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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZT52A15-G3-18	-	RFQ	4675	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	廃止					BZT52				-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000
VLZ16C-GS18	-	RFQ	8705	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ16		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 14.9 v				16.1 v	18オーム
TZS4686-GS08	0.3100	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	TZS4686		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 100 MA		5 µA @ 2 V				3.9 v
MMBZ5247C-G3-08	-	RFQ	1857	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5247		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 Na @ 13 V				17 v	19オーム
BAS83-GS18	0.0590	RFQ	3849	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BAS83	ショットキー		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		60 V		1 V @ 15 mA		200 Na @ 60 V	125°C （最大）	30ma	1.6pf @ 1V、1MHz
VLZ9V1A-GS18	-	RFQ	3281	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	Vlz9v1		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 7.88 v				8.51 v	8オーム
BZG03C160-M3-08	0.5000	RFQ	244	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4.06％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C160		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 120 v				160 v	350オーム
VS-30EPF10-M3	5.5000	RFQ	3959	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	30EPF10	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns		1000 V		1.41 V @ 30 a	450 ns	100 µA @ 1000 V	-40°C〜150°C	30a	-
SS36/7T	-	RFQ	1855年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	SS36	ショットキー		do-214ab	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		60 V		750 mV @ 3 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	-
VS-50WQ06FNTR-M3	0.7600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	50WQ06	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		60 V		570 mV @ 5 a		3 ma @ 60 v	-40°C〜150°C	5.5a	360pf @ 5V、1MHz
VS-1N3881R	-	RFQ	1731	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N3881	標準、逆極性		do-203aa	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns		200 v		1.4 V @ 6 a	300 ns	15 µa @ 200 v	-65°C〜150°C	6a	-
VS-1N2138ra	-	RFQ	5576	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N2138	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		600 V		1.3 V @ 188 a		10 mA @ 600 v	-65°C〜200°C	60a	-
VS-S1629	-	RFQ	3563	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	チューブ	廃止					S1629				-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	50
VS-8TQ080GSTRLPBF	-	RFQ	1804	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	8TQ080	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VS8TQ080GSTRLPBF	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		80 v		720 mV @ 8 a		280 µA @ 80 V	-55°C〜175°C	8a	500pf @ 5V、1MHz
HFA30TA60CSTRR	-	RFQ	9150	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	HFA30	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	15a	1.7 V @ 15 a	60 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
1N4007E-E3/53	0.4000	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4007	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 1000 v	-50°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
S3M-E3/9AT	0.5300	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3M	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	標準回復> 500ns		1000 V		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
Z4KE200A-E3/54	0.4300	RFQ	235	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	Z4KE200		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,500					1 V @ 500 MA		500 NA @ 152 v				200 v	1500オーム
VS-70HFR60	11.1800	RFQ	9739	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	70HFR60	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		600 V		1.35 V @ 220 a		9 mA @ 600 v	-65°C〜180°C	70a	-
CS1K-E3/i	-	RFQ	3946	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	CS1	標準		do-214ac	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	標準回復> 500ns		800 V		1.1 V @ 1 a	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
BZX884B15L-HG3-08	0.3600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	0402 （1006メトリック）			300 MW	DFN1006-2A	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 10.5 v				15 V	30オーム
TZMC3V0-M-18	0.0324	RFQ	3084	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC3V0		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		4 µA @ 1 V				3 v	90オーム
vs-8eth06pbf	-	RFQ	2117	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	8eth06	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		2.4 V @ 8 a	25 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
V10K100C-M3/h	0.7800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn		ショットキー		フラットパック（5x6）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	3.9a	690 mV @ 5 a		400 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
VS-10TQ045PBF	-	RFQ	3098	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	10TQ045	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		45 v		760 mV @ 10 a		6 MA @ 45 v	-55°C〜175°C	10a	-
BZD27C9V1P-HE3-18	0.1520	RFQ	3486	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C9V1		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 5 V				9.1 v	4オーム
BZG05C13TR3	-	RFQ	1830	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 10 V				13 v	400オーム
v8pal45hm3/i	-	RFQ	6560	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-221BC	V8Pal45	ショットキー		DO-221BC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	高速回復= <500ns		45 v		430 mV @ 4 a		1.85 mA @ 45 v	-40°C〜150°C	4a	1400pf @ 4V、1MHz
rs1pjhm3/85a	-	RFQ	4816	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-220AA	RS1	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 1 a	250 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	9pf @ 4V、1MHz
us1ahe3_a/i	0.1195	RFQ	3641	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	US1a	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		50 v		1 V @ 1 a	50 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²