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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	現在 -State	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
GDZ11B-HG3-08	0.0523	RFQ	9084	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ11		200 MW		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000															100 Na @ 8 V					11 v	30オーム
MMSZ5239B-HE3_A-08	0.0549	RFQ	8989	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW		SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5239B-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000													900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 7 V					9.1 v	10オーム
ZGL41-100A-E3/96	0.2020	RFQ	7670	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	ZGL41		1 W		gl41（do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500													1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 76 v					100 V	250オーム
v8pm45-m3/i	0.2393	RFQ	3928	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V8PM45	ショットキー			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns									45 v		600 mV @ 8 a		200 µA @ 45 V	-40°C〜175°C	8a	1450pf @ 4V、1MHz
BZX384B36-G3-08	0.0445	RFQ	1696	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B36		200 MW		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000															50 Na @ 25.2 v					36 v	90オーム
BZD27C3V9P-HE3-18	0.1561	RFQ	2284	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C3V9		800 MW		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000													1.2 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V					3.9 v	8オーム
VT2045CHM3/4W	-	RFQ	3395	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	VT2045	ショットキー			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VT2045CHM34W	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	45 v	10a	580 mV @ 10 a		2 MA @ 45 v	-40°C〜150°C
SMBZ5937B-E3/52	0.1676	RFQ	2068	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5937		3 W		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750													1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 25.1 v					33 v	33オーム
VS-20CTQ150SHM3	1.2000	RFQ	9849	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	20CTQ150	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	150 v	10a	880 mV @ 10 a		25 µA @ 150 v	-55°C〜175°C
MMSZ5236B-G3-18	0.0409	RFQ	6658	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5236		500 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															3 µA @ 6 V					7.5 v	6オーム
MBRB1645-E3/81	1.4300	RFQ	630	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB1645	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns									45 v		630 mv @ 16 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	16a	-
BZX584C24-G3-08	0.3000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX584C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584C		200 MW		SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	8,000															50 Na @ 16.8 v					24 v	25オーム
BZT03D120-TAP	-	RFQ	8953	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5.42％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03		1.3 w		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000													1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 91 v					120 v	250オーム
TZX8V2C-TR	0.2300	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX8V2		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000													1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 6.2 v					8.2 v	20オーム
v10pm15hm3/i	0.3201	RFQ	4704	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V10pm15	ショットキー			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns									150 v		1.08 V @ 10 a		200 µA @ 150 V	-40°C〜175°C	10a	680pf @ 4V、1MHz
BZT03C30-TAP	0.6400	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	カットテープ（CT）	アクティブ	±6.67％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03C30		1.3 w		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000													1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 22 v					30 V	15オーム
VS-VSKV71/14	42.9720	RFQ	4185	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 4）	VSKV71			一般的なアノード -すべてのscr		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKV7114	ear99	8541.30.0080	10			250 Ma	1.4 kV	115 a	2.5 v	1300a、1360a	150 Ma	75 a										2 SCRS
AZ23C15-HE3_A-08	-	RFQ	7549	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW		SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23C15-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード														50 Na @ 10.5 v					15 V	30オーム
BZX55B8V2-TR	0.2200	RFQ	88	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B8V2		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000													1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 6.2 v					8.2 v	7オーム
1N5251B-TAP	0.2300	RFQ	1858年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5251		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000													1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 17 V					22 v	29オーム
SMBZ5924B-E3/52	0.2617	RFQ	5031	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5924		3 W		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750													1.5 V @ 200 mA		25 µA @ 7 V					9.1 v	4オーム
EGP50G-E3/54	-	RFQ	3245	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-201AA	EGP50	標準			GP20	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		高速回復= <500ns									400 V		1.25 V @ 5 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	5a	75pf @ 4V、1MHz
TLZ16A-GS18	0.0335	RFQ	5180	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ16		500 MW		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000													1.5 V @ 200 mA		40 Na @ 14.1 v					16 v	18オーム
SB5H90-E3/73	0.6600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	SB5H90	ショットキー			DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns									90 v		800 mV @ 5 a		200 µA @ 90 V	175°C （最大）	5a	-
AZ23B12-E3-18	0.3300	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B12		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード														100 na @ 9 v					12 v	20オーム
VS-10ETF10STRRPBF	-	RFQ	9404	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	10etf10	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS10ETF10STRRPBF	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns									1000 V		1.33 V @ 10 a	310 ns	100 µA @ 1000 V	-40°C〜150°C	10a	-
Z4KE160A-E3/73	-	RFQ	8555	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	Z4KE160		1.5 w		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000													1 V @ 500 MA		500 NA @ 121.6 v					160 v	1100オーム
VF20202C-M3/4W	1.0704	RFQ	7513	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	VF20202	ショットキー			ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns								1ペア共通カソード	200 v	10a	900 mV @ 10 a		150 µA @ 200 V	-40°C〜175°C
BZD27C24P-E3-08	0.4100	RFQ	17	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C24		800 MW		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 18 V					24 v	15オーム
MBRB16H35-E3/45	-	RFQ	2978	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB16	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns									35 v		660 mV @ 16 a		100 µA @ 35 V	-65°C〜175°C	16a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²