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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
VLZ12B-GS08	-	RFQ	9079	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ12		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500							1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 10.9 v						11.75 v	12オーム
VBT2080C-E3/8W	0.6270	RFQ	4125	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT2080	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	80 v	10a	810 mv @ 10 a		600 µA @ 80 V	-55°C〜150°C
RS3J-M3/57T	0.1881	RFQ	7156	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	RS3J	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns			600 V		1.3 V @ 2.5 a	250 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	3a	34pf @ 4V、1MHz
AZ23C33-HE3_A-18	-	RFQ	5691	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23C33-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード								50 Na @ 23.1 v						33 v	80オーム
AZ23C15-E3-18	0.0415	RFQ	3212	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C15		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード								100 na @ 11 v						15 V	30オーム
GBU8J-M3/45	1.2844	RFQ	6297	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800							1 V @ 8 a		5 µA @ 600 v		8 a		単相	600 V
KBP005M-M4/51	-	RFQ	1277	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbpm	KBP005	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600							1 V @ 1 a		5 µA @ 50 V		1.5 a		単相	50 v
BZT52B30-HE3-18	0.0436	RFQ	5158	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B30		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000									100 Na @ 22.5 v						30 V	35オーム
TZM5262C-GS08	-	RFQ	2409	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5262		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500							1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 39 v						51 v	125オーム
GBU8G-M3/51	1.1425	RFQ	7362	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250							1 V @ 8 a		5 µA @ 400 V		8 a		単相	400 V
MMSZ5252B-HE3_A-08	0.0549	RFQ	2626	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5252B-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000							900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 18 V						24 v	33オーム
BU1008A5S-M3/45	-	RFQ	5477	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、bu-5s	BU1008	標準		ISOCINK+™BU-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800							1.1 V @ 5 a		5 µA @ 800 V		10 a		単相	800 V
BU1010-M3/45	1.4823	RFQ	1466	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、bu	BU1010	標準		ISOCINK+™BU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20							1.05 V @ 5 a		5 µA @ 1000 v		10 a		単相	1 kV
GBU8D-M3/45	1.2844	RFQ	2457	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800							1 V @ 8 a		5 µA @ 200 V		8 a		単相	200 v
BU25065S-M3/45	-	RFQ	1114	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、bu-5s	BU25065	標準		ISOCINK+™BU-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800							1.05 V @ 12.5 a		5 µA @ 600 v		3.5 a		単相	600 V
BA782S-E3-18	-	RFQ	7233	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		125°C （TJ）		SC-76、SOD-323	BA782			SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000			100 Ma									1.25pf @ 3V、1MHz	ピン -シングル	35V			700mohm @ 3ma、1GHz
BA683-GS18	-	RFQ	3474	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）		DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BA683			SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000			100 Ma									1.2pf @ 3V 、100MHz	ピン -シングル	35V			900mohm @ 10ma 、200mhz
GBLA06-M3/51	0.8176	RFQ	5051	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	GBLA06	標準		GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	400							1 V @ 4 a		5 µA @ 600 v		4 a		単相	600 V
KBP10M-M4/51	-	RFQ	7246	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbpm	KBP10	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600							1.1 V @ 3.14 a		5 µA @ 1000 v		1.5 a		単相	1 kV
3N259-E4/51	-	RFQ	2203	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	3N259	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600							1.1 V @ 3.14 a		5 µA @ 1000 v		2 a		単相	1 kV
BZX85C11-TR	0.3800	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C11		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000									500 na @ 7.5 v						11 v	8オーム
BZT52C8V2-HE3-08	0.0378	RFQ	5223	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C8V2		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000									100 na @ 6 v						8.2 v	4.5オーム
MMSZ4701-HE3_A-18	0.0533	RFQ	2256	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ4701-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000							900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 10.6 v						14 v
PTV6.8B-M3/85A	0.1721	RFQ	9025	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV6.8		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 mA		20 µA @ 3.5 v						7.3 v	6オーム
MMSZ5240B-G3-18	0.3100	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5240		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000									3 µA @ 8 V						10 v	17オーム
TZM5261F-GS08	-	RFQ	9093	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5261		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	2,500							1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 36 V						47 v	1000オーム
smzj3794bhe3_a/i	0.1597	RFQ	4903	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3794		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200									5 µA @ 12.2 v						16 v	10オーム
VS-73-4720	-	RFQ	8608	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止									-				112-VS-73-4720	廃止		1
vs-8etu12hn3	0.7425	RFQ	3656	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	8etu12	標準		TO-220AC	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns			1200 v		2.55 V @ 8 a	144 ns	55 µA @ 1200 V	-55°C〜175°C	8a	-
TZM5242C-GS08	-	RFQ	5691	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5242		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500							1.1 V @ 200 mA		1 µA @ 9.1 v						12 v	30オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²