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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SS36/7T	-	RFQ	1855年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	SS36	ショットキー		do-214ab	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		60 V		750 mV @ 3 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	-
SS12HE3_A/i	-	RFQ	8806	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS12	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		20 v		500 mV @ 1 a		200 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	1a	-
SB1H100HE3/54	-	RFQ	5524	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SB1H100	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns		100 V		770 mV @ 1 a		1 µA @ 100 V	175°C （最大）	1a	-
MBR4045CT-1	-	RFQ	7974	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	To-262-3 Long Leads	MBR40	ショットキー		TO-262-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*MBR4045CT-1	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	20a	600 mV @ 20 a		1 MA @ 45 v	-65°C〜150°C
VS-12CTQ040-M3	0.5554	RFQ	5787	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	12CTQ040	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	6a	730 mV @ 12 a		800 µA @ 40 V	-55°C〜175°C
MBR2545CT-1	-	RFQ	5232	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	To-262-3 Long Leads	MBR2545	ショットキー		TO-262-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*MBR2545CT-1	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	820 mV @ 30 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
VS-12CWQ03FNTRL-M3	0.9200	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	12CWQ03	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	6a	470 mV @ 6 a		3 ma @ 30 v	150°C （最大）
VS-T85HFL10S02	40.4870	RFQ	5694	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	D-55 Tモジュール	T85	標準		D-55	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns		100 V			200 ns	20 mA @ 100 v		85a	-
1N5249B-T	-	RFQ	1171	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5249		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 14 V				19 v	600オーム
BY253GP-E3/73	-	RFQ	1692	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	by253	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 3 a	3 µs	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
BZX84C56-HE3-18	0.0323	RFQ	6246	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C56		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 39.2 v				56 v	200オーム
gp10the3/73	-	RFQ	7793	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1300 v		1.3 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1300 v	-65°C〜150°C	1a	5PF @ 4V、1MHz
CS1D-E3/H	-	RFQ	2738	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	CS1	標準		do-214ac	-	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		200 v		1.12 V @ 1 a	1.5 µs	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
AS3PD-M3/86A	0.2871	RFQ	8896	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AS3	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns		200 v		920 mv @ 1.5 a	1.2 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2.1a	37pf @ 4V、1MHz
TY119M202A6ov	-	RFQ	1600	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			-	-	TY119	-		-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない			0000.00.0000	3,000	-							-
BYM11-400-E3/96	0.4300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym11	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
rs1pjhm3_a/i	0.1002	RFQ	5696	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	rs1p	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 1 a	250 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	9pf @ 4V、1MHz
VS-20ETF12FP-M3	3.6000	RFQ	2205	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	20ETF12	標準		TO-220-2フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		1200 v		1.31 V @ 20 a	400 ns	100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	20a	-
SB20H200CT-1E3/45	-	RFQ	4948	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	To-262-3 Long Leads	SB20H200	ショットキー		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	10a	880 mV @ 10 a		5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
v6pwm12chm3/i	0.3500	RFQ	6743	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3		ショットキー		Slimdpak	ダウンロード			影響を受けていない	112-V6PWM12CHM3/ITR	ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	120 v	3a	800 mV @ 3 a		70 µA @ 120 v	-40°C〜175°C
GI751-E3/54	0.9200	RFQ	27	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	P600 、軸	GI751	標準		P600	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	標準回復> 500ns		100 V		900 mV @ 6 a	2.5 µs	5 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	6a	150pf @ 4V、1MHz
byw76ras15-10-ph	-	RFQ	2181	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	SOD-64 、軸	byw76	標準		SOD-64	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		600 V		1 V @ 3 a	200 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	3a	-
V2FL45-M3/i	0.0759	RFQ	3546	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	V2FL45	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		45 v		560 mV @ 2 a		570 µA @ 45 V	-40°C〜150°C	2a	270pf @ 4V、1MHz
BZT03D110-TAP	-	RFQ	1883	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5.45％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03		1.3 w	SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 82 v				110 v	250オーム
EGL34D/1	-	RFQ	1192	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-213aa （ガラス）	EGL34	標準		do-213aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	5,000	高速回復= <500ns		200 v		1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	500mA	7pf @ 4V、1MHz
VS-SD300R25PC	109.6625	RFQ	9694	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	SD300	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns		2500 V		1.83 V @ 1180 a		15 mA @ 2500 v	-40°C〜150°C	380a	-
BAS70-05-G3-08	0.4100	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAS70	ショットキー		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通カソード	70 v	200mA	1 V @ 15 mA	5 ns	100 Na @ 50 V	125°C （最大）
113CNQ100A	-	RFQ	3834	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-61-8	113cnq	ショットキー		D-61-8	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	55a	810 mv @ 55 a		1 MA @ 100 V	-55°C〜175°C
GI856-E3/73	-	RFQ	6016	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	GI856	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		600 V		1.25 V @ 3 a	200 ns	10 µA @ 600 V	-50°C〜150°C	3a	28pf @ 4V、1MHz
BZX584C11-VG-08	-	RFQ	2163	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX584C-VG	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 Na @ 8 V				11 v	20オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²