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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
FEP30-CP	-	RFQ	8167	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-3p-3、SC-65-3	FEP30	標準		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	150 v	15a	950 mV @ 15 a	35 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C
8ewf02strl	-	RFQ	6213	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	8ewf02	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns												200 v		1.2 V @ 8 a	140 ns	100 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	8a	-
VS-VSKE91/10	37.4020	RFQ	2077	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	add-a-pak	vske91	標準		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKE9110	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns												1000 V				10 mA @ 1000 v	-40°C〜150°C	100a	-
SSC54-M3/9AT	0.5900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SSC54	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns												40 v		490 mV @ 5 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	5a	-
SF4003-TR	0.3168	RFQ	5027	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	SF4003	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000	高速回復= <500ns												200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	1a	76pf @ 4V、1MHz
SMPZ3935B-M3/84A	0.1027	RFQ	9654	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	SMPZ3935		500 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000															1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 20.6 v				27 v	23オーム
V10PM12-M3/87A	0.3318	RFQ	2406	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	v10pm12	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns												120 v		830 mV @ 10 a		400 µA @ 120 V	-40°C〜150°C	3.9a	-
VS-10MQ060NPBF	-	RFQ	1684	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	10MQ060	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns												60 V		710 mv @ 1.5 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	2.1a	-
VS-HFA60FA120P	-	RFQ	6679	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	トレイ	廃止			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	HFA60	標準		SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSHFA60FA120P	ear99	8541.10.0080	180	高速回復= <500ns											2独立	1200 v	30A （DC）	3 V @ 30 a	123 ns	75 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C
STPS20L15G	-	RFQ	8099	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	STPS20	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns												15 V		410 mv @ 19 a		10 ma @ 15 v	-55°C〜125°C	20a	-
BZT52C3V9-HE3_A-18	-	RFQ	2603	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52C3V9-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1																	2 µA @ 1 V				3.9 v	95オーム
BYT28-400-E3/45	-	RFQ	3655	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	BYT28	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	400 V	5a	1.3 V @ 5 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C
BZX85B39-TR	0.0561	RFQ	4919	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85B39		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	25,000																	500 NA @ 30 V				39 v	50オーム
CS1K-E3/i	-	RFQ	3946	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	CS1	標準		do-214ac	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	標準回復> 500ns												800 V		1.1 V @ 1 a	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
AS1PM-M3/85A	0.2459	RFQ	1365	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	AS1	雪崩		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	標準回復> 500ns												1000 V		1.15 V @ 1.5 a	1.5 µs	5 µA @ 1000 v	-55°C〜175°C	1.5a	10.4pf @ 4V、1MHz
SS32-M3/57T	0.2929	RFQ	8635	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SS32	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns												20 v		500 mV @ 3 a		500 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	3a	-
RGP5100HE3/54	-	RFQ	5905	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	軸	RGP51	標準		軸	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	5,500	標準回復> 500ns												1000 V					-	500mA	-
VS-MURD620CTTRLPBF	-	RFQ	2775	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	Murd620	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	200 v	3a	1 V @ 3 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
10ets12	-	RFQ	5932	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	10ets12	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	標準回復> 500ns												1200 v		1.1 V @ 10 a		50 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	10a	-
VS-2EMH01HM3/5AT	0.4500	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	2EMH01	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns												100 V		950 mv @ 2 a	25 ns	2 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	2a	-
IRD3903	-	RFQ	7532	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	IRD3903	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRD3903	ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns												400 V		1.65 V @ 62.8 a	350 ns	50 µA @ 400 V	-40°C〜125°C	20a	-
VS-VS52ASR04M	-	RFQ	4078	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					VS52				-				112-VS-VS52ASR04M			1
VSKE250-20	-	RFQ	5589	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	vske250	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns												2000 v				50 mA @ 2000 v		250a	-
MMBZ5243C-E3-18	-	RFQ	1838年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5243		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	500 NA @ 9.9 v				13 v	13オーム
VSKJ320-08	-	RFQ	4960	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKJ320	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns											1ペア共通アノード	800 V	320A			50 mA @ 800 v
VS-SD2500C24K	232.6950	RFQ	8486	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			クランプオン	DO-200AC 、K-PUK	SD2500	標準		DO-200AC 、K-PUK	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSSD2500C24K	ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns												2400 v		1.14 V @ 4000 a			-40°C〜180°C	3000A	-
VS-ST730C12L0	144.2933	RFQ	9636	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	クランプオン	TO-200AC 、B-PUK	ST730			TO-200AC 、B-PUK	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	3		600 Ma	1.2 kv	2000 a	3 v	17800a、18700a	200 ma	1.62 v	990 a	80 Ma	標準回復
RGP10BHM3/73	-	RFQ	3179	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns												100 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
UGE8HT-E3/45	-	RFQ	2189	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	TO-220-2	uge8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns												500 V		1.75 V @ 8 a	25 ns	30 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	8a	-
bat83s-tr	0.3700	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸	bat83	ショットキー		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度												60 V		1 V @ 15 mA		200 Na @ 60 V	125°C （最大）	30ma	1.6pf @ 1V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²