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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SMZJ3790AHE3/5B	-	RFQ	1017	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ37		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200						10 µA @ 8.4 v						11 v	6オーム
SB2M-M3/5BT	0.1160	RFQ	7744	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SB2	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		標準回復> 500ns	1000 V	1.15 V @ 2 a	2 µs	1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	2a	16pf @ 4V、1MHz
BZT52B39-E3-08	0.3100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B39		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						100 Na @ 29 v						39 v	50オーム
V7NM153HM3/h	0.6400	RFQ	2706	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	バルク	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-vdfn	V7NM153	ショットキー		DFN3820A	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-V7NM153HM3/h			1		高速回復= <500ns	150 v	980 mV @ 7 a		70 µA @ 150 V	-40°C〜175°C	2a	390pf @ 4V、1MHz
MMBZ4696-HE3-18	-	RFQ	5819	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4696		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1 µA @ 6.9 v						9.1 v
BZX384B3V6-G3-18	0.0445	RFQ	7608	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B3V6		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						5 µA @ 1 V						3.6 v	90オーム
BZW03C68-TAP	-	RFQ	1929年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500				1.2 V @ 1 a		2 µA @ 51 v						68 v	45オーム
AZ23C2V7-HE3-18	0.0436	RFQ	9677	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C2V7		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード											2.7 v	83オーム
VS-2KBB20R	1.7500	RFQ	408	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip 、2kbb	2KBB20	標準		2kbb	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500				1.1 V @ 1.9 a		10 µA @ 200 v		1.9 a		単相	200 v
MMSZ4686-HE3_A-18	-	RFQ	4983	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ4686-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1				900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 2 V						3.9 v
BZM55C39-TR3	0.2800	RFQ	3439	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZM55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	BZM55C39		500 MW	マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000				1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 30 V						39 v	500オーム
vss8d2m6-m3/i	0.4500	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	S8D2	ショットキー		Slimsmaw	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000		高速回復= <500ns	60 V	480 mV @ 1 a		200 µA @ 60 V	-40°C〜175°C	2a	430pf @ 4V、1MHz
BZX55B75-TAP	0.2200	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B75		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000				1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 56 v						75 v	250オーム
vs-3c16etott-m3	-	RFQ	6783	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	112-VS-3C16TOTT-M3	ear99	8541.10.0080	1
BZX384C39-E3-18	0.0324	RFQ	6579	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C39		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						50 Na @ 27.3 v						39 v	130オーム
MMSZ5237B-G3-08	0.0409	RFQ	1789	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5237		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000						3 µA @ 6.5 v						8.2 v	8オーム
VS-80-6007	-	RFQ	1166	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					80-6007				-				112-VS-80-6007			1
SB3H100-E3/54	0.6300	RFQ	16	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	SB3H100	ショットキー		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		高速回復= <500ns	100 V	800 mV @ 3 a		20 µA @ 100 V	175°C （最大）	3a	-
RGP10JHE3/53	-	RFQ	1656	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns	600 V	1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
RS2J-M3/52T	0.1112	RFQ	3720	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	RS2J	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns	600 V	1.3 V @ 1.5 a	250 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1.5a	17pf @ 4V、1MHz
SMPZ3927B-E3/84A	-	RFQ	4289	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	SMPZ39		500 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000				1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 9.1 v						12 v	6.5オーム
SB2J-M3/5BT	0.1160	RFQ	5722	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SB2	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		標準回復> 500ns	600 V	1.15 V @ 2 a	2 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	2a	16pf @ 4V、1MHz
BYV26EGP-E3/54	0.6000	RFQ	32	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	byv26	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000		高速回復= <500ns	1000 V	2.5 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
MMBZ5251B-G3-08	-	RFQ	5240	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5251		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000						100 Na @ 17 V						22 v	29オーム
TZQ5233B-GS08	0.0303	RFQ	9656	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	TZQ5233		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500				1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 3.5 v						6 v	7オーム
10TQ045S	-	RFQ	9281	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	10TQ045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	45 v	570 mV @ 10 a		2 MA @ 45 v	-55°C〜175°C	10a	-
1N4936GP-E3/54	0.5000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4936	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		高速回復= <500ns	400 V	1.2 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
1N4936-E3/54	0.3400	RFQ	3484	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4936	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		高速回復= <500ns	400 V	1.2 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 400 V	-50°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
SMZJ3806B-E3/52	0.1546	RFQ	3271	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3806		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750						5 µA @ 38.8 v						51 v	70オーム
BZX84C5V1-E3-18	0.2300	RFQ	28	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C5V1		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						2 µA @ 2 V						5.1 v	60オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²