画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 構造 | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | scr の数、ダイオード | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 入力容量( cies @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRKH41/10A | - | ![]() | 4528 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | add-a-pak(3 + 2) | IRKH41 | -scr/ダイオード | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 ma | 1 kV | 100 a | 2.5 v | 850a 、890a | 150 Ma | 45 a | 1 scr、1ダイオード | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-SD1100C04C | 68.6800 | ![]() | 7178 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-200aa、a-puk | SD1100 | 標準 | b-43 、ホッケー puk | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.31 V @ 1500 a | 35 mA @ 400 v | 1400a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST730C12L0 | 144.2933 | ![]() | 9636 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | クランプオン | TO-200AC 、B-PUK | ST730 | TO-200AC 、B-PUK | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 Ma | 1.2 kv | 2000 a | 3 v | 17800a、18700a | 200 ma | 1.62 v | 990 a | 80 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HFA16TA60CS | - | ![]() | 4512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | HFA16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 8a(dc) | 1.7 V @ 8 a | 55 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
MBR745HE3/45 | - | ![]() | 9772 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | MBR7 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | 7.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST333S04PFL0P | 160.7267 | ![]() | 3955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜125°C | シャーシ、スタッドマウント | to-209AE、to-118-4 、スタッド | ST333 | to-209ae (118 まで) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSST333S04PFL0P | ear99 | 8541.30.0080 | 6 | 600 Ma | 400 V | 518 a | 3 v | 9250A 、9700A | 200 ma | 1.96 v | 330 a | 50 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | byv26d-tr | 0.6900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-57 、軸 | byv26 | 雪崩 | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 2.5 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-SD2500C24K | 232.6950 | ![]() | 8486 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | クランプオン | DO-200AC 、K-PUK | SD2500 | 標準 | DO-200AC 、K-PUK | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSSD2500C24K | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 2400 v | 1.14 V @ 4000 a | -40°C〜180°C | 3000A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR120/54 | - | ![]() | 9937 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | MUR120 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 875 mV @ 1 a | 35 ns | 2 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD103AW-E3-08 | 0.3500 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | SD103 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 200 mA | 10 ns | 5 µA @ 30 V | 125°C (最大) | - | 50pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5261C-G3-08 | - | ![]() | 5521 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5261 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 36 V | 47 v | 105オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS32-M3/57T | 0.2929 | ![]() | 8635 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS32 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYVB32-100-E3/81 | 1.6500 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byvb32 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 12CTQ035 | - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 12ctq | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 6a | 600 mV @ 6 a | 800 µA @ 35 V | -55°C〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG03B220-HM3-18 | 0.2310 | ![]() | 2899 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B220 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 160 v | 220 v | 750オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-S1351 | - | ![]() | 7032 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | S1351 | - | 112-VS-S1351 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-CPV363M4KPBF | - | ![]() | 3037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | 19-sip( 13 リード)、IMS-2 | CPV363 | 36 W | 標準 | IMS-2 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 11 a | 2.1V @ 15V 、6a | 250 µA | いいえ | 740 PF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-50WQ06FNTRLHM3 | 0.9913 | ![]() | 4753 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 50WQ06 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS50WQ06FNTRLHM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 570 mV @ 5 a | 3 ma @ 60 v | -40°C〜150°C | 5.5a | 360pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGP5100HE3/54 | - | ![]() | 5905 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | 軸 | RGP51 | 標準 | 軸 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | - | 500mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C11-TAP | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C11 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 7.5 v | 11 v | 8オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||
AZ23B51-HE3_A-08 | - | ![]() | 4037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-AZ23B51-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 180オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LL101C-7 | - | ![]() | 9283 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | LL101 | ショットキー | SOD-80ミニマルフ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 390 mV @ 1 Ma | 1 ns | 200 Na @ 30 V | 125°C (最大) | 30ma | 2.2pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSKJ56/08 | 36.2300 | ![]() | 3253 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | add-a-pak | VSKJ56 | 標準 | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKJ5608 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 800 V | 30a | 10 mA @ 800 v | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | V40M120CHM3/4W | - | ![]() | 1201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive 、AEC-Q101、TMBS® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | V40M120 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 120 v | 20a | 890 mV @ 20 a | 500 µA @ 120 V | -40°C〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | egp31d-e3/c | 0.8118 | ![]() | 3037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | egp31 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 2 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 3a | 117pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-150SQ040TR | - | ![]() | 8868 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-204ar、軸 | 150SQ040 | ショットキー | do-204ar | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VS150SQ040TR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 540 mV @ 15 a | 1.75 MA @ 40 V | -55°C〜150°C | 15a | 900pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4687-G3-08 | 0.0409 | ![]() | 9249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4687 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 4 µA @ 2 V | 4.3 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG05C3V9TR | - | ![]() | 9541 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | - | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4001/54 | - | ![]() | 7818 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4001 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRKC236/12 | - | ![]() | 6747 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | int-a-pak | IRKC236 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 230A | 20 mA @ 1200 v |
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