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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	@ @ if、f
GSIB2040-E3/45	1.6949	RFQ	1443	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	GSIB2040	標準			GSIB-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200																	1 V @ 10 a		10 µA @ 400 V		3.5 a						単相	400 V
BZT03C7V5-TR	0.7200	RFQ	23	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03C7V5		1.3 w		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000																	1.2 V @ 500 Ma		750 µA @ 5.6 v												7.5 v	2オーム
VS-ST303C12LFK0L	242.7100	RFQ	1165	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します		-40°C〜125°C	クランプオン	TO-200AB、E-PUK	ST303				TO-200AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST303C12LFK0L	ear99	8541.30.0080	3				600 Ma	1.2 kv	1180 a	3 v	6690A 、7000A	200 ma	2.16 v	620 a	50 Ma	標準回復
AZ23B39-G3-18	0.0594	RFQ	4173	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B39		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード																		100 Na @ 29 v												39 v	90オーム
VS-65APS12L-M3	2.4370	RFQ	9356	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	65APS12	標準			TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25		標準回復> 500ns													1200 v		1.12 V @ 65 a		100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	65a	-
BA283-TR	-	RFQ	5025	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		125°C （TJ）		do-204ah do-35 、軸	BA283				do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000			100 Ma																			1.2pf @ 3V 、100MHz					標準 -シングル	35V						900mohm @ 10ma 、200mhz
VLZ12B-GS08	-	RFQ	9079	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ12		500 MW		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500																	1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 10.9 v												11.75 v	12オーム
VBT2080C-E3/8W	0.6270	RFQ	4125	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT2080	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	80 v	10a	810 mv @ 10 a		600 µA @ 80 V	-55°C〜150°C
RS3J-M3/57T	0.1881	RFQ	7156	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	RS3J	標準			do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns													600 V		1.3 V @ 2.5 a	250 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	3a	34pf @ 4V、1MHz
AZ23C33-HE3_A-18	-	RFQ	5691	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW		SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23C33-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード																		50 Na @ 23.1 v												33 v	80オーム
AZ23C15-E3-18	0.0415	RFQ	3212	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C15		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード																		100 na @ 11 v												15 V	30オーム
SMAZ5919B-M3/61	0.4900	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAZ5919		500 MW		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800																	1.5 V @ 200 mA		200 µA @ 3 V												5.6 v	5オーム
GBU8J-M3/45	1.2844	RFQ	6297	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準			GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800																	1 V @ 8 a		5 µA @ 600 v		8 a						単相	600 V
KBP005M-M4/51	-	RFQ	1277	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbpm	KBP005	標準			KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600																	1 V @ 1 a		5 µA @ 50 V		1.5 a						単相	50 v
BZT52B30-HE3-18	0.0436	RFQ	5158	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B30		410 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																			100 Na @ 22.5 v												30 V	35オーム
TZM5262C-GS08	-	RFQ	2409	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5262		500 MW		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500																	1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 39 v												51 v	125オーム
GBU8G-M3/51	1.1425	RFQ	7362	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準			GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250																	1 V @ 8 a		5 µA @ 400 V		8 a						単相	400 V
VLZ3V3A-GS08	-	RFQ	5871	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	Vlz3v3		500 MW		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500																	1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V												3.27 v	70オーム
MMSZ5252B-HE3_A-08	0.0549	RFQ	2626	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW		SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5252B-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000																	900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 18 V												24 v	33オーム
GIB1402-E3/45	0.6141	RFQ	6023	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	GIB1402	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns													100 V		975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	8a	-
BU1008A5S-M3/45	-	RFQ	5477	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、bu-5s	BU1008	標準			ISOCINK+™BU-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800																	1.1 V @ 5 a		5 µA @ 800 V		10 a						単相	800 V
BU1010-M3/45	1.4823	RFQ	1466	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、bu	BU1010	標準			ISOCINK+™BU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20																	1.05 V @ 5 a		5 µA @ 1000 v		10 a						単相	1 kV
GBU8D-M3/45	1.2844	RFQ	2457	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準			GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800																	1 V @ 8 a		5 µA @ 200 V		8 a						単相	200 v
BU25065S-M3/45	-	RFQ	1114	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、bu-5s	BU25065	標準			ISOCINK+™BU-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800																	1.05 V @ 12.5 a		5 µA @ 600 v		3.5 a						単相	600 V
BA782S-E3-18	-	RFQ	7233	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		125°C （TJ）		SC-76、SOD-323	BA782				SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000			100 Ma																			1.25pf @ 3V、1MHz					ピン -シングル	35V						700mohm @ 3ma、1GHz
SS29he3_a/i	0.1942	RFQ	2755	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SS29	ショットキー			do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		高速回復= <500ns													90 v		950 mv @ 3 a		30 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
VS-GB400TH120U	-	RFQ	5555	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	シャーシマウント	ダブルint-a-pak（3 + 4）	GB400		2660 w	標準	ダブルint-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGB400TH120U	ear99	8541.29.0095	12	ハーフブリッジ																						npt	1200 v	660 a	3.6V @ 15V 、400A			5 Ma	いいえ			33.7 nf @ 30 v
BA683-GS18	-	RFQ	3474	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）		DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BA683				SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000			100 Ma																			1.2pf @ 3V 、100MHz					ピン -シングル	35V						900mohm @ 10ma 、200mhz
GBLA06-M3/51	0.8176	RFQ	5051	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	GBLA06	標準			GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	400																	1 V @ 4 a		5 µA @ 600 v		4 a						単相	600 V
VBT3060C-E3/4W	0.6001	RFQ	3962	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT3060	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns												1ペア共通カソード	60 V	15a	700 mV @ 15 a		1.2 mA @ 60 v	-40°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²