画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 構造 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 現在 -State | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | scr の数、ダイオード | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-42CTQ030STRR-M3 | 1.1172 | ![]() | 2359 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 42CTQ030 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 20a | 480 mV @ 20 a | 3 ma @ 30 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSKD320-04PBF | 201.1700 | ![]() | 7832 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | VSKD320 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKD32004PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 160a | 50 mA @ 400 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | GP10-4007E-E3/53 | - | ![]() | 1932年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | FEPB6DT-E3/45 | - | ![]() | 3751 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB6 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 6a | 975 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||
![]() | V3F6-M3/h | 0.4200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | V3F6 | ショットキー | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 620 mv @ 3 a | 600 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 3a | 310pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF16H35-E3/45 | - | ![]() | 5334 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | MBRF16 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 35 v | 660 mV @ 16 a | 100 µA @ 35 V | -65°C〜175°C | 16a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | SMZJ3791BHM3/i | - | ![]() | 5984 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ37 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 9.1 v | 12 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||
DZ23C11-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 5878 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | DZ23-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通カソード | 100 Na @ 8.5 v | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-S1054 | - | ![]() | 3890 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | S1054 | - | 112-VS-S1054 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-T110HF60 | 36.7300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-55 Tモジュール | T110 | 標準 | D-55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 600 V | 20 mA @ 600 v | 110a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4384GP-E3/54 | 0.2318 | ![]() | 4188 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N4384 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BZT03D36-TR | - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT03 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5.56% | 175°C (TJ) | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BZT03 | 1.3 w | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 27 V | 36 v | 40オーム | |||||||||||||||||||||
![]() | VSKT500-12 | - | ![]() | 6810 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | スーパーマグニュパック | VSKT500 | シリーズ接続 -すべてのscr | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 500 Ma | 1.2 kv | 785 a | 3 v | 17800a、18700a | 200 ma | 500 a | 2 SCRS | |||||||||||||||||||
![]() | SS1P4LHM3/84A | 0.4900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | SS1P4 | ショットキー | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 480 mV @ 1 a | 150 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 130pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | VSKTF180-08HK | - | ![]() | 8823 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | VSKTF180 | シリーズ接続 -すべてのscr | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 600 Ma | 800 V | 400 a | 3 v | 7130a 、7470a | 200 ma | 180 a | 2 SCRS | |||||||||||||||||||
![]() | FEP16HT-5410HE3/45 | - | ![]() | 8902 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | FEP16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 16a | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | BZG04-47-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 6142 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzg04-m | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG04-47 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 47 v | 56 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-SD1100C20C | 74.0342 | ![]() | 4932 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-200aa、a-puk | SD1100 | 標準 | b-43 、ホッケー puk | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 標準回復> 500ns | 2000 v | 1.31 V @ 1500 a | 35 MA @ 2000 v | 1400a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | byw75tr | 0.5445 | ![]() | 6726 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | byw75 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.1 V @ 3 a | 200 ns | 5 µA @ 500 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||||||
![]() | 20ETF02STRL | - | ![]() | 5201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 20ETF02 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 20 a | 160 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||||||||||||||||
![]() | GL41G-E3/97 | 0.4500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | GL41 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX85B62-TR | 0.3800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85B62 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 NA @ 47 v | 62 v | 125オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | UF4006-E3/73 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF4006 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | VS-12TQ040STRLPBF | - | ![]() | 9066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 12TQ040 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS12TQ040STRLPBF | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 560 mV @ 15 a | 1.75 MA @ 40 V | -55°C〜150°C | 15a | 900pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | plz30d-g3/h | 0.3100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | plz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | plz30 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 23 v | 30 V | 55オーム | |||||||||||||||||||||
BAT54S-HE3-18 | 0.3400 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT54 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°C (最大) | |||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5240C-HE3-08 | 0.3400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5240 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGP02-16E-E3/73 | - | ![]() | 7962 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP02 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1600 v | 1.8 V @ 100 MA | 300 ns | 5 µA @ 1600 v | -65°C〜175°C | 500mA | - | |||||||||||||||||||
![]() | RGL34JHE3/98 | - | ![]() | 2942 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | RGL34 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | rgl34jhe3_a/h | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 500 Ma | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||
GI910-E3/54 | - | ![]() | 9504 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | GI910 | 標準 | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.25 V @ 3 a | 750 ns | 10 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 3a | - |
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