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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MMSZ5234C-E3-08	0.3200	RFQ	25	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5234		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								5 µA @ 4 V				6.2 v	7オーム
88CNQ060ASM	-	RFQ	2853	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	D-61-8-SM	88cnq	ショットキー		D-61-8-SM	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*88CNQ060ASM	ear99	8541.10.0080	200		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	40a	580 mV @ 40 a		640 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
SB220-E3/54	0.5100	RFQ	325	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	SB220	ショットキー		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000		高速回復= <500ns		20 v		500 mV @ 2 a		500 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	2a	-
gdz6v2b-he3-18	0.0378	RFQ	7571	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、gdz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ6v2		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								1 µA @ 3 V				6.2 v	60オーム
sml4749he3_a/h	0.2253	RFQ	9582	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4749		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800								5 µA @ 18.2 v				24 v	25オーム
MBRB1060HE3/81	-	RFQ	1542	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB10	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		60 V		800 mV @ 10 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	10a	-
S1AFM-M3/6B	0.0858	RFQ	9731	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	S1A	標準		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000		標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	1.47 µs	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	7.9pf @ 4V、1MHz
BZT52C36-HE3_A-08	-	RFQ	3716	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52C36-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1								100 Na @ 27 V				36 v	87オーム
40L15cts	-	RFQ	9838	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	40L15	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	15 V	20a	410 mv @ 19 a		10 ma @ 15 v	-55°C〜125°C
1N4002/54	-	RFQ	8328	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4002	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a		5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
V30DM120-M3/i	0.6638	RFQ	9813	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V30DM120	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns		120 v		1.06 V @ 30 a		1 mA @ 120 v	-40°C〜175°C	6a	-
DZ23C12-G3-18	0.0483	RFQ	7566	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	DZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通カソード							100 na @ 9 v				12 v	20オーム
VS-85HF60	12.2700	RFQ	72	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	85HF60	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		600 V		1.2 V @ 267 a		9 mA @ 600 v	-65°C〜180°C	85a	-
GP10GE-E3/54	0.1840	RFQ	6774	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
V15PL63-M3/i	0.8500	RFQ	4266	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V15PL63	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				6,500		高速回復= <500ns		60 V		580 mV @ 15 a		500 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	15a	3000pf @ 4V、1MHz
MMSZ4693-HE3_A-18	0.0533	RFQ	9597	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ4693-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		10 µA @ 5.7 v				7.5 v
B140-M3/5AT	0.0644	RFQ	7469	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	B140	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		40 v		520 mV @ 1 a		200 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	1a	-
sml4743he3_a/i	0.1434	RFQ	1067	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4743		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500								5 µA @ 9.9 v				13 v	10オーム
EGP51B-E3/d	-	RFQ	9747	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	EGP51	標準		DO-201AD	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		100 V		960 mV @ 5 a	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	5a	117pf @ 4V、1MHz
BZG05C68TR	-	RFQ	6720	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 51 v				68 v	2000年
VLZ16C-GS18	-	RFQ	8705	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ16		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 14.9 v				16.1 v	18オーム
30BQ015TR	-	RFQ	7546	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	30BQ015	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		15 V		350 mV @ 3 a		4 ma @ 15 v	-55°C〜125°C	3a	-
BZT55A7V5-GS18	-	RFQ	7205	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55		500 MW	SOD-80 Quadromelf	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 5 V				7.5 v	7オーム
GP30BHE3/54	-	RFQ	2824	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	GP30	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		標準回復> 500ns		100 V		1.2 V @ 3 a	5 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
VS-80CNQ040ASMPBF	-	RFQ	9425	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	D-61-8-SM	80CNQ040	ショットキー		D-61-8-SM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs80cnq040asmpbf	ear99	8541.10.0080	400		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	40a	520 mV @ 40 a		5 ma @ 35 v	-55°C〜150°C
au1pghm3/84a	0.5200	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	au1	雪崩		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		400 V		1.5 V @ 1 a	75 ns	1 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1a	11pf @ 4V、1MHz
BZX384C3V9-HG3-08	0.3900	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323			200 MW	SOD-323	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								3 µA @ 1 V				3.9 v	85オーム
sml4740he3_a/i	0.1434	RFQ	3433	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4740		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500								10 µA @ 7.6 v				10 v	7オーム
AZ23C51-HE3_A-18	-	RFQ	3699	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23C51-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							50 Na @ 35.7 v				51 v	180オーム
30HFU-400	-	RFQ	1560	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	30HFU	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns		400 V		1.45 V @ 30 a	80 ns	35 µA @ 400 V	-40°C〜125°C	30a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²