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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-50SQ100TR	-	RFQ	7740	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-204ar、軸	50SQ100	ショットキー		do-204ar	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns												100 V		660 mV @ 5 a		550 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	5a	-
VS-300UR60A	50.1500	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	300UR60	標準、逆極性		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns												600 V		1.4 V @ 942 a		40 mA @ 600 v	-65°C〜200°C	300a	-
VS-12TQ035STRR-M3	0.6734	RFQ	5787	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	12TQ035	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns												35 v		560 mV @ 15 a		1.75 mA @ 35 v	-55°C〜155°C	15a	900pf @ 5V、1MHz
RGL41MHE3/96	-	RFQ	2331	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	RGL41	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns												1000 V		1.3 V @ 1 a	500 ns	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
1N5393-E3/54	0.3700	RFQ	31	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5393	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns												200 v		1.4 V @ 1.5 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	1.5a	15pf @ 4V、1MHz
VS-MBRD320TR-M3	0.2764	RFQ	5131	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBRD320	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSMBRD320TRM3	ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns												20 v		600 mV @ 3 a		200 µA @ 20 V	-40°C〜150°C	3a	189pf @ 5V、1MHz
ESH3BHE3_A/H。	0.3208	RFQ	6318	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	ESH3	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns												100 V		900 mV @ 3 a	40 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	3a	70pf @ 4V、1MHz
VS-40EPF06-M3	6.8100	RFQ	500	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	40EPF06	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns												600 V		1.25 V @ 40 a	180 ns	100 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	40a	-
BZT55B10-GS18	0.0433	RFQ	4142	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55B10		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 mA		100 na @ 7.5 v						10 v	15オーム
10ets12s	-	RFQ	8573	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	10ets12	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*10ets12s	ear99	8541.10.0080	1,000	標準回復> 500ns												1200 v		1.1 V @ 10 a		50 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	10a	-
SS15-M3/61T	0.0974	RFQ	1628	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS15	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns												50 v		750 mv @ 1 a		200 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	1a	-
EGP20G-E3/54	0.9100	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	EGP20	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	高速回復= <500ns												400 V		1.25 V @ 2 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	2a	45pf @ 4V、1MHz
PTV3.9B-M3/84A	0.4200	RFQ	3964	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV3.9		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															1.5 V @ 200 mA		20 µA @ 1 V						4.2 v	15オーム
PTV12B-M3/84A	0.1223	RFQ	7194	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV12		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 9 V						12.8 v	8オーム
GL41DHE3/96	-	RFQ	6449	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	GL41	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	gl41dhe3_a/h。	ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns												200 v		1.1 V @ 1 a		10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
ES3D/7T	-	RFQ	5221	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	ES3	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns												200 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
vssaf5m12-m3/h	0.1238	RFQ	6808	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®、Slimsma™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SAF5M12	ショットキー		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns												120 v		890 mV @ 5 a		350 µA @ 120 V	-40°C〜175°C	5a	420pf @ 4V、1MHz
VLZ4V7B-GS18	-	RFQ	2244	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	Vlz4v7		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 mA		6 µA @ 2 V						4.68 v	25オーム
BYV28-200-RAS15-10	0.7138	RFQ	6786	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	byv28	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns												200 v		1.1 V @ 5 a	30 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	3.5a	-
MSS1P3-E3/89A	-	RFQ	7062	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	MicroSMP	MSS1p3	ショットキー		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns												30 V		550 mV @ 1 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	1a	-
20ETF06	-	RFQ	5645	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	20ETF06	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns												600 V		1.3 V @ 20 a	160 ns	100 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	20a	-
v6km120duhm3/i	0.2995	RFQ	1725	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn	V6KM120	ショットキー		フラットパック5x6（デュアル）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,000	高速回復= <500ns											2独立	120 v	3a	820 mV @ 3 a		300 µA @ 120 V	-40°C〜175°C
V20150C-M3/4W	0.8037	RFQ	2225	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	V20150	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	150 v	10a	1.2 V @ 10 a		150 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
V35PWM60-M3/i	1.3100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	V35PWM60	ショットキー		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns												60 V		770 mV @ 35 a		2.1 MA @ 60 V	-40°C〜175°C	35a	3340pf @ 4V、1MHz
VS-30CPQ045PBF	-	RFQ	6612	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	30CPQ04	ショットキー		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	45 v	15a	540 mV @ 15 a		1.75 mA @ 45 v	-55°C〜150°C
BY253GP-E3/54	-	RFQ	1177	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	by253	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400	標準回復> 500ns												600 V		1.1 V @ 3 a	3 µs	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
vs-90mt80kpbf	92.5100	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	mt-kモジュール	90MT80	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15																			90 a		3フェーズ	800 V
vs-80cnq035apbf	-	RFQ	4844	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-61-8	80CNQ035	ショットキー		D-61-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	35 v	40a	520 mV @ 40 a		5 ma @ 35 v	-55°C〜150°C
SE40PD-M3/86A	0.2228	RFQ	6395	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SE40	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns												200 v		1.05 V @ 2 a	2.2 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2.4a	28pf @ 4V、1MHz
VS-ST330C16C3	123.5833	RFQ	1593	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	TO-200AB、E-PUK	ST330			TO-200AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST330C16C3	ear99	8541.30.0080	12		600 Ma	1.6 kV	1420 a	3 v	7570A 、7920A	200 ma	1.96 v	720 a	50 Ma	標準回復

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²