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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
AR1PK-M3/85A	0.1271	RFQ	7198	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	AR1	雪崩		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns		800 V		1.6 V @ 1 a	120 ns	1 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	1a	8.5pf @ 4V、1MHz
MMBZ5233B-E3-18	-	RFQ	8949	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5233		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 3.5 v				6 v	7オーム
TZMB6V2-GS18	0.3100	RFQ	7860	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMB6v2		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 2 V				6.2 v	10オーム
MMBZ5256C-E3-08	-	RFQ	6818	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5256		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 23 V				30 V	49オーム
BZX84B3V9-HE3_A-18	-	RFQ	6902	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84B3V9-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1								3 µA @ 1 V				3.9 v	90オーム
VS-TH380BL16P-S2	-	RFQ	9610	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ					vs-th380				-	ROHS3準拠			112-VS-TH380BL16P-S2			1
BZX384B2V7-HE3-18	0.0378	RFQ	3652	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B2V7		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								20 µA @ 1 V				2.7 v	100オーム
V10pm153-m3/i	0.2250	RFQ	4548	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN		ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-V10PM153-M3/ITR	ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		150 v		840 mV @ 10 a		100 µA @ 150 V	-40°C〜175°C	3.6a	650pf @ 4V、1MHz
BZX84B39-E3-18	0.0324	RFQ	1681	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B39		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								50 Na @ 27.3 v				39 v	130オーム
1N5257C-TR	0.0288	RFQ	9170	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5257		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 25 V				33 v	58オーム
AZ23B47-G3-08	0.0594	RFQ	1679	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B47		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 35 V				47 v	100オーム
BZX384C6V2-HG3-08	0.0369	RFQ	6598	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323			200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-BZX384C6V2-HG3-08TR	ear99	8541.10.0050	3,000								3 µA @ 4 V				6.2 v	6オーム
BZG03C12-M3-08	0.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.42％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C12		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 500 Ma		3 µA @ 9.1 v				12 v	7オーム
BZX584C4V7-HG3-08	0.3400	RFQ	4713	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX584C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	8,000								3 µA @ 2 V				4.7 v	50オーム
UGB8HCTHE3/81	-	RFQ	5256	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB8	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	500 V	4a	1.75 V @ 4 a	50 ns	30 µA @ 500 V	-55°C〜150°C
BZX85B18-TR	0.3800	RFQ	19	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85B18		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 NA @ 13 V				18 v	20オーム
SS2P6HE3/85A	-	RFQ	4764	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q100、ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	SS2P6	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns		60 V		700 mV @ 2 a		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	2a	80pf @ 4V、1MHz
1N5253B-TR	0.2300	RFQ	32	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5253		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		100 na @ 19 v				25 v	35オーム
VS-12CWQ04FNTRLPBF	-	RFQ	9970	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	12CWQ04	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	6a	530 mV @ 6 a		3 ma @ 40 v	-55°C〜150°C
1N4946GPHE3/73	-	RFQ	2462	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4946	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 1 a	250 ns	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
TZMA56-GS08	0.1497	RFQ	5769	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMA5v6		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V				5.6 v	40オーム
v30dl63clhm3/i	2.2700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	カットテープ（CT）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V30DL63	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				2,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	15a	650 mV @ 15 a		200 µA @ 60 V	-40°C〜150°C
S1FLM-M-18	0.0454	RFQ	2925	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	S1F	標準		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50,000		標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	4PF @ 4V、1MHz
SS34-3HE3_A/H。	-	RFQ	1597	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc	SS34	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns		40 v		500 mV @ 3 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	-
GLL4760-E3/96	0.3053	RFQ	8083	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4760		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500								5 µA @ 51.7 v				68 v	150オーム
BZG05C36TR3	-	RFQ	1758	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 27 V				36 v	1000オーム
RS07D-GS08	0.3900	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	RS07	標準		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns		200 v		1.15 V @ 700 Ma	150 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	500mA	9pf @ 4V、1MHz
BZG05B4V3-HE3-TR3	-	RFQ	8216	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2.09％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V				4.3 v	13オーム
ugf15jthe3/45	-	RFQ	3723	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	UGF15	標準		ITO-220AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		600 V		1.75 V @ 15 a	50 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	15a	-
BYM11-400HE3/96	-	RFQ	5658	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym11	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	bym11-400he3_a/h	ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²