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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SD103AW-HE3-08	0.3700	RFQ	27	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	SD103	ショットキー		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns												40 v		600 mV @ 200 mA	10 ns	5 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	350ma	50pf @ 0V、1MHz
VS-36MT100	18.6300	RFQ	4714	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	QC端子	5 平方、D-63	36MT100	標準		D-63	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20																	10 µA @ 1000 v		35 a		3フェーズ	1 kV
bym10-100he3/96	-	RFQ	1212	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym10	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	bym10-100he3_a/h	ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns												100 V		1.1 V @ 1 a		10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
VS-10TQ045STRRPBF	-	RFQ	5127	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	10TQ045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns												45 v		570 mV @ 10 a		2 MA @ 35 v	-55°C〜175°C	10a	900pf @ 5V、1MHz
BZX55F5V6-TAP	-	RFQ	5487	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V						5.6 v	25オーム
VBT2060G-E3/4W	0.4335	RFQ	9151	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT2060	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	60 V	10a	900 mV @ 10 a		700 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
GDZ13B-HG3-08	0.0523	RFQ	9334	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ13		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000																	100 Na @ 10 V						13 v	30オーム
SML4740AHE3/5A	-	RFQ	6512	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4740		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500																	10 µA @ 7.6 v						10 v	7オーム
RGP25M-E3/54	1.3300	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	RGP25	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400	高速回復= <500ns												1000 V		1.3 V @ 2.5 a	500 ns	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	2.5a	60pf @ 4V、1MHz
MMSZ5253C-HE3_A-08	0.0566	RFQ	5797	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5253C-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000															900 mV @ 10 Ma		100 na @ 19 v						25 v	35オーム
PTV24B-M3/84A	0.1223	RFQ	4631	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±7％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV24		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 19 v						25.8 v	16オーム
BZX384B2V4-G3-08	0.3300	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B2V4		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																	50 µA @ 1 V						2.4 v	100オーム
BAS16D-G3-08	0.3000	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	BAS16	標準		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns												75 v		1.25 V @ 150 MA	6 ns	1 µA @ 75 V	-55°C〜150°C	250ma	2PF @ 0V、1MHz
BZT55C10-GS08	0.2100	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55C10		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500															1.5 V @ 200 mA		100 na @ 7.5 v						10 v	15オーム
BZT03C11-TR	0.2970	RFQ	4632	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.45％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03C11		1.3 w	SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	25,000															1.2 V @ 500 Ma		4 µA @ 8.2 v						11 v	7オーム
RS3G-E3/57T	0.6600	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	rs3g	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns												400 V		1.3 V @ 2.5 a	150 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	3a	44pf @ 4V、1MHz
US1K-M3/61T	0.0812	RFQ	6231	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	US1K	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns												800 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
VS-10ETF06STRLPBF	-	RFQ	6573	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	10etf06	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS10ETF06STRLPBF	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns												600 V		1.2 V @ 10 a	200 ns	100 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	10a	-
VS-ST083S12PFK1P	87.7504	RFQ	4466	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します		-40°C〜125°C	シャーシ、スタッドマウント	TO-209AC	ST083			TO-209AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST083S12PFK1P	ear99	8541.30.0080	25		600 Ma	1.2 kv	135 a	3 v	2060a 、2160a	200 ma	2.15 v	85 a	30 Ma	標準回復
VS-MBR340TR	-	RFQ	9446	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	MBR3	ショットキー		C-16	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200	高速回復= <500ns												40 v		600 mV @ 3 a		600 µA @ 40 V	-40°C〜150°C	3a	190pf @ 4V、1MHz
BZG05C82-HE3-TR	-	RFQ	7653	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 AEC-Q101、BZG05C	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000															1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 62 v						82 v	200オーム
SML4737-E3/61	-	RFQ	8001	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4737		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800																	10 µA @ 1 V						7.5 v	4オーム
PTV18B-E3/85A	-	RFQ	8488	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV18		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 13 V						19.2 v	12オーム
VS-15TQ060STRLHM3	-	RFQ	4604	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	15TQ060	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-15TQ060STRLHM3TR	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns												60 V		620 mv @ 15 a		800 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	15a	720pf @ 5V、1MHz
SS1P3L-M3/84A	0.4900	RFQ	55	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	SS1p3	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns												30 V		450 mV @ 1 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	1.5a	130pf @ 4V、1MHz
VS-8EWS10STRR-M3	0.4950	RFQ	9199	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	8ews10	標準		d-pak（to-252aa）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns												1000 V		1.1 V @ 8 a		50 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	8a	-
BA159DGP-E3/54	0.1822	RFQ	8034	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BA159	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns												800 V		1.3 V @ 1 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
sblb1640cthe3_a/i	-	RFQ	7101	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	SBLB1640	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	sblb1640cthe3_b/i	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	40 v	8a	550 mv @ 8 a		500 µA @ 40 V	-40°C〜125°C
VS-60MT160KPBF	69.1800	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	mt-kモジュール	60MT160	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15																			60 a		3フェーズ	1.6 kV
MMSZ4705-HE3_A-18	0.0533	RFQ	7863	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ4705-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000															900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 13.6 v						18 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²