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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
byg10jhm3_a/h	0.1551	RFQ	4976	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg10	雪崩			do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns									600 V		1.15 V @ 1.5 a	4 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
GP10-4007E-E3/54	0.1840	RFQ	3144	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns									1000 V					-	1a	-
VS-15ETL06-1PBF	-	RFQ	9242	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	To-262-3 Long Leads	15ETL06	標準			TO-262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns									600 V		1.05 V @ 15 a	270 ns	10 µA @ 600 V	-	15a	-
VS-MBRD320TR-M3	0.2764	RFQ	5131	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBRD320	ショットキー			d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSMBRD320TRM3	ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns									20 v		600 mV @ 3 a		200 µA @ 20 V	-40°C〜150°C	3a	189pf @ 5V、1MHz
V20150C-M3/4W	0.8037	RFQ	2225	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	V20150	ショットキー			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	150 v	10a	1.2 V @ 10 a		150 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
VS-80APS16-M3	7.4621	RFQ	4421	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	80APS16	標準			TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS80APS16M3	ear99	8541.10.0080	500	標準回復> 500ns									1600 v		1.17 V @ 80 a		100 µA @ 1600 V	-40°C〜150°C	80a	-
SSA23LHE3_A/H。	0.1507	RFQ	4841	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SSA23	ショットキー			do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns									30 V		450 mv @ 2 a		500 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	2a	-
VSKE250-20	-	RFQ	5589	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	vske250	標準			Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns									2000 v				50 mA @ 2000 v		250a	-
10ets12s	-	RFQ	8573	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	10ets12	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*10ets12s	ear99	8541.10.0080	1,000	標準回復> 500ns									1200 v		1.1 V @ 10 a		50 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	10a	-
VS-T70RIA100	33.7470	RFQ	8554	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	D-55	T70			シングル		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10		200 ma	1 kV	110 a	2.5 v	1660a 、1740a	120 Ma	70 a										1 SCR
SE40PD-M3/86A	0.2228	RFQ	6395	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SE40	標準			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns									200 v		1.05 V @ 2 a	2.2 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2.4a	28pf @ 4V、1MHz
EGP20CHE3/54	-	RFQ	4429	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	EGP20	標準			DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	高速回復= <500ns									150 v		950 mv @ 2 a	50 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜150°C	2a	70pf @ 4V、1MHz
V12PM12-M3/86A	0.8600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V12pm12	ショットキー			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns									120 v		800 mV @ 12 a		500 µA @ 120 V	-40°C〜150°C	12a	-
SS36HE3_A/I	-	RFQ	3655	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc	SS36	ショットキー			do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns									60 V		750 mV @ 3 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	-
BZT52B2V4-G3-18	0.0501	RFQ	1124	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B2V4		410 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																			2.4 v	85オーム
vssaf5m12-m3/h	0.1238	RFQ	6808	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®、Slimsma™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SAF5M12	ショットキー			DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns									120 v		890 mV @ 5 a		350 µA @ 120 V	-40°C〜175°C	5a	420pf @ 4V、1MHz
VLZ4V7B-GS18	-	RFQ	2244	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	Vlz4v7		500 MW		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000												1.5 V @ 200 mA		6 µA @ 2 V					4.68 v	25オーム
BYV28-200-RAS15-10	0.7138	RFQ	6786	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	byv28	雪崩			SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns									200 v		1.1 V @ 5 a	30 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	3.5a	-
10TQ035STRL	-	RFQ	4854	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	10TQ035	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns									35 v		570 mV @ 10 a		2 MA @ 35 v	-55°C〜175°C	10a	-
VS-300UR60A	50.1500	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	300UR60	標準、逆極性			do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns									600 V		1.4 V @ 942 a		40 mA @ 600 v	-65°C〜200°C	300a	-
VS-12TQ035STRR-M3	0.6734	RFQ	5787	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	12TQ035	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns									35 v		560 mV @ 15 a		1.75 mA @ 35 v	-55°C〜155°C	15a	900pf @ 5V、1MHz
SMZJ3794bhm3_a/h	0.1815	RFQ	8221	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3794		1.5 w		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750														5 µA @ 12.2 v					16 v	10オーム
GLL4746-E3/97	0.2970	RFQ	5396	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4746		1 W		melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000														5 µA @ 13.7 v					18 v	20オーム
SS29HE3/5BT	-	RFQ	4767	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	SS29	ショットキー			do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns									90 v		750 mv @ 1 a		30 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
VS-40EPF06-M3	6.8100	RFQ	500	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	40EPF06	標準			TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns									600 V		1.25 V @ 40 a	180 ns	100 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	40a	-
BZT55B10-GS18	0.0433	RFQ	4142	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55B10		500 MW		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000												1.5 V @ 200 mA		100 na @ 7.5 v					10 v	15オーム
IRKL41/12a	-	RFQ	6102	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 2）	IRKL41			-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10		200 ma	1.2 kv	100 a	2.5 v	850a 、890a	150 Ma	45 a										1 scr、1ダイオード
12CTQ045S	-	RFQ	1885	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	12ctq	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	45 v	15a	560 mV @ 15 a		1.75 mA @ 45 v	-55°C〜175°C
VS-SD200N20PC	69.1300	RFQ	5221	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AC 、DO-30 、スタッド	SD200	標準			DO-205AC （DO-30）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	標準回復> 500ns									2000 v		1.4 V @ 630 a		15 MA @ 2000 v	-40°C〜180°C	200a	-
EGP20G-E3/54	0.9100	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	EGP20	標準			DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	高速回復= <500ns									400 V		1.25 V @ 2 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	2a	45pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²