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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
111cnq045asm	-	RFQ	8226	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	D-61-8-SM	111CNQ045	ショットキー			D-61-8-SM	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*111cnq045asm	ear99	8541.10.0080	400		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	55a	610 mv @ 55 a		1.5 mA @ 45 v	-55°C〜175°C
vssaf5m10-m3/h	0.4500	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®、Slimsma™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SAF5M10	ショットキー			DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		100 V		790 mV @ 5 a		400 µA @ 100 V	-40°C〜175°C	5a	470pf @ 4V、1MHz
plz3v3b-g3/h	0.2800	RFQ	43	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3.07％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-219AC	plz3v3		960 MW		do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V											3.43 v	70オーム
GP10M-7009M3/54	-	RFQ	9467	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns		1000 V		1.2 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1a	7pf @ 4V、1MHz
VS-20ETF06THM3	1.6418	RFQ	6292	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	20ETF06	標準			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 20 a	160 ns	100 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	20a	-
SML4752A-E3/61	0.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4752		1 W		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800								5 µA @ 25.1 v											33 v	45オーム
MMBZ4705-G3-08	-	RFQ	4936	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4705		350 MW		SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								50 Na @ 13.6 v											18 v
3N256-E4/45	-	RFQ	3995	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	3N256	標準			KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30						1.1 V @ 3.14 a		5 µA @ 400 V		2 a					単相	400 V
s4pdhm3_b/i	-	RFQ	1240	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	S4PD	標準			TO-277A	ダウンロード				112-S4PDHM3_B/ITR	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	4a	30pf @ 4V、1MHz
PTV6.2B-M3/85A	0.0825	RFQ	5438	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV6.2		600 MW		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		20 µA @ 3 v											6.6 v	6オーム
VF30100S-M3/4W	0.7118	RFQ	7242	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	VF30100	ショットキー			ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		100 V		910 mv @ 30 a		1 MA @ 100 V	-40°C〜150°C	30a	-
PTV22B-E3/85A	-	RFQ	3397	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV22		600 MW		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 17 V											23.3 v	14オーム
ZMY33-GS08	0.4200	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZMY33		1 W		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500								500 NA @ 25 V											33 v	20オーム
AZ23B6V2-HE3-18	0.0534	RFQ	8997	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B6V2		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 2 V											6.2 v	10オーム
VS-GT200TS065S	115.8100	RFQ	3012	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	箱	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール			1 kW	標準		-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-GT200TS065S			15	ハーフブリッジインバーター											溝	650 V	476 a			200 µA	いいえ
VS-400U80D	68.6900	RFQ	16	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	400U80	標準			do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns		800 V		1.62 V @ 1500 a		15 mA @ 800 v	-40°C〜200°C	400a	-
SE30DT12-M3/i	2.0700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	SE30DT12	標準			SMPD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		標準回復> 500ns		1200 v		1.29 V @ 30 a	3.4 µs	10 µA @ 1200 v	-55°C〜175°C	30a	132pf @ 4V、1MHz
TZM5243F-GS08	-	RFQ	1303	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5243		500 MW		SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	2,500						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v											13 v	600オーム
GBU8M-E3/51	2.1400	RFQ	734	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準			GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250						1 V @ 8 a		5 µA @ 1000 v		3.9 a					単相	1 kV
BZX84C75-HE3-08	0.0323	RFQ	8995	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C75		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								50 Na @ 52.5 v											75 v	255オーム
BZG04-200-HM3-08	0.2079	RFQ	8915	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg04-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-200		1.25 w		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 200 V											240 v
SMBZ5927B-M3/5B	0.1906	RFQ	4515	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5927		550 MW		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v											12 v	6.5オーム
SMPZ3931B-M3/84A	0.1027	RFQ	8318	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	SMPZ3931		500 MW		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 13.7 v											18 v	12オーム
v8pm15-m3/i	0.2393	RFQ	2722	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	v8pm15	ショットキー			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		150 v		1.08 V @ 8 a		150 µA @ 150 V	-40°C〜175°C	8a	460pf @ 4V、1MHz
BZW03D39-TR	-	RFQ	6896	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.2 V @ 1 a		2 µA @ 28 V											39 v	14オーム
BZT52C16-HE3-18	0.0378	RFQ	9195	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C16		410 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 12 v											16 v	13オーム
au1pg-m3/84a	0.4600	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	au1	雪崩			DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		400 V		1.5 V @ 1 a	75 ns	1 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1a	11pf @ 4V、1MHz
VS-SD200R24PC	72.7088	RFQ	6665	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AC 、DO-30 、スタッド	SD200	標準			DO-205AC （DO-30）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25		標準回復> 500ns		2400 v		1.4 V @ 630 a		15 mA @ 2400 v	-40°C〜150°C	200a	-
VS-E5TX3012S2LHM3	3.0000	RFQ	50	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		1200 v		3.3 V @ 30 a	80 ns	50 µA @ 1200 V	-55°C〜175°C	30a	-
RS2G-M3/52T	0.1142	RFQ	5664	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	rs2g	標準			do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns		50 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1.5a	20pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²