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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
rs3dhe3_a/h	0.2620	RFQ	8524	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	RS3D	標準			do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns									200 v		1.3 V @ 2.5 a	150 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	3a	44pf @ 4V、1MHz
SE10PG-E3/85A	-	RFQ	7023	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	SE10	標準			DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		標準回復> 500ns									400 V		1.05 V @ 1 a	780 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1a	-
BZG04-120-HM3-08	0.2079	RFQ	4717	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg04-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-120		1.25 w		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000													1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 120 v					150 v
MBRB1635HE3_B/i	0.7838	RFQ	7051	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB1635	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns									35 v		630 mv @ 16 a		200 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	16a	-
RS3B-M3/57T	0.1850	RFQ	7643	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	RS3B	標準			do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns									100 V		1.3 V @ 2.5 a	150 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	34pf @ 4V、1MHz
byvf32-50he3_a/p	1.0725	RFQ	3734	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	byvf32	標準			ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	50 v	18a	1.15 V @ 20 a	25 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C
UGB8HT-E3/45	-	RFQ	7273	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	バルク	廃止			表面マウント	TO-263-3		標準			TO-263AB	ダウンロード			影響を受けていない	112-ugb8ht-e3/45	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns									500 V		1.75 V @ 8 a	50 ns	30 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	8a	-
VS-SD1100C16L	106.9500	RFQ	2583	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-200aa、a-puk	SD1100	標準			b-43 、ホッケー puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3		標準回復> 500ns									1600 v		1.31 V @ 1500 a		15 mA @ 1600 v		1170a	-
BYV95-3-EBT1124TAP	-	RFQ	3904	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ					byv95					-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	5,000
ugb5jthe3/45	-	RFQ	6325	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB5	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns									600 V		1.75 V @ 5 a	50 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	5a	-
DZ23C33-HE3_A-08	-	RFQ	8897	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW		SOT-23-3	ダウンロード				112-DZ23C33-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通カソード														100 Na @ 25 V					33 v	40オーム
AZ23B5V1-HE3-18	0.0534	RFQ	7607	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B5V1		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード														100 Na @ 800 mV					5.1 v	60オーム
MMSZ5255C-E3-18	0.0433	RFQ	5648	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5255		500 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															100 Na @ 21 V					28 v	44オーム
BZT52B12-E3-08	0.3100	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B12		410 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															100 na @ 9 v					12 v	7オーム
TZX2V4A-TR	0.2400	RFQ	124	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX2V4		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000													1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 500 mV					2.4 v	100オーム
SS24S-E3/5AT	0.4400	RFQ	4652	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS24	ショットキー			do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns									40 v		550 mv @ 2 a		200 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	2a	130pf @ 4V、1MHz
vs-1n1183ra	12.4400	RFQ	100	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N1183	標準、逆極性			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns									50 v		1.3 V @ 126 a		2.5 mA @ 50 v	-65°C〜200°C	40a	-
vs-10ets08pbf	-	RFQ	9655	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	10ets08	標準			TO-220AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		標準回復> 500ns									800 V		1.1 V @ 10 a		50 µA @ 800 V	-40°C〜150°C	10a	-
EGP10BEHE3/54	-	RFQ	4602	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	EGP10	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		高速回復= <500ns									100 V		950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	22PF @ 4V、1MHz
VS-HFA08TB120S-M3	1.5100	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	HFA08	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns									1200 v		4.3 V @ 16 a	95 ns	10 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C	8a	-
1N4002GPE-E3/91	-	RFQ	7604	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4002	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500		標準回復> 500ns									100 V		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
gdz5v6b-he3-08	0.2800	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、gdz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	gdz5v6		200 MW		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															1 µA @ 2.5 v					5.6 v	60オーム
VS-1N2138ra	-	RFQ	5576	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N2138	標準、逆極性			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns									600 V		1.3 V @ 188 a		10 mA @ 600 v	-65°C〜200°C	60a	-
BZG05B6V2-HE3-TR	-	RFQ	9957	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1.94％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w		DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000													1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 3 V					6.2 v	4オーム
vs-vskv41/16	41.4050	RFQ	5399	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 4）	VSKv41			一般的なカソード -すべてのscr		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKV4116	ear99	8541.30.0080	10			200 ma	1.6 kV	70 a	2.5 v	850a 、890a	150 Ma	45 a										2 SCRS
MMBZ4706-E3-08	-	RFQ	6693	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4706		350 MW		SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000															50 Na @ 14.4 v					19 v
BZG04-68-HM3-08	0.2079	RFQ	6739	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg04-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-68		1.25 w		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000													1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 68 v					82 v
VS-8EWF12STRRPBF	-	RFQ	2877	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	8ewf12	標準			d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS8EWF12STRRPBF	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns									1200 v		1.3 V @ 8 a	270 ns	100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	8a	-
s1ahe3_a/h。	0.4200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1A	標準			do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		標準回復> 500ns									50 v		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
SML4739A-E3/61	0.5000	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4739		1 W		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800															10 µA @ 7 V					9.1 v	5オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²