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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
ZMM5264B-7	-	RFQ	1034	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	ZMM52		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ZMM5264B-7GI	ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 46 v						60 V	170オーム
MMBZ4684-G3-18	-	RFQ	1261	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4684		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								7.5 µA @ 1.5 V						3.3 v
VS-GBPC3506W	7.3200	RFQ	8495	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	VS-GBPC	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4平方、GBPC-W	GBPC3506	標準		GBPC-W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100								2 MA @ 600 v		35 a		単相	600 V
SMBZ5925B-E3/5B	0.1676	RFQ	9945	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5925		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200						1.5 V @ 200 mA		25 µa @ 8 V						10 v	4.5オーム
MMBZ4699-HE3-18	-	RFQ	2805	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4699		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								50 Na @ 9.1 v						12 v
TZM5261B-GS08	0.0303	RFQ	1376	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5261		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 36 V						47 v	105オーム
DZ23C7V5-G3-18	0.0483	RFQ	1904年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	DZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通カソード							100 Na @ 5 V						7.5 v	7オーム
VS-5EAH02-M3/i	0.5800	RFQ	6995	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-vdfn	VS-5EAH02	標準		DFN3820A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	14,000		高速回復= <500ns		200 v		970 mV @ 5 a	25 ns	4 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	5a	-
v3pm6-m3/h	0.3700	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	v3pm6	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		60 V		500 mV @ 1.5 a		200 µA @ 60 V	-40°C〜175°C	2.4a	400pf @ 4V、1MHz
Z47-BO123-E3-08	-	RFQ	3035	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止									-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	3,000
gpp15b-e3/73	-	RFQ	4765	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	GPP15	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1.5a	8pf @ 4V、1MHz
MMBZ5242B-E3-18	-	RFQ	1929年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5242		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								1 µA @ 9.1 v						12 v	30オーム
81CNQ045A	-	RFQ	9907	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-61-8	81cnq	ショットキー		D-61-8	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	40a	740 mV @ 80 a		5 ma @ 45 v	-55°C〜175°C
MMBZ4708-E3-18	-	RFQ	8901	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4708		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								10 Na @ 16.7 v						22 v
BZG05C4V3-HE3-TR	-	RFQ	2449	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 AEC-Q101、BZG05C	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V						4.3 v	13オーム
BZG05C16-HE3-TR	-	RFQ	2566	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 AEC-Q101、BZG05C	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 12 V						16 v	15オーム
SS25-E3/52T	0.4300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SS25	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns		50 v		700 mV @ 2 a		400 µA @ 50 V	-65°C〜125°C	2a	-
BZD27B8V2P-HE3-18	0.1238	RFQ	7559	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27b	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B8V2		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V						8.2 v	2オーム
BZG05C12TR	-	RFQ	9953	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 9.1 v						12 v	350オーム
BZG05B13-M3-18	0.1980	RFQ	1700	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05B13		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 10 V						13 v	10オーム
MBRB15H45CT-E3/81	-	RFQ	8331	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB15	ショットキー		TO-263AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	7.5a	630 mv @ 7.5 a		50 µA @ 45 v	-65°C〜175°C
BZT52B7V5-E3-18	0.0415	RFQ	2992	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B7V5		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 5 V						7.5 v	4オーム
S2G-M3/5BT	0.0888	RFQ	3437	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	S2G	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		標準回復> 500ns		400 V		1.15 V @ 1.5 a	2 µs	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	16pf @ 4V、1MHz
TZX16A-TAP	0.2300	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	カットテープ（CT）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX16		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 16 V						16 v	45オーム
SML4753-E3/5A	0.1733	RFQ	8746	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4753		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500								5 µA @ 27.4 v						36 v	50オーム
VS-HFA16PB120PBF	-	RFQ	5810	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-2	HFA16	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25		高速回復= <500ns		1200 v		3 V @ 16 a	135 ns	20 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C	16a	-
MMSZ5242B-HE3-08	0.2900	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5242		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								1 µA @ 9.1 v						12 v	30オーム
murs360hm3_a/i	0.5118	RFQ	4075	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	MURS360	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-MURS360HM3_A/ITR	ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		600 V		1.28 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
TZMC9V1-GS08	0.2300	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC9V1		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 6.8 v						9.1 v	10オーム
vs-eph3006-n3	6.0800	RFQ	496	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	EPH3006	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSEPH3006N3	ear99	8541.10.0080	25		高速回復= <500ns		600 V		2.65 V @ 30 a	26 ns	30 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	30a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²