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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
AS1PJ-M3/85A	0.2393	RFQ	7719	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	AS1	雪崩			DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	標準回復> 500ns									600 V		1.15 V @ 1.5 a	1.5 µs	5 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	1.5a	10.4pf @ 4V、1MHz
vs-11dq09tr	-	RFQ	4930	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	11dq09	ショットキー			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns									90 v		850 mv @ 1 a		500 µA @ 90 V	-40°C〜150°C	1.1a	-
UGB8JT-E3/45	-	RFQ	5805	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB8	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns									600 V		1.75 V @ 8 a	50 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	-
SML4748-E3/5A	0.1733	RFQ	3344	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4748		1 W		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500														5 µA @ 16.7 v					22 v	23オーム
SB160-E3/53	0.5000	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SB160	ショットキー			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns									60 V		650 mv @ 1 a		500 µA @ 60 V	-65°C〜125°C	1a	-
murb1020ct-1	-	RFQ	4698	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	To-262-3 Long Leads	murb1020	標準			TO-262-3	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*MURB1020CT-1	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	200 v	5a	990 mV @ 5 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-
bav19ws-e3-18	0.3000	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323	bav19	標準			SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns									100 V		1.25 V @ 200 mA	50 ns	100 Na @ 100 V	150°C （最大）	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
VLZ8V2C-GS08	-	RFQ	2667	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	Vlz8v2		500 MW		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500												1.5 V @ 200 mA		7.5 µA @ 7.63 v					8.24 v	8オーム
HFA140MD60C	-	RFQ	3598	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB	HFA140	標準			TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	600 V	99a	1.7 V @ 70 a	140 ns	15 µA @ 600 V
VS-16FLR40S05	5.2510	RFQ	9709	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	16FLR40	標準、逆極性			do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns									400 V		1.4 V @ 16 a	500 ns	50 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	16a	-
VSKD250-08	-	RFQ	4607	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKD250	標準			Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns								1ペアシリーズ接続	800 V	250a			50 mA @ 800 v
SMZJ3796BHE3_B/i	0.1313	RFQ	9668	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3796		1.5 w		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-SMZJ3796BHE3_B/ITR	ear99	8541.10.0050	3,200														5 µA @ 15.2 v					20 v	14オーム
VS-1N3880R	-	RFQ	8254	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N3880	標準、逆極性			do-203aa	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns									100 V		1.4 V @ 6 a	300 ns	15 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	6a	-
VS-85HF120M	24.4600	RFQ	100	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	85HF120	標準			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns									400 V		1.2 V @ 267 a			-65°C〜180°C	85a	-
VS-VSKT230-04PBF	217.1700	RFQ	7396	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜130°C （TJ	シャーシマウント	マグニュパック	VSKT230			シリーズ接続 -すべてのscr		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKT23004PBF	ear99	8541.30.0080	2		500 Ma	400 V	510 a	3 v	7500a 、7850A	200 ma	230 a										2 SCRS
MBRF1635/45	-	RFQ	7627	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF1635	ショットキー			ITO-220AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns									35 v		630 mv @ 16 a		200 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	16a	-
VS-30CPQ050PBF	-	RFQ	6756	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	30CPQ05	ショットキー			TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	50 v	15a	600 mV @ 15 a		800 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
VS-SD400C08C	52.7075	RFQ	3831	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			クランプオン	do-200aa、a-puk	SD400	標準			do-200aa、a-puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns									800 V		1.86 V @ 1930 a		15 mA @ 800 v		800a	-
GL41JHE3/96	-	RFQ	8331	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	GL41	標準			DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	gl41jhe3_a/h。	ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns									600 V		1.1 V @ 1 a		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
SL44HM3_a/i	0.4300	RFQ	5743	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SL44	ショットキー			do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-SL44HM3_A/ITR	ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns									40 v		500 mV @ 8 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	8a	-
VS-HFA08TB60SR-M3	0.4519	RFQ	6393	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	HFA08	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns									600 V		2.1 V @ 16 a	55 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	8a	-
VS-HFA08TB120S-M3	1.5100	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	HFA08	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns									1200 v		4.3 V @ 16 a	95 ns	10 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C	8a	-
VS-80-7820	-	RFQ	8954	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					80-7820					-				112-VS-80-7820			1
201CNQ040	-	RFQ	3168	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB	201cnq	ショットキー			TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*201cnq040	ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	40 v	200a	810 mv @ 200 a		10 ma @ 40 v	-55°C〜175°C
VS-30CPQ045PBF	-	RFQ	6612	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	30CPQ04	ショットキー			TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	45 v	15a	540 mV @ 15 a		1.75 mA @ 45 v	-55°C〜150°C
au3pmhm3/87a	-	RFQ	1453	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	au3	雪崩			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns									1000 V		2.5 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 1000 v	-55°C〜175°C	1.4a	42pf @ 4V、1MHz
EGP10CE-E3/54	-	RFQ	8042	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	EGP10	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns									150 v		950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜150°C	1a	22PF @ 4V、1MHz
MPG06B-E3/54	0.4000	RFQ	4950	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	mpg06 、軸	MPG06	標準			MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns									100 V		1.1 V @ 1 a	600 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
au1pdhm3/85a	0.1914	RFQ	8137	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	au1	雪崩			DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns									200 v		1.5 V @ 1 a	75 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1a	11pf @ 4V、1MHz
1N5221C-TR	0.0373	RFQ	4672	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5221		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000												1.1 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V					2.4 v	30オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²