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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
uge5jt-e3/45	-	RFQ	2654	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	TO-220-2	uge5	標準			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns												600 V		1.75 V @ 5 a	25 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	5a	-
VS-1N3879R	-	RFQ	9728	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N3879	標準、逆極性			do-203aa	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns												50 v		1.4 V @ 6 a	300 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	6a	-
MBRF25H50CTHE3/45	-	RFQ	8864	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	MBRF25	ショットキー			ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	45 v	15a	640 mV @ 15 a		1.2 mA @ 60 v	-65°C〜175°C
IRKL71/04A	-	RFQ	4590	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 2）	IRKL71			-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10			250 Ma	400 V	165 a	2.5 v	1665a 、1740a	150 Ma		75 a												1 scr、1ダイオード
IRKJ91/08A	-	RFQ	6585	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	add-a-pak	IRKJ91	標準			Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns											1ペア共通アノード	800 V	100a			10 mA @ 800 v
BZT52C6V2-E3-08	0.2700	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C6V2		410 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																		100 Na @ 2 V					6.2 v	4.8オーム
Gl41Yhe3_a/i	0.4700	RFQ	99	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	GL41	標準			DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		標準回復> 500ns												1600 v		1.2 V @ 1 a		10 µA @ 1600 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
BY251GP-E3/54	-	RFQ	7820	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	by251	標準			DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		標準回復> 500ns												200 v		1.1 V @ 3 a	3 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
VS-ETX1506STRR-M3	0.7542	RFQ	8574	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	ETX1506	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSETX1506STRRM3	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns												600 V		3.4 V @ 15 a	20 ns	36 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-
VS-HFA08TA60CSTRRP	-	RFQ	8286	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	HFA08	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	600 V	8a	2.2 V @ 8 a	42 ns	3 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
VS-111RKI40PBF	37.7004	RFQ	6558	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシ、スタッドマウント	TO-209AC	111RKI40				TO-209AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs111rki40pbf	ear99	8541.30.0080	25			200 ma	400 V	172 a	2 v	1750a、1830a	120 Ma	1.57 v	110 a	20 ma	標準回復
GDZ3V3B-E3-08	0.2700	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ3V3		200 MW		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																		20 µA @ 1 V					3.3 v	120オーム
SS8P2CLHM3_A/i	0.2749	RFQ	4857	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS8P2	ショットキー			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	20 v	4a	540 mV @ 4 a		300 µA @ 20 V	-55°C〜150°C
VS-60CPU04-N3	8.1300	RFQ	500	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	60CPU04	標準			TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	400 V	30a	1.3 V @ 30 a	65 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C
byv26e-tap	0.7200	RFQ	85	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	byv26	雪崩			SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns												1000 V		2.5 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜175°C	1a	-
HFA80NC40C	-	RFQ	7362	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	廃止			シャーシマウント	D-61-8	HFA80	標準			D-61-8	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*HFA80NC40C	ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	400 V	85a	1.5 V @ 80 a	100 ns	3 µA @ 400 v	-55°C〜150°C
TZM5249B-GS08	0.2300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5249		500 MW		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500																1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V					19 v	23オーム
GP10M-4007EHE3/54	-	RFQ	1106	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準			do-204al（do-41）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns												1000 V					-	1a	-
uh6pdhm3_a/i	-	RFQ	5026	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	uh6	標準			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns												200 v		1.05 V @ 6 a	25 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	6a	80pf @ 4V、1MHz
MMSZ5249C-G3-18	0.0483	RFQ	8512	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5249		500 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																		100 Na @ 14 V					19 v	23オーム
SE10DG-M3/i	0.8900	RFQ	50	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	SE10	標準			TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		標準回復> 500ns												400 V		1.15 V @ 10 a	3 µs	15 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	3a	67pf @ 4V、1MHz
VS-VSKH105/06	45.2700	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜130°C （TJ	シャーシマウント	add-a-pak	VSKH105			-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10			250 Ma	600 V	235 a	2.5 v	2000a 、2094a	150 Ma		105 a												1 scr、1ダイオード
BAS40L-G3-08	0.3000	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	0402 （1006メトリック）	BAS40	ショットキー			DFN1006-2A	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns												40 v		1 V @ 40 mA		10 µA @ 40 V	150°C	200mA	2.9pf @ 0V、1MHz
ZMM5221B-7	-	RFQ	9890	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	ZMM52		500 MW		ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	2,500																1.5 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V					2.4 v	30オーム
AZ23C2V7-G3-08	0.0483	RFQ	5563	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C2V7		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード																						2.7 v	83オーム
GDZ11B-G3-08	0.0445	RFQ	8615	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ11		200 MW		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000																		100 Na @ 8 V					11 v	30オーム
BZT52C39-HE3-08	0.0378	RFQ	2430	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C39		410 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000																		100 Na @ 29 v					39 v	50オーム
VS-80-7280	-	RFQ	3080	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					80-7280					-				112-VS-80-7280			1
AZ23B7V5-G3-08	0.0594	RFQ	7102	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B7V5		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード																	100 Na @ 5 V					7.5 v	7.5オーム
GI1403-E3/45	0.5298	RFQ	1781	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	GI1403	標準			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns												150 v		975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜150°C	8a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²