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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-VS24EDR20L	-	RFQ	3255	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					VS24				-				112-VS-VS24EDR20L			1
VS-3EJU06HM3/6A	0.4100	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	3EJU06	標準		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns		600 V		1.35 V @ 3 a	50 ns	3 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	3a	-
vssaf5m10hm3/h	0.4800	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SAF5M10	ショットキー		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns		100 V		790 mV @ 5 a		400 µA @ 100 V	-40°C〜175°C	5a	470pf @ 4V、1MHz
FGP10B-E3/73	-	RFQ	2865	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	FGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		100 V		950 mv @ 1 a	35 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 4V、1MHz
fesf8jthe3_a/p	0.9405	RFQ	3545	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	FESF8	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		600 V		1.5 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	-
ZGL41-170-E3/96	-	RFQ	8026	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	ZGL41		1 W	gl41（do-213ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 129.2 v						170 v	800オーム
SMZJ3809bhm3/i	-	RFQ	7429	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ38		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 51.7 v						68 v	120オーム
MMBZ4627-E3-08	-	RFQ	6275	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4627		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							10 µA @ 5 V						6.2 v	1200オーム
BZD27C39P-M-08	-	RFQ	4756	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C39		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 30 V						39 v	40オーム
V10K120CHM3/i	0.3557	RFQ	4078	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn		ショットキー		フラットパック（5x6）	ダウンロード			影響を受けていない	112-V10K120CHM3/ITR	ear99	8541.10.0080	6,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	120 v	3.6a	810 mv @ 5 a		400 µA @ 120 V	-40°C〜150°C
GP20B-E3/54	-	RFQ	4568	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-201AA	GP20	標準		GP20	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400	標準回復> 500ns		100 V		1.2 V @ 2 a	5 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	2a	-
MMBZ5249C-HE3-08	-	RFQ	3812	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5249		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 Na @ 14 V						19 v	23オーム
RS1GHE3/5AT	-	RFQ	9664	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	RS1	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
SML4758-E3/61	0.1892	RFQ	3449	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4758		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800							5 µA @ 42.6 v						56 v	110オーム
BZT52C2V7-HE3_A-18	0.0533	RFQ	1424	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52C2V7-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000							20 µA @ 1 V						2.7 v	83オーム
MMBZ5254B-G3-08	-	RFQ	8141	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5254		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 Na @ 21 V						27 v	41オーム
MMBZ5246B-G3-08	-	RFQ	4364	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5246		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 na @ 12 v						16 v	17オーム
BZD17C4V7P-E3-18	0.1515	RFQ	6768	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17C4V7		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 10 V						4.7 v
BZX85B7V5-TR	0.3800	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85B7V5		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							1 µA @ 4.5 v						7.5 v	3オーム
rs3khe3_a/h	0.6600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	rs3k	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		800 V		1.3 V @ 2.5 a	500 ns	10 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	3a	34pf @ 4V、1MHz
BAS70-06-V-GS18	-	RFQ	4736	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAS70	ショットキー		SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	Q6721226E	ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通アノード	70 v	200MA （DC）	410 mv @ 1 Ma	5 ns	100 Na @ 50 V	125°C （最大）
TZS4688B-GS08	-	RFQ	6460	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZS4688		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	2,500					1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V						4.7 v
plz27c-g3/h	0.0415	RFQ	4501	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	150°C	表面マウント	DO-219AC	PLZ27		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500					900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 21 v						27 v	45オーム
GP15DHE3/73	-	RFQ	9158	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	GP15	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1.5 a	3.5 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1.5a	-
byg10yhm3_a/h	0.4400	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg10	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		1600 v		1.15 V @ 1.5 a	4 µs	1 µA @ 1600 v	-55°C〜150°C	1.5a	-
BZD27B3V9P-M3-18	0.1155	RFQ	6054	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B3V9		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V						3.9 v	8オーム
B80C1000G-E4/51	0.6100	RFQ	635	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	穴を通して	4 円、 wog	B80	標準		wog	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000					1 V @ 1 a		10 µA @ 125 v		1 a		単相	125 v
S1JA-E3/61T	-	RFQ	9529	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1J	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
1N4246GP-M3/73	-	RFQ	4255	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4246	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		400 V		1.2 V @ 1 a		1 µA @ 400 V	-65°C〜160°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
RS07K-GS18	0.4800	RFQ	49	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	RS07	標準		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns		800 V		1.3 V @ 1 a	300 ns	2 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	500mA	4PF @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²