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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	現在 -平均修正（ io）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZG03B39-M3-18	0.2228	RFQ	7409	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03B39		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000	1.2 V @ 500 Ma	1 µA @ 30 V				39 v	40オーム
BZG03C30-M3-08	0.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.67％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C30		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500	1.2 V @ 500 Ma	1 µA @ 22 v				30 V	15オーム
BZG05C4V3-HM3-08	0.4200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg05c-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.98％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C4V3		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500	1.2 V @ 200 mA	3 µA @ 1 V				4.3 v	13オーム
BZG05C9V1-M3-18	0.1089	RFQ	8597	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.04％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C9V1		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000	1.2 V @ 200 mA	1 µA @ 6.8 v				9.1 v	5オーム
BZG05B22-M3-08	0.1980	RFQ	4275	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05B22		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000	1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 16 V				22 v	25オーム
BZG05C12-HM3-08	0.4200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg05c-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.42％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C12		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500	1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 9.1 v				12 v	9オーム
BZG04-100-M3-18	0.1980	RFQ	7310	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-100		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000	1.2 V @ 500 Ma	5 µA @ 100 V				120 v
BZG04-150-M3-08	0.5400	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-150		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500	1.2 V @ 500 Ma	5 µA @ 150 v				180 v
BZG04-220-HM3-18	0.2079	RFQ	6238	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg04-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-220		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000	1.2 V @ 500 Ma	5 µA @ 220 v				270 v
BZG04-39-M3-18	0.1980	RFQ	4725	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-39		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000	1.2 V @ 500 Ma	5 µA @ 39 v				47 v
BZG04-75-M3-18	0.1980	RFQ	9703	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-75		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000	1.2 V @ 500 Ma	5 µA @ 75 V				91 v
BZG04-9V1-HM3-08	0.2079	RFQ	6055	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg04-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-9V1		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000	1.2 V @ 500 Ma	5 µA @ 9.1 v				11 v
BZG05B11-M3-08	0.1980	RFQ	3649	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05B11		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000	1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 8.2 v				11 v	8オーム
BZG05B13-HM3-08	0.2079	RFQ	9252	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG05B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05B13		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000	1.2 V @ 200 mA	500 NA @ 10 V				13 v	10オーム
BU25H06-M3/p	1.9637	RFQ	3218	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ISOCINK+™	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	4-sip、bu	BU25H06	標準		ISOCINK+™BU	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	BU25H06-M3/PGI	ear99	8541.10.0080	20	1.05 V @ 12.5 a	5 µA @ 600 v	3.5 a	単相	600 V
BU25H06-E3/a	1.8414	RFQ	1541	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ISOCINK+™	トレイ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	4-sip、bu	BU25H06	標準		ISOCINK+™BU	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	BU25H06-E3/AGI	ear99	8541.10.0080	250	1.05 V @ 12.5 a	5 µA @ 600 v	3.5 a	単相	600 V
BU25H06-E3/p	1.9637	RFQ	4069	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ISOCINK+™	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	4-sip、bu	BU25H06	標準		ISOCINK+™BU	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	BU25H06-E3/PGI	ear99	8541.10.0080	20	1.05 V @ 12.5 a	5 µA @ 600 v	3.5 a	単相	600 V
2KBP01M-E4/72	-	RFQ	7998	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp01	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 100 V	2 a	単相	100 V
2KBP02ML-6192E4/72	-	RFQ	2878	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp02	標準		KBPM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 200 V	2 a	単相	200 v
2KBP04ML-6212E4/72	-	RFQ	7851	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp04	標準		KBPM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 400 V	2 a	単相	400 V
2KBP04ML-6422E4/51	-	RFQ	8565	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp04	標準		KBPM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 400 V	2 a	単相	400 V
2KBP04ML-6422E4/72	-	RFQ	4188	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp04	標準		KBPM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 400 V	2 a	単相	400 V
2KBP06ML-36E4/51	-	RFQ	6394	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp06	標準		KBPM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 600 v	2 a	単相	600 V
2KBP06ML-6145E4/72	-	RFQ	3294	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp06	標準		KBPM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 600 v	2 a	単相	600 V
2KBP06ML-6762E4/72	-	RFQ	4069	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp06	標準		KBPM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 600 v	2 a	単相	600 V
2KBP08M-23E4/51	-	RFQ	9662	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp08	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 800 V	2 a	単相	800 V
2KBP08ML-6581E4/72	-	RFQ	1605	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp08	標準		KBPM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 800 V	2 a	単相	800 V
2KBP08ML-7001E4/72	-	RFQ	7689	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp08	標準		KBPM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 800 V	2 a	単相	800 V
2kbp10m-e4/72	-	RFQ	3342	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp10	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 1000 v	2 a	単相	1 kV
2KBP10ML-6767E4/51	-	RFQ	9980	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp10	標準		KBPM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600	1.1 V @ 3.14 a	5 µA @ 1000 v	2 a	単相	1 kV

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²