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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
V10PL63HM3/h	0.8200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	カットテープ（CT）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V10PL63	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				1,500	高速回復= <500ns												60 V		530 mV @ 10 a		250 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	10a	2100pf @ 4V、1MHz
v8pm45-m3/i	0.2393	RFQ	3928	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V8PM45	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns												45 v		600 mV @ 8 a		200 µA @ 45 V	-40°C〜175°C	8a	1450pf @ 4V、1MHz
BZD27C3V9P-HE3-18	0.1561	RFQ	2284	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C3V9		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000															1.2 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V						3.9 v	8オーム
BZX384B36-G3-08	0.0445	RFQ	1696	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B36		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000																	50 Na @ 25.2 v						36 v	90オーム
VSIB15A20-E3/45	-	RFQ	9697	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	VSIB15	標準		GSIB-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200															1 V @ 7.5 a		10 µA @ 200 v		3.5 a		単相	200 v
VLZ6V8-GS08	-	RFQ	1150	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	Vlz6v8		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500															1.5 V @ 200 mA								6.8 v	8オーム
V8PL6-M3/87A	0.2652	RFQ	7223	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V8pl6	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns												60 V		580 mV @ 8 a		2.4 mA @ 60 v	-40°C〜150°C	4.3a	-
1N4934-E3/73	0.4400	RFQ	16	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4934	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns												100 V		1.2 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
ESH2BHE3_A/i	0.1576	RFQ	6484	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	ESH2	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns												100 V		930 mv @ 2 a	25 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜175°C	2a	30pf @ 4V、1MHz
BZT52C30-E3-08	0.2700	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C30		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																	100 Na @ 22.5 v						30 V	35オーム
VS-30CTQ040STRLHM3	1.4476	RFQ	3808	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	30CTQ040	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	40 v	15a	620 mv @ 15 a		2 MA @ 40 V	-55°C〜175°C
MBRF25H45CT-E3/45	-	RFQ	9689	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	MBRF25	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	45 v	15a	640 mV @ 15 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜175°C
VS-25CTQ035STRL-M3	0.8993	RFQ	5675	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	25CTQ035	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	35 v	15a	560 mV @ 15 a		1.75 mA @ 35 v	-55°C〜150°C
se30nghm3/i	0.4500	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-vdfn		標準		DFN3820A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	標準回復> 500ns												400 V		1.1 V @ 3 a	1.5 µs	10 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	3a	19pf @ 4V、1MHz
V60DM63CHM3/i	2.8700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	カットテープ（CT）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V60DM63	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				2,000	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	60 V	30a	700 mV @ 30 a		55 µA @ 60 V	-40°C〜175°C
VS-81RIA80M	107.9360	RFQ	7916	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシ、スタッドマウント	TO-209AC	81RIA80			TO-209AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS81RIA80M	ear99	8541.30.0080	25		200 ma	800 V	125 a	2.5 v	1600a 、1675a	120 Ma	1.6 v	80 a	15 Ma	標準回復
VE1045C-E3/45	-	RFQ	5467	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	VE1045	ショットキー		TO-220-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	45 v	10a	620 mV @ 5 a		250 µA @ 45 V	-40°C〜150°C
VS-ST1200C18K0L	375.1600	RFQ	5629	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	TO-200AC	ST1200			A-24	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST1200C18K0L	ear99	8541.30.0080	2		600 Ma	1.8 kv	3080 a	3 v	25700a 、26900a	200 ma	1.73 v	1650 a	100 Ma	標準回復
MMBZ5241B-G3-18	-	RFQ	5106	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5241		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	2 µA @ 8.4 v						11 v	22オーム
MPG06MHE3/54	-	RFQ	9873	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	mpg06 、軸	MPG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns												1000 V		1.1 V @ 1 a	600 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
VS-VSKD236/12PBF	66.6933	RFQ	6828	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKD236	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKD23612PBF	ear99	8541.10.0080	15	標準回復> 500ns											1ペア共通カソード	1200 v	115a			20 mA @ 1200 v	-40°C〜150°C
UG18DCT-E3/45	-	RFQ	6001	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	UG18	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	200 v	18a	1.1 V @ 9 a	30 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜150°C
s4pdhm3_b/h	-	RFQ	9604	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	S4PD	標準		TO-277A	ダウンロード				112-S4PDHM3_B/HTR	ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns												200 v		1.1 V @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	4a	30pf @ 4V、1MHz
BZX84C43-G3-08	0.0353	RFQ	5148	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C43		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000																	50 Na @ 30.1 v						43 v	150オーム
BZT52C27-HE3-18	0.0378	RFQ	4000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C27		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	100 Na @ 20 V						27 v	80オーム
BZX384C75-HG3-08	0.3900	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																	50 NA @ 700 mV						75 v	95オーム
SS12P4C-M3/86A	1.0100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS12P4	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	40 v	6a	520 mV @ 6 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜125°C
SMBZ5938B-E3/52	0.4600	RFQ	3534	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5938		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750															1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 27.4 v						36 v	38オーム
MB10H90CTHE3_A/i	-	RFQ	2704	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	MB10H90	ショットキー		TO-263AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	90 v	5a	760 mV @ 5 a		3.5 µA @ 90 V	-65°C〜175°C
MBR30H60CT-E3/45	1.9800	RFQ	487	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR30	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	60 V	15a	680 mV @ 15 a		60 µA @ 60 V	-65°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²