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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
S1FLB-GS18	0.0512	RFQ	2538	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	S1F	標準		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50,000		標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	700MA	4PF @ 4V、1MHz
G3SBA20L-M3/51	-	RFQ	6359	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G3SBA20	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250						1 V @ 2 a		5 µA @ 200 V		2.3 a		単相	200 v
VBT3045BP-M3/8W	0.8412	RFQ	8157	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT3045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		45 v		700 mV @ 30 a		2 MA @ 45 v	-40°C〜150°C	30a	-
VS-40EPS16-M3	5.6000	RFQ	6890	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	40EPS16	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-40EPS16-M3GI	ear99	8541.10.0080	25		標準回復> 500ns		1600 v		1.14 V @ 40 a		100 µA @ 1600 V	-40°C〜150°C	40a	-
MMSZ5251B-E3-18	0.0360	RFQ	5996	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5251		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 17 V						22 v	29オーム
MMSZ5232C-G3-08	0.0483	RFQ	1857	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5232		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								5 µA @ 3 V						5.6 v	11オーム
TLZ5V1C-GS08	0.2500	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ5V1		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V						5.1 v	20オーム
AZ23C16-HE3-18	0.0436	RFQ	5632	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C16		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 na @ 12 v						16 v	40オーム
G5SBA80-M3/51	1.0096	RFQ	4161	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G5SBA80	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250						1.05 V @ 3 a		5 µA @ 800 V		2.8 a		単相	800 V
S3A-E3/9AT	0.1539	RFQ	6177	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3a	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		標準回復> 500ns		50 v		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
AZ23C15-HE3-08	0.0436	RFQ	8707	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C15		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード							100 na @ 11 v						15 V	30オーム
MMSZ5267B-HE3_A-08	0.0549	RFQ	9023	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5267B-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 56 v						75 v	270オーム
VS-20L15TS-M3	1.6700	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	20L15	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		15 V		410 mv @ 19 a		10 ma @ 15 v	-55°C〜125°C	20a	2000pf @ 5V、1MHz
V2F22-M3/h	0.4500	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB		ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		200 v		870 mV @ 2 a		60 µa @ 200 v	-40°C〜175°C	2a	160pf @ 4V、1MHz
SE07PG-E3/84A	-	RFQ	9016	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	SE07	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		400 V		1.05 V @ 700 MA		5 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	700MA	5PF @ 4V、1MHz
GBU6A-M3/45	1.2844	RFQ	7028	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU6	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800						1 V @ 6 a		5 µA @ 50 V		3.8 a		単相	50 v
GBU8A-M3/51	1.1425	RFQ	5888	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250						1 V @ 8 a		5 µA @ 50 V		3.9 a		単相	50 v
BZX84C5V6-HE3_A-08	0.0498	RFQ	2431	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84C5V6-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000								1 µA @ 2 V						5.6 v	40オーム
RGP10AHE3/73	-	RFQ	9351	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		50 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
VS-40CTQ150-N3	-	RFQ	5399	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	40CTQ150	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-40CTQ150-N3GI	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	20a	930 mv @ 40 a		50 µA @ 50 V	-55°C〜175°C
UH2C-M3/5BT	-	RFQ	8557	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	uh2	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		150 v		1.05 V @ 2 a	35 ns	2 µA @ 150 v	-55°C〜175°C	2a	42pf @ 4V、1MHz
vs-15eth06fp-n3	1.8500	RFQ	295	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	15eth06	標準		TO-220-2フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs15eth06fpn3	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		600 V		2.2 V @ 15 a	29 ns	40 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-
1N4944GP-E3/73	-	RFQ	9307	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4944	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
PTV12B-E3/85A	-	RFQ	2683	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV12		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 9 V						12.8 v	8オーム
BZM55C20-TR	0.2800	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZM55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	BZM55C20		500 MW	マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 15 V						20 v	220オーム
VS-26MT40	16.6600	RFQ	9700	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	QC端子	5 平方、D-63	26MT40	標準		D-63	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20								100 µA @ 400 V		25 a		3フェーズ	400 V
VS-50PFR40W	5.1055	RFQ	2099	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	50PFR40	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS50PFR40W	ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		400 V		1.4 V @ 125 a			-55°C〜180°C	50a	-
MBRB1545CT-E3/81	1.4100	RFQ	206	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB1545	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	7.5a	840 mV @ 15 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
MMBZ5262B-G3-08	-	RFQ	6762	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5262		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 39 v						51 v	125オーム
TZMC24-M-08	0.0324	RFQ	8317	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC24		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 18 V						24 v	80オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²