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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MMSZ5229B-E3-18	0.0360	RFQ	6406	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5229		500 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	5 µA @ 1 V					4.3 v	22オーム
241NQ045R	-	RFQ	6376	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-67ハーフパック	241NQ045	ショットキー			D-67ハーフパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												45 v		690 mV @ 240 a		20 mA @ 45 v		240a	10300pf @ 5V、1MHz
BZT52C30-G3-18	0.0409	RFQ	6319	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C30		410 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	100 Na @ 22.5 v					30 V	35オーム
ZMM5239B-7	-	RFQ	6245	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	ZMM52		500 MW		do-213aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	2,500															1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 7 V					9.1 v	10オーム
RGL34BHE3/98	-	RFQ	1383	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213aa （ガラス）	RGL34	標準			do-213aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	rgl34bhe3_a/h	ear99	8541.10.0070	2,500	高速回復= <500ns												100 V		1.3 V @ 500 Ma	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	500mA	4PF @ 4V、1MHz
BZT52A15-HE3-08	-	RFQ	8626	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	テープ＆リール（ tr）	前回購入します					BZT52					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
S3BHE3/9AT	-	RFQ	2802	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	S3B	標準			do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	標準回復> 500ns												100 V		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
BZG05B3V3-M3-18	0.1980	RFQ	4663	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.12％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05B3V3		1.25 w		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000															1.2 V @ 200 mA		40 µA @ 1 V					3.3 v	20オーム
BZG04-18-M3-18	0.1980	RFQ	2595	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04		1.25 w		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000															1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 18 V					22 v
gdz6v2b-he3-18	0.0378	RFQ	7571	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、gdz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ6v2		200 MW		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	1 µA @ 3 V					6.2 v	60オーム
V12PL63-M3/h	0.8100	RFQ	8676	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V12PL63	ショットキー			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				1,500	高速回復= <500ns												60 V		580 mV @ 12 a		450 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	12a	2600pf @ 4V、1MHz
GP10GE-167E3/93	-	RFQ	7575	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	バルク	廃止			-	-	GP10				-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	1	-																	-	-	-
TZMB15-GS18	0.3100	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMB15		500 MW		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 mA		100 na @ 11 v					15 V	30オーム
MMBZ5255C-G3-18	-	RFQ	7090	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5255		225 MW		SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	100 Na @ 21 V					28 v	44オーム
IRKH91/12a	-	RFQ	7674	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 2）	IRKH91			-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10		200 ma	1.2 kv	210 a	2.5 v	1785a、1870a	150 Ma		95 a												1 scr、1ダイオード
VS-VSKL250-18PBF	384.8100	RFQ	4988	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜130°C （TJ	シャーシマウント	マグニュパック	VSKL250			-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKL25018PBF	ear99	8541.30.0080	2		500 Ma	400 V	555 a	3 v	8500a 、8900a	200 ma		250 a												1 scr、1ダイオード
SE40PB-M3/87A	0.2228	RFQ	5148	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SE40	標準			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	標準回復> 500ns												100 V		1.05 V @ 4 a	2.2 µs	10 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	2.4a	28pf @ 4V、1MHz
VS-32CTQ030STRRHM3	1.4113	RFQ	1897	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	32CTQ030	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	30 V	15a	490 mV @ 15 a		1.75 mA @ 30 V	-55°C〜150°C
30CPU04	-	RFQ	6021	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	30cpu	標準			TO-247AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	400 V	15a	1.25 V @ 15 a	60 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C
HFA15TB60	-	RFQ	6268	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	HFA15	標準			TO-220AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns												600 V		1.7 V @ 15 a	60 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	15a	-
BZD27B68P-M3-18	0.1050	RFQ	6221	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B68		800 MW		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000															1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 51 v					68 v	80オーム
BZT03D20-TR	-	RFQ	1171	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03		1.3 w		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	25,000															1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 15 V					20 v	15オーム
VS-ST180S20P0PBF	121.4775	RFQ	6305	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシ、スタッドマウント	to-209ab、to-93-4 、スタッド	ST180				TO-209AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST180S20P0PBF	ear99	8541.30.0080	12		600 Ma	2 kV	314 a	3 v	4200A 、4400A	150 Ma	1.75 v	200 a	30 Ma	標準回復
VS-ST780C04L1L	150.2833	RFQ	5661	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	クランプオン	TO-200AC 、B-PUK	ST780				TO-200AC 、B-PUK	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST780C04L1L	ear99	8541.30.0080	3		600 Ma	400 V	2700 a	3 v	20550a 、21500a	200 ma	1.31 v	1350 a	80 Ma	標準回復
VLZ39E-GS08	-	RFQ	8999	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ39		500 MW		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500															1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 35.5 v					38.33 v	85オーム
Ar3pdhm3_a/i	0.4950	RFQ	6620	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AR3	雪崩			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns												200 v		1.6 V @ 3 a	140 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1.8a	44pf @ 4V、1MHz
fese8jt-e3/45	-	RFQ	3857	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	TO-220-2	fese8	標準			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns												600 V		1.5 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	50pf @ 4V、1MHz
BZX84C10-G3-18	0.0353	RFQ	7313	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C10		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	200 Na @ 7 V					10 v	20オーム
VS-ST300C16L0	151.7333	RFQ	6731	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	TO-200AB、E-PUK	ST300				TO-200AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	3		600 Ma	1.6 kV	1115 a	3 v	8000a 、8380a	200 ma	2.18 v	560 a	50 Ma	標準回復
MMBZ4702-G3-18	-	RFQ	3384	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4702		350 MW		SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	50 Na @ 11.4 v					15 V

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²