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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-6FL60S02	6.0812	RFQ	1717	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	6FL60	標準			do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns												600 V		1.4 V @ 6 a	200 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	6a	-
IRKT56/06A	-	RFQ	6175	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 4）	IRKT56			シリーズ接続 -すべてのscr		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10		200 ma	600 V	135 a	2.5 v	1310a、1370a	150 Ma		60 a												2 SCRS
VS-1N3890R	6.9900	RFQ	60	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N3890	標準、逆極性			do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns												100 V		1.4 V @ 12 a	300 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	12a	-
SL42-E3/57T	0.9100	RFQ	440	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SL42	ショットキー			do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns												20 v		420 mV @ 4 a		500 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	4a	-
BAS40-02V-HG3-08	0.3400	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-79、SOD-523	BAS40	標準			SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	8,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度												40 v		1 V @ 40 mA	5 ns	100 Na @ 30 V	125°C	120ma	4PF @ 0V、1MHz
BZT52C3V3-HE3-18	0.0368	RFQ	2708	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C3V3		410 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																						3.3 v	80オーム
SS2P2HM3/84A	0.1445	RFQ	9486	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	SS2P2	ショットキー			DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns												20 v		550 mv @ 2 a		150 µA @ 20 V	-55°C〜150°C	2a	110pf @ 4V、1MHz
GP10-4005E-E3/53	-	RFQ	2276	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns												500 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
SBL2040CT-E3/45	-	RFQ	6240	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	SBL2040	ショットキー			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	40 v	10a	600 mV @ 10 a		1 MA @ 40 V	-55°C〜150°C
IRKH142/12	-	RFQ	7080	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	int-a-pak（3 + 2）	IRKH142			-scr/ダイオード		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	3		200 ma	1.2 kv	310 a	2.5 v	4500a 、4712a	150 Ma		140 a												1 scr、1ダイオード
VS-10RKI80	50.4696	RFQ	8855	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜140°C	シャーシ、スタッドマウント	TO-209AC	110rki80				TO-209AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	25		200 ma	800 V	172 a	2 v	2080a 、2180a	120 Ma	1.57 v	110 a	20 ma	標準回復
UG06C-E3/54	-	RFQ	7987	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	mpg06 、軸	UG06	標準			MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns												150 v		950 mV @ 600 Ma	25 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	600MA	9pf @ 4V、1MHz
VS-150U120D	31.7100	RFQ	72	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	DO-205AA	150U120	標準			do-205aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	標準回復> 500ns												1200 v		1.47 V @ 600 a			-40°C〜180°C	150a	-
BZG03B27-HM3-18	0.2310	RFQ	7926	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03B27		1.25 w		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000															1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 20 V					27 v	15オーム
VS-40HF140M	15.8598	RFQ	8772	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	40HF140	標準			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS40HF140M	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns												1400 v		1.3 V @ 125 a			-65°C〜160°C	40a	-
vs-8tq100gpbf	-	RFQ	6889	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	8tq100	ショットキー			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		vs8tq100gpbf	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												100 V		720 mV @ 8 a		280 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	8a	500pf @ 5V、1MHz
TZMB4V7-GS18	0.0411	RFQ	1939年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMB4V7		500 MW		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 1 V					4.7 v	80オーム
BZX85C3V3-TAP	0.3800	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C3V3		1.3 w		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000																	40 µA @ 1 V					3.3 v	20オーム
BZG03C150-M3-18	0.5000	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C150		1.25 w		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000															1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 110 v					150 v	300オーム
VS-UFB130FA40	20.5700	RFQ	303	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	UFB130	標準			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns											2独立	400 V	65a	1.37 V @ 60 a	86 ns	50 µA @ 400 V
plz18a-hg3_a/h	0.3600	RFQ	37	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、PLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	150°C	表面マウント	DO-219AC	plz18		500 MW		do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500															900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 13 V					16.64 v	23オーム
TZM5225B-GS18	0.0303	RFQ	6718	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5225		500 MW		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															1.1 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V					3 v	29オーム
VS-ST083S08MFM1P	129.3836	RFQ	2618	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します		-40°C〜125°C	シャーシ、スタッドマウント	TO-209AC	ST083				TO-209AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST083S08MFM1P	ear99	8541.30.0080	25		600 Ma	800 V	135 a	3 v	2060a 、2160a	200 ma	2.15 v	85 a	30 Ma	標準回復
MMBZ4713-E3-08	-	RFQ	7859	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4713		350 MW		SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000																	10 Na @ 22.8 v					30 V
BZX55B3V9-TR	0.2200	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B3V9		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V					3.9 v	90オーム
MMBZ4619-E3-18	-	RFQ	4992	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4619		350 MW		SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	800 Na @ 1 V					3 v	1600オーム
SSC53L-E3/57T	0.6100	RFQ	28	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SSC53	ショットキー			do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns												30 V		450 mv @ 5 a		700 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	5a	-
GI754-E3/73	0.9700	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	P600 、軸	GI754	標準			P600	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	300	標準回復> 500ns												400 V		900 mV @ 6 a	2.5 µs	5 µA @ 400 V	-50°C〜150°C	6a	150pf @ 4V、1MHz
BZD27C120P-M-18	-	RFQ	7685	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C120		800 MW		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 91 v					120 v	250オーム
VS-T85HFL10S02	40.4870	RFQ	5694	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	D-55 Tモジュール	T85	標準			D-55	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns												100 V			200 ns	20 mA @ 100 v		85a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²