl41khe3_b/i | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | vs-8af1npp | - | ![]() | 7319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシ、スタッドマウント | B-47 | 8AF1 | 標準 | B-47 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 100 V | 7 ma @ 100 v | -65°C〜195°C | 50a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-MBRB1535CT-M3 | 0.6755 | ![]() | 6107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB1535 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 7.5a | 570 mV @ 7.5 a | 100 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-15ETX06STRR-M3 | 0.6174 | ![]() | 6400 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 15ETX06 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3.2 V @ 15 a | 32 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | FEP30-CP | - | ![]() | 8167 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | FEP30 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 15a | 950 mV @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SS3P4HE3/84A | - | ![]() | 8927 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive 、AEC-Q100、ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | SS3P4 | ショットキー | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 3 a | 150 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | 130pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 8ewf02strl | - | ![]() | 6213 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 8ewf02 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.2 V @ 8 a | 140 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 8a | - |
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