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画像	製品番号	価格（USD）	量	ECAD	利用可能な数量	体重（ kg）	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
	RS2D-M3/5BT	0.1142	RFQ		9952	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	RS2D	標準			do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns									200 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1.5a	10pf @ 4V、1MHz
	egf1dhe3_a/h	-	RFQ		3413	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214BA	EGF1	標準			do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns									200 v		1 V @ 1 a	50 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
	BZX384B51-E3-08	0.2700	RFQ		15	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B51		200 MW		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000														50 Na @ 35.7 v					51 v	180オーム
	FEPF16AT-E3/45	-	RFQ		3251	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	FEPF16	標準			ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	50 v	8a	950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
	SML4756HE3/61	-	RFQ		2816	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4756		1 W		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800														5 µA @ 35.8 v					47 v	80オーム
	MBR1635-1HE3/45	-	RFQ		3090	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	MBR16	ショットキー			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns									35 v		750 mV @ 16 a		200 µA @ 35 V	-65°C〜150°C
	SMZJ3804bhm3/h	-	RFQ		5925	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ38		1.5 w		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750														5 µA @ 32.7 v					43 v	53オーム
	MMSZ5267B-E3-08	0.2700	RFQ		6	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5267		500 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000														100 Na @ 56 v					75 v	270オーム
	vs-8etx06spbf	-	RFQ		6583	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	8etx06	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns									600 V		3 V @ 8 a	17 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
	IRKT42/14A	-	RFQ		7872	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 4）	IRKT42			シリーズ接続 -すべてのscr		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10		200 ma	1.4 kV	100 a	2.5 v	850a 、890a	150 Ma	45 a										2 SCRS
	zpy56-tap	0.0545	RFQ		2282	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	ZPY56		1.3 w		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	zpy56tap	ear99	8541.10.0050	25,000														500 NA @ 42 v					56 v	50オーム
	VS-16FLR60S05	5.6661	RFQ		4384	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	16FLR60	標準、逆極性			do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns									600 V		1.4 V @ 16 a	500 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	16a	-
	GF1GHE3/67A	-	RFQ		8980	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214BA	GF1	標準			do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns									400 V		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
	BZD27C100P-M-08	-	RFQ		8592	0.00000000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C100		800 MW		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000												1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 75 V					100 V	200オーム

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