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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
rs2khe3_a/h	0.1650	RFQ	5046	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	rs2k	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns												800 V		1.3 V @ 1.5 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1.5a	17pf @ 4V、1MHz
SS2H9-E3/52T	0.4800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SS2H9	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns												90 v		790 mV @ 2 a		10 µA @ 90 V	-65°C〜175°C	2a	-
BZW03C56-TAP	-	RFQ	7762	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500															1.2 V @ 1 a		2 µA @ 43 v				56 v	35オーム
SRP300C-E3/73	-	RFQ	1296	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	SRP300	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns												150 v		1.3 V @ 3 a	100 ns	10 µA @ 150 v	-50°C〜125°C	3a	28pf @ 4V、1MHz
VS-ST333S04PFL0	239.7950	RFQ	8884	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します		-40°C〜125°C	シャーシ、スタッドマウント	to-209AE、to-118-4 、スタッド	ST333			to-209ae （118 まで）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	6		600 Ma	400 V	518 a	3 v	11000a 、11520a	200 ma	1.96 v	330 a	50 Ma	標準回復
byd33kgp-e3/54	-	RFQ	10000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	byd33	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns												800 V		1.3 V @ 1 a	300 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
BZT52C3V9-E3-18	0.0360	RFQ	3069	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C3V9		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																					3.9 v	80オーム
MMSZ4708-G3-08	0.0409	RFQ	6492	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4708		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000																	10 Na @ 16.7 v				22 v
EGP10C-E3/54	0.4900	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	EGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns												150 v		950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜150°C	1a	22PF @ 4V、1MHz
BZG05B16-HE3-TR3	-	RFQ	1929年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000															1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 12 V				16 v	15オーム
EGL34B-E3/98	0.4100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213aa （ガラス）	EGL34	標準		do-213aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	2,500	高速回復= <500ns												100 V		1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	500mA	7pf @ 4V、1MHz
V1F6-M3/i	0.0592	RFQ	4468	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	V1F6	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-V1F6-M3/ITR	ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns												60 V		600 mV @ 1 a		270 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	1a	135pf @ 4V、1MHz
MMSZ5246C-E3-18	0.0433	RFQ	3250	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5246		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	100 na @ 12 v				16 v	17オーム
SS10P4-M3/87A	0.8800	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS10P4	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns												40 v		560 mV @ 10 a		800 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	10a	-
BZT52B13-HE3_A-08	0.0533	RFQ	7242	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52B13-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000																	100 Na @ 10 V				13 v	25オーム
MMSZ5265B-E3-18	0.0360	RFQ	2275	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5265		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	100 Na @ 47 v				62 v	185オーム
BZG03B18-HM3-18	0.2310	RFQ	1253	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03B18		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000															1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 13 V				18 v	15オーム
BZD27B30P-HE3-18	0.1238	RFQ	7882	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27b	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B30		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000															1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 22 v				30 V	15オーム
VS-10TQ045HN3	0.7161	RFQ	8404	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	10TQ045	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-10TQ045HN3	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												45 v		570 mV @ 10 a		2 MA @ 45 v	-55°C〜175°C	10a	900pf @ 5V、1MHz
VS-VSKC270-12PBF	201.1700	RFQ	4367	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	int-a-pak	VSKC270	標準		int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKC27012PBF	ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns											1ペアシリーズ接続	1200 v	135a			50 mA @ 1200 v	-40°C〜150°C
vs-murb1020ctpbf	-	RFQ	5717	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	murb1020	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	200 v	5a	990 mV @ 5 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C
MMSZ5251C-HE3_A-08	0.0566	RFQ	2526	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5251C-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000															900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 17 V				22 v	29オーム
VS-HFA06TB120S-M3	1.6400	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	HFA06	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												1200 v		3.9 V @ 12 a	80 ns	5 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C	6a	-
S3B-E3/57T	0.5300	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3B	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	標準回復> 500ns												100 V		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
V8PA22-M3/i	0.2978	RFQ	2032	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221BC		ショットキー		DO-221BC	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	112-V8PA22-M3/ITR	ear99	8541.10.0080	14,000	高速回復= <500ns												200 v		920 mv @ 8 a		10 µA @ 200 v	-40°C〜175°C	2.4a	400pf @ 4V、1MHz
VS-MBRD340TRL-M3	0.2764	RFQ	6615	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBRD340	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSMBRD340TRLM3	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns												40 v		600 mV @ 3 a		200 µA @ 20 V	-40°C〜150°C	3a	189pf @ 5V、1MHz
VS-80SQ040TR	-	RFQ	5238	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-204ar、軸	80SQ040	ショットキー		do-204ar	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns												40 v		530 mv @ 8 a		2 MA @ 40 V	-55°C〜175°C	8a	-
V40170PW-M3/4W	-	RFQ	9865	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	バルク	廃止			穴を通して	to-3p-3フルパック	V40170	ショットキー		to-3pw	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	170 v	20a	950 mv @ 20 a		250 µA @ 170 v	-40°C〜175°C
VS-SD800C36L	214.0067	RFQ	1834年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			クランプオン	do-200ab、b-puk	SD800	標準		do-200ab、b-puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3	標準回復> 500ns												3600 v		1.66 V @ 2000 a		50 mA @ 3600 v		1180a	-
SX085H045S4PU	-	RFQ	3157	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	死ぬ	SX085	ショットキー		死ぬ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns												45 v		630 mv @ 10 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²