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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
KBL08-E4/51	2.9800	RFQ	4995	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-50°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip 、kbl	KBL08	標準		KBL	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	300					1.1 V @ 4 a		5 µA @ 800 V		4 a		単相	800 V
2kbp02m/1	-	RFQ	6650	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp02	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600					1.1 V @ 3.14 a		5 µA @ 200 V		2 a		単相	200 v
GBU6JL-6131E3/51	-	RFQ	4057	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU6	標準		GBU	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1					1 V @ 6 a		5 µA @ 600 v		3.8 a		単相	600 V
VS-SA60BA60	-	RFQ	7847	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	SA60	標準		SOT-227	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSSA60BA60	ear99	8541.10.0080	180									61 a		単相	600 V
DF06SA-E3/77	0.6400	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DF06	標準		DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500					1.1 V @ 1 a		5 µA @ 600 v		1 a		単相	600 V
GSIB15A80-E3/45	2.7000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	GSIB15	標準		GSIB-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20					1 V @ 7.5 a		10 µA @ 800 V		3.5 a		単相	800 V
VS-92MT140KPBF	96.1787	RFQ	4058	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	mt-kモジュール	92MT140	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS92MT140KPBF	ear99	8541.10.0080	15									90 a		3フェーズ	1.4 kV
VS-60MT160KPBF	69.1800	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	mt-kモジュール	60MT160	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15									60 a		3フェーズ	1.6 kV
SMZJ3794A-E3/5B	-	RFQ	1506	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ37		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 12.2 v						16 v	10オーム
GBU6JL-5303E3/45	-	RFQ	6488	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU6	標準		GBU	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1					1 V @ 6 a		5 µA @ 600 v		3.8 a		単相	600 V
DF02M-E3/45	0.7800	RFQ	468	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-EDIP （0.300 "、7.62mm）	DF02	標準		DFM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50					1.1 V @ 1 a		5 µA @ 200 V		1 a		単相	200 v
V30D202CHM3/i	-	RFQ	2130	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	V30D202	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	15a	880 mV @ 15 a		200 µA @ 200 V	-40°C〜175°C
BZG05C22-M3-18	0.1089	RFQ	5707	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.68％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C22		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 16 V						22 v	25オーム
VS-GBPC3502A	7.4200	RFQ	8286	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	VS-GBPC	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	QC端子	4平方、GBPC-A	GBPC3502	標準		GBPC-A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100							2ma @ 200 v		35 a		単相	200 v
byt28b-400he3_a/i	-	RFQ	8353	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	BYT28	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	5a	1.3 V @ 5 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C
VS-80-7880	-	RFQ	6194	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					80-7880				-				112-VS-80-7880			1
BZX384C9V1-HE3-08	0.2600	RFQ	8415	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C9V1		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							500 NA @ 6 V						9.1 v	15オーム
BZG05B6V2-HE3-TR3	-	RFQ	4208	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1.94％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 3 V						6.2 v	4オーム
VS-113MT160KPBF	109.5933	RFQ	5124	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	mt-kモジュール	113MT160	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs113mt160kpbf	ear99	8541.10.0080	15									110 a		3フェーズ	1.6 kV
91MT160kb	-	RFQ	4754	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	MTK	91MT160	標準		MTK	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3									90 a		3フェーズ	1.6 kV
DFL1514S-E3/77	-	RFQ	4106	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	DFL1514	標準		DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500					1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 1400 v		1.5 a		単相	1.4 kV
VS-104MT160KPBF	109.5933	RFQ	7147	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	mt-kモジュール	104MT160	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS104MT160KPBF	ear99	8541.10.0080	15									100 a		3フェーズ	1.6 kV
BZM55B68-TR	0.0433	RFQ	4024	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZM55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	BZM55B68		500 MW	マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 51 v						68 v	1000オーム
VS-19TQ015S-M3	1.6100	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	19tq015	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		15 V		360 mV @ 19 a		10.5 mA @ 15 v	-55°C〜125°C	19a	2000pf @ 5V、1MHz
VS-2ENH02-M3/84A	0.3800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	2ENH02	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 2 a	28 ns	2 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2a	-
EDF1CS-E3/45	0.5991	RFQ	3810	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	EDF1	標準		DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50					1.05 V @ 1 a		5 µA @ 150 v		1 a		単相	150 v
MBRB1635-E3/81	0.8473	RFQ	3140	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB1635	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		35 v		630 mv @ 16 a		200 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	16a	-
3N256-E4/51	-	RFQ	1032	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	3N256	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600					1.1 V @ 3.14 a		5 µA @ 400 V		2 a		単相	400 V
TZMC56-M-08	0.0324	RFQ	5821	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC56		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 43 v						56 v	135オーム
BZX55B2V7-TAP	0.2200	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B2V7		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						2.7 v	85オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²