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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MMSZ5257B-E3-08	0.2700	RFQ	6956	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5257		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																		100 Na @ 25 V				33 v	58オーム
BZT52C6V2-HE3-08	0.0378	RFQ	7102	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C6V2		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000																		100 Na @ 2 V				6.2 v	4.8オーム
v1pm12-m3/h	0.3500	RFQ	102	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	MicroSMP	V1PM12	ショットキー		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500		高速回復= <500ns												120 v		870 mV @ 1 a		50 µA @ 120 v	-40°C〜175°C	1a	100pf @ 4V、1MHz
15MQ040N	-	RFQ	1163	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	15MQ040	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns												40 v		490 mV @ 2 a		500 µA @ 40 V	-40°C〜150°C	3a	-
AR3PGHM3_a/h	0.4950	RFQ	7395	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AR3	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns												400 V		1.6 V @ 3 a	140 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1.8a	44pf @ 4V、1MHz
RGP30J-E3/54	1.1700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	RGP30	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		高速回復= <500ns												600 V		1.3 V @ 3 a	250 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	3a	-
VS-VSUD505CW60	54.6000	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	箱	アクティブ			シャーシマウント	TO-244AB		標準		TO-244	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-VSUD505CW60	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	600 V	572a	1.355 V @ 250 a	179 ns	820 µA @ 600 v	-40°C〜175°C
S1PJHM3/85A	0.0754	RFQ	2935	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	S1P	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		標準回復> 500ns												600 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
SS2P3LHE3/84A	-	RFQ	1153	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q100、ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	SS2p3	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns												30 V		500 mV @ 2 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	2a	-
16TTS08FP	-	RFQ	5348	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-40°C〜125°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	16TTS08			TO-220AB FULL-PAK	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1,000			100 Ma	800 V	16 a	2 v	200A @ 50Hz	60 Ma	1.4 v	10 a	500 µA	標準回復
VS-ST230C16C1	80.4592	RFQ	5512	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	クランプオン	TO-200AB、a-puk	ST230			TO-200AB、a-puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST230C16C1	ear99	8541.30.0080	12			600 Ma	1.6 kV	780 a	3 v	4800a 、5000A	150 Ma	1.69 v	410 a	30 Ma	標準回復
VS-VSKJ166/04PBF	59.9247	RFQ	3768	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	int-a-pak	VSKJ166	標準		int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKJ16604PBF	ear99	8541.10.0080	15		標準回復> 500ns											1ペア共通アノード	400 V	82.5a			20 mA @ 400 v	-40°C〜150°C
SMPZ3937B-E3/84A	-	RFQ	9577	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	SMPZ39		500 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 25.1 v				33 v	33オーム
au1fm-m3/i	0.0889	RFQ	2621	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB		雪崩		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-AU1FM-M3/ITR	ear99	8541.10.0080	10,000		標準回復> 500ns												1000 V		1.85 V @ 1 a	75 ns	1 µA @ 1000 V	-55°C〜175°C	1a	8.2pf @ 4V、1MHz
MBRF10H100-E3/45	1.6100	RFQ	899	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF10	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns												100 V		770 mV @ 10 a		4.5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	10a	-
VS-150SQ040	-	RFQ	6049	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	do-204ar、軸	150SQ040	ショットキー		do-204ar	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VS150SQ040	ear99	8541.10.0080	300		高速回復= <500ns												40 v		540 mV @ 15 a		1.75 MA @ 40 V	-55°C〜150°C	15a	900pf @ 5V、1MHz
SS2P3-M3/84A	0.4400	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	SS2p3	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns												30 V		550 mv @ 2 a		150 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	2a	-
BZG03C30-M3-18	0.5000	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.67％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C30		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000																1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 22 v				30 V	15オーム
by448tr	0.6700	RFQ	114	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	BY448	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		標準回復> 500ns												1500 v		1.6 V @ 3 a	20 µs	3 µA @ 1500 v	140°C （最大）	2a	-
vs-8eth06shm3	0.7425	RFQ	8165	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	8eth06	標準		TO-263	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns												600 V		2.4 V @ 8 a	22 ns	50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	8a	-
BZD27B75P-E3-18	0.1050	RFQ	4332	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B75		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 56 v				75 v	100オーム
VSB1545-M3/73	-	RFQ	4190	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	P600 、軸	B1545	ショットキー		P600	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSB1545M373	ear99	8541.10.0080	300		高速回復= <500ns												45 v		590 mV @ 15 a		800 µA @ 45 V	-40°C〜150°C	6a	1290pf @ 4V、1MHz
AZ23B9V1-G3-18	0.0594	RFQ	4642	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B9V1		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード																	100 Na @ 7 V				9.1 v	10オーム
VS-21DQ04TB	-	RFQ	5463	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	21DQ04	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VS21DQ04TB	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns												40 v		650 mV @ 4 a		500 µA @ 40 V	-40°C〜150°C	2a	130pf @ 5V、1MHz
BZG03B130TR3	-	RFQ	7210	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000																1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 100 V				130 v	300オーム
FEPB16CT-E3/45	0.8732	RFQ	4249	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	FEPB16	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	150 v	8a	950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C
V40D120C-M3/i	2.4750	RFQ	5298	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V40D120	ショットキー		SMPD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	120 v	20a	890 mV @ 20 a		500 µA @ 120 V	-40°C〜150°C
vs-4esh01hm3/86a	0.6600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	4esh01	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns												100 V		930 mv @ 4 a	20 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	4a	-
TLZ5V1-GS18	0.0335	RFQ	1387	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ5V1		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V				5.1 v	20オーム
VT60L45PW-M3/4W	-	RFQ	5477	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	to-3p-3フルパック	VT60L45	ショットキー		to-3pw	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	45 v	30a	570 mV @ 30 a		7 MA @ 45 v	-40°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²