画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZM55B3V0-TR3 | 0.0433 | ![]() | 5341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AEC-Q101、BZM55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | BZM55B3V0 | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 4 µA @ 1 V | 3 v | 600オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | v2pl63lhm3/h | 0.4100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive 、AEC-Q101、TMBS® | カットテープ(CT) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | V2PL63 | ショットキー | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 580 mV @ 2 a | 50 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 2a | 360pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SMZJ3789B-E3/52 | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3789 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA @ 7.6 v | 10 v | 5オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | SS10P4-E3/87A | - | ![]() | 2381 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS10P4 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 560 mV @ 10 a | 800 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-16CTQ060HN3 | 1.1491 | ![]() | 9933 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | 16CTQ060 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 8a | 720 mV @ 8 a | 550 µA @ 60 V | -55°C〜175°C | |||||||||||||||||||||
![]() | BZG03C91-M3-18 | 0.1815 | ![]() | 6388 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.04% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03C91 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 68 v | 91 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55A12-GS18 | - | ![]() | 2330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±1% | 175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 9.1 v | 12 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST1230C14K1P | 277.6950 | ![]() | 3039 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 新しいデザインではありません | -40°C〜125°C | シャーシマウント | TO-200AC | ST1230 | A-24 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSST1230C14K1P | ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 600 Ma | 1.4 kV | 3200 a | 3 v | 28200a 、29500a | 200 ma | 1.62 v | 1745 a | 100 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||
![]() | VS-88HF20 | 8.8342 | ![]() | 5204 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 88HF20 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS88HF20 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.2 V @ 267 a | -65°C〜180°C | 85a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-80-6008 | - | ![]() | 1935年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 80-6008 | - | 112-VS-80-6008 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | plz2v0a-g3/h | 0.2800 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、PLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.53% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-219AC | plz2v0 | 960 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 120 µA @ 500 mV | 1.99 v | 140オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | VFT3060C-E3/4W | 0.6839 | ![]() | 3411 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | VFT3060 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VFT3060C-E3/4WGI | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 700 mV @ 15 a | 1.2 mA @ 60 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
AZ23B30-E3-08 | 0.0509 | ![]() | 3713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B30 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 22.5 v | 30 V | 80オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | fesb8bthe3_a/i | 0.8085 | ![]() | 6742 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FESB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | SML4749HE3/5A | - | ![]() | 9929 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±10% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4749 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 25オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85B4V3-TR | 0.0561 | ![]() | 6520 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85B4V3 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 13オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | MB30H100CTHE3_B/i | 1.2985 | ![]() | 2884 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MB30H100 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 820 mv @ 15 a | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||||||||||||||||||||
![]() | SE100PWJHM3/i | 0.3317 | ![]() | 1674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | SE100 | 標準 | Slimdpak | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.14 V @ 10 a | 2.6 µs | 20 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 10a | 78pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS12P4C-M3/87A | 0.4892 | ![]() | 1202 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS12P4 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 6a | 520 mV @ 6 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | |||||||||||||||||||||
![]() | SMZJ3793A-E3/5B | - | ![]() | 8105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ37 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 9オーム | |||||||||||||||||||||||
BZX84B10-G3-18 | 0.0389 | ![]() | 3357 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B10 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GP10D-6453M3/73 | - | ![]() | 7670 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||
BZX84B3V9-HE3_A-18 | - | ![]() | 6902 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-BZX84B3V9-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-8ETL06STRL-M3 | 0.5166 | ![]() | 7472 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 8etl06 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.05 V @ 8 a | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||||||||||||
VS-ETH1506-M3 | 1.4400 | ![]() | 9530 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | ETH1506 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSETH1506M3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.45 V @ 15 a | 29 ns | 15 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | BAQ33-GS08 | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BAQ33 | 標準 | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1 V @ 100 MA | 1 Na @ 15 V | -65°C〜175°C | 200mA | 3PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | TLZ3V3B-GS08 | 0.2500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ3V3 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.3 v | 70オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | MCL4154-TR | 0.0281 | ![]() | 8066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | MCL4154 | 標準 | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 12,500 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 35 v | 1 V @ 30 mA | 4 ns | 100 Na @ 25 V | 175°C (最大) | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-HFA16PA60CPBF | - | ![]() | 7690 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | HFA16 | 標準 | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 8a(dc) | 1.7 V @ 8 a | 55 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | VBT30L60C-E3/4W | 2.1400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VBT30L60 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 600 mV @ 15 a | 4 ma @ 60 v | 150°C (最大) |
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