SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス 構造 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在-hold(ihmax) 電圧 -状態外 現在 -state(it (rms 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) 電圧 -状態( vtm )(最大) 現在 -State 現在 -オフステート(最大) scrタイプ ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f scr の数、ダイオード ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
BAT41-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT41-TR 0.3900
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BAT41 ショットキー do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 100 V 1 V @ 200 mA 100 Na @ 100 V 125°C (最大) 100mA 2PF @ 1V 、1MHz
VS-VSKN56/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKN56/04 39.0550
RFQ
ECAD 1306 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ -40°C〜125°C シャーシマウント add-a-pak(3 + 4) VSKN56 -scr/ダイオード ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSVSKN5604 ear99 8541.30.0080 10 200 ma 400 V 135 a 2.5 v 1200a、1256a 150 Ma 60 a 1 scr、1ダイオード
SS3P3L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P3L-M3/86A 0.2362
RFQ
ECAD 9597 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN SS3p3 ショットキー TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,500 高速回復= <500ns 30 V 470 mV @ 3 a 250 µA @ 30 V -55°C〜150°C 3a -
VSSAF56HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssaf56hm3_a/h 0.4800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive、AEC-Q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-221AC、SMAフラットリード SAF56 ショットキー DO-221AC(スリムスマ) ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,500 高速回復= <500ns 60 V 620 mV @ 5 a 400 µA @ 60 V -40°C〜150°C 5a 540pf @ 4V、1MHz
VS-40HFLR80S05M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFLR80S05M 22.8068
RFQ
ECAD 9241 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 40HFLR80 標準、逆極性 do-203ab(do-5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS40HFLR80S05M ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 800 V 1.3 V @ 125 a -65°C〜190°C 40a -
VS-18TQ035PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-18tq035pbf -
RFQ
ECAD 3618 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ sicで中止されました 穴を通して TO-220-2 18tq035 ショットキー TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 35 v 600 mV @ 18 a 2.5 mA @ 35 v -55°C〜175°C 18a -
VS-8ETX06-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8etx06-1pbf -
RFQ
ECAD 8572 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® チューブ sicで中止されました 穴を通して To-262-3 Long Leads 8etx06 標準 TO-262-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 600 V 3 V @ 8 a 24 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
VS-8TQ100STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100STRLPBF -
RFQ
ECAD 5706 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント TO-263-3 8tq100 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 100 V 720 mV @ 8 a 550 µA @ 100 V -55°C〜175°C 8a 500pf @ 5V、1MHz
VS-ST183S04PFL0P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST183S04PFL0P 102.3725
RFQ
ECAD 8266 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 前回購入します -40°C〜125°C シャーシ、スタッドマウント to-209ab、to-93-4 、スタッド ST183 TO-209AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSST183S04PFL0P ear99 8541.30.0080 12 600 Ma 400 V 306 a 3 v 4120a 、4310a 200 ma 1.8 v 195 a 40 Ma 標準回復
ES3G-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3G-E3/9AT 0.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc ES3G 標準 do-214ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,500 高速回復= <500ns 400 V 1.1 V @ 3 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 3a 30pf @ 4V、1MHz
AU1PMHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au1pmhm3/84a 0.7600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-220AA au1 雪崩 DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 1000 V 1.85 V @ 1 a 75 ns 1 µA @ 1000 V -55°C〜175°C 1a 7.5pf @ 4V、1MHz
VS-16F100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16F100 6.0868
RFQ
ECAD 4375 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 16F100 標準 do-203aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1000 V 1.23 V @ 50 a 12 mA @ 1000 v -65°C〜175°C 16a -
RGP10BHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10BHM3/73 -
RFQ
ECAD 3179 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® テープ&ボックス( TB) 廃止 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 RGP10 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 100 V 1.3 V @ 1 a 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
UH3B-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH3B-M3/57T -
RFQ
ECAD 9954 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント do-214ab 、mc uh3 標準 do-214ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 850 高速回復= <500ns 100 V 1.05 V @ 3 a 40 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜175°C 2.5a 42pf @ 4V、1MHz
VS-VSKE91/10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE91/10 37.4020
RFQ
ECAD 2077 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシマウント add-a-pak vske91 標準 Add-A-Pak® ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSVSKE9110 ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 1000 V 10 mA @ 1000 v -40°C〜150°C 100a -
VI20150C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20150C-M3/4W 0.7494
RFQ
ECAD 9733 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive 、AEC-Q101、TMBS® チューブ アクティブ 穴を通して To-262-3 Long Leads VI20150 ショットキー TO-262AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 10a 1.2 V @ 10 a 150 µA @ 150 V -55°C〜150°C
BAT83S-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bat83s-tr 0.3700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 bat83 ショットキー do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 60 V 1 V @ 15 mA 200 Na @ 60 V 125°C (最大) 30ma 1.6pf @ 1V、1MHz
BZT52C3V9-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C3V9-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 2603 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZT52 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% 150°C (TJ) 表面マウント SOD-123 300 MW SOD-123 ダウンロード 112-BZT52C3V9-HE3_A-18TR ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 1 V 3.9 v 95オーム
VS-10MQ060NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10MQ060NPBF -
RFQ
ECAD 1684 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 表面マウント DO-214AC、SMA 10MQ060 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 60 V 710 mv @ 1.5 a 500 µA @ 60 V -55°C〜150°C 2.1a -
AS1PM-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS1PM-M3/85A 0.2459
RFQ
ECAD 1365 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-220AA AS1 雪崩 DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10,000 標準回復> 500ns 1000 V 1.15 V @ 1.5 a 1.5 µs 5 µA @ 1000 v -55°C〜175°C 1.5a 10.4pf @ 4V、1MHz
VS-8TQ100STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100STRL-M3 1.4000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 8tq100 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 100 V 720 mV @ 8 a 550 µA @ 80 V -55°C〜175°C 8a 500pf @ 5V、1MHz
DF10S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF10S-E3/77 0.8000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 DF10 標準 DFS ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,500 1.1 V @ 1 a 5 µA @ 1000 v 1 a 単相 1 kV
MBRB15H50CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H50CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 3243 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 表面マウント TO-263-3 MBRB15 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 7.5a 730 mv @ 7.5 a 50 µA @ 50 V -65°C〜175°C
RGL41KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgl41khe3_a/i -
RFQ
ECAD 8008 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-213ab、メルフ(ガラス) RGL41 標準 DO-213AB ダウンロード 影響を受けていない rgl41khe3_b/i ear99 8541.10.0080 5,000 高速回復= <500ns 800 V 1.3 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
VS-8AF1NPP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8af1npp -
RFQ
ECAD 7319 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 シャーシ、スタッドマウント B-47 8AF1 標準 B-47 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 100 V 7 ma @ 100 v -65°C〜195°C 50a -
VS-MBRB1535CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB1535CT-M3 0.6755
RFQ
ECAD 6107 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 MBRB1535 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 7.5a 570 mV @ 7.5 a 100 µA @ 35 V -65°C〜150°C
VS-15ETX06STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETX06STRR-M3 0.6174
RFQ
ECAD 6400 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 15ETX06 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 600 V 3.2 V @ 15 a 32 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 15a -
FEP30-CP Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP30-CP -
RFQ
ECAD 8167 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 FEP30 標準 to-247ad(to-3p) ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 15a 950 mV @ 15 a 35 ns 10 µA @ 150 v -55°C〜150°C
SS3P4HE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P4HE3/84A -
RFQ
ECAD 8927 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive 、AEC-Q100、ESMP® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-220AA SS3P4 ショットキー DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 600 mV @ 3 a 150 µA @ 40 V -55°C〜150°C 3a 130pf @ 4V、1MHz
8EWF02STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ewf02strl -
RFQ
ECAD 6213 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント to-252-3 8ewf02 標準 d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 1.2 V @ 8 a 140 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫