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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce
BZG05B43-E3-TR3	-	RFQ	3514	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w		DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000																1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 33 v												43 v	50オーム
byv16-tr	0.7000	RFQ	4154	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	byv16	雪崩			SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns												1000 V		1.5 V @ 1 a	300 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜175°C	1.5a	-
SL22-M3/52T	0.1464	RFQ	3562	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SL22	ショットキー			do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns												20 v		440 mV @ 2 a		400 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	2a	-
VS-GT50TP120N	-	RFQ	9172	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		175°C （TJ）	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 4）	GT50		405 W	標準	int-a-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSGT50TP120N	ear99	8541.29.0095	24	ハーフブリッジ																					溝	1200 v	100 a	2.35V @ 15V 、50a			5 Ma	いいえ			6.24 NF @ 30 V
MMBZ5243B-G3-18	-	RFQ	4697	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5243		225 MW		SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																		500 NA @ 9.9 v												13 v	13オーム
BZG05B27-HE3-TR3	-	RFQ	9375	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w		DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000																1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 20 V												27 v	30オーム
BZX84C3V6-HE3-18	0.0323	RFQ	3145	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C3V6		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																		5 µA @ 1 V												3.6 v	90オーム
BZD17C68P-E3-08	0.1452	RFQ	9881	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17C68		800 MW		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 51 v												68 v
VS-26MB06	7.6870	RFQ	2940	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-	QC端子	4 平方、D-34	26MB06	標準			D-34	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS26MB06	ear99	8541.10.0080	20																		10 µA @ 60 V		25 a						単相	600 V
MMBZ5261B-E3-08	-	RFQ	9140	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5261		225 MW		SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000																		100 Na @ 36 V												47 v	105オーム
BZX384C3V6-G3-08	0.2900	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C3V6		200 MW		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																		5 µA @ 1 V												3.6 v	90オーム
TZX4V7A-TR	0.2400	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX4V7		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V												4.7 v	100オーム
DZ23C5V6-G3-08	0.0483	RFQ	5646	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	DZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通カソード																	100 Na @ 1 V												5.6 v	40オーム
NS8AT-E3/45	0.4259	RFQ	6503	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	NS8	標準			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		標準回復> 500ns												50 v		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	8a	-
SS5P4HM3_A/i	0.6500	RFQ	25	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS5P4	ショットキー			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns												40 v		520 mV @ 5 a		250 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	5a	-
BZD27C36P-M-18	-	RFQ	6738	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C36		800 MW		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 27 V												36 v	40オーム
RS2G-E3/52T	0.4200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	rs2g	標準			do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns												400 V		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	20pf @ 4V、1MHz
BZX55C13-TR	0.2300	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55C13		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 10 V												13 v	26オーム
S2GHM3_a/i	0.1021	RFQ	3747	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	S2G	標準			do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-S2GHM3_A/ITR	ear99	8541.10.0080	3,200		標準回復> 500ns												400 V		1.15 V @ 1.5 a	2 µs	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	16pf @ 4V、1MHz
s4pbhm3_b/i	-	RFQ	3239	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	S4PB	標準			TO-277A	ダウンロード				112-S4PBHM3_B/ITR	ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												100 V		1.1 V @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	4a	30pf @ 4V、1MHz
BZX55A27-TAP	-	RFQ	9217	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 20 V												27 v	80オーム
AZ23B6V2-HE3_A-08	-	RFQ	1329	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW		SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23B6V2-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード																	3 µA @ 4 V												6.2 v	10オーム
TVR10D-E3/54	-	RFQ	8734	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	バルク	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	TVR10	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns												200 v			300 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
ZMY33-GS08	0.4200	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZMY33		1 W		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500																		500 NA @ 25 V												33 v	20オーム
VS-30CTQ045SPBF	-	RFQ	5072	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	30CTQ045	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	45 v	15a	620 mv @ 15 a		2 MA @ 45 v	-55°C〜175°C
VS-16RIA120S90	19.8198	RFQ	2325	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-65°C〜125°C	シャーシ、スタッドマウント	to-208aa、to-48-3	16RIA120				to-208aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS16RIA120S90	ear99	8541.30.0080	100			130 Ma	1.2 kv	35 a	2 v	285a、300a	60 Ma	1.75 v	16 a	10 Ma	標準回復
BZD27C130P-M3-08	0.1733	RFQ	3055	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C130		800 MW		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000																1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 100 V												130 v	300オーム
gdz4v7b-e3-18	0.0360	RFQ	5327	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	gdz4v7		200 MW		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																		2 µA @ 1 V												4.7 v	100オーム
BZT03C100-TAP	0.2640	RFQ	8596	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±6％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03C100		1.3 w		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000																1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 75 V												100 V	200オーム
AZ23C20-HE3-18	0.0436	RFQ	8586	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C20		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード																	100 Na @ 15 V												20 v	50オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²