画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 構造 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | scr の数、ダイオード | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | plz24d-hg3_a/h | 0.3600 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、PLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | PLZ24 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 19 v | 24 v | 35オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | TZMB3V3-GS08 | 0.3100 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMB3V3 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3.3 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST280CH04C1 | 76.2842 | ![]() | 3627 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C | シャーシマウント | TO-200AB、a-puk | ST280 | TO-200AB、a-puk | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSST280CH04C1 | ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 Ma | 400 V | 960 a | 3 v | 6000a 、6300a | 150 Ma | 1.35 v | 500 a | 75 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||
![]() | VS-70HFL40S05 | 11.6125 | ![]() | 2052 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 70HFL40 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.85 V @ 219.8 a | 500 ns | 100 µA @ 400 V | -40°C〜125°C | 70a | - | ||||||||||||||||||||
AZ23B9V1-E3-18 | 0.0509 | ![]() | 2243 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B9V1 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||
VS-18TQ035-N3 | - | ![]() | 1875年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | 18tq035 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS18TQ035N3 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 35 v | 600 mV @ 18 a | 2.5 mA @ 35 v | -55°C〜175°C | 18a | 1400pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | VSKH250-12 | - | ![]() | 6787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | VSKH250 | -scr/ダイオード | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 Ma | 1.2 kv | 555 a | 3 v | 8500a 、8900a | 200 ma | 250 a | 1 scr、1ダイオード | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST110S04P1VPBF | 63.9532 | ![]() | 4687 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシ、スタッドマウント | TO-209AC | ST110 | TO-209AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSST110S04P1VPBF | ear99 | 8541.30.0080 | 25 | 600 Ma | 400 V | 175 a | 3 v | 2270a 、2380a | 150 Ma | 1.52 v | 110 a | 20 ma | 標準回復 | |||||||||||||||||
![]() | VS-2N685 | 9.1132 | ![]() | 6949 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜125°C | シャーシ、スタッドマウント | to-208aa、to-48-3 | 2N685 | to-208aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 100 | 20 ma | 200 v | 25 a | 2 v | 145a 、150a | 40 Ma | 2 v | 16 a | 6 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-82RIA120 | 37.5632 | ![]() | 1335 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシ、スタッドマウント | TO-209AC | 82RIA120 | TO-209AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 25 | 200 ma | 1.2 kv | 125 a | 2.5 v | 1900a 、1990a | 120 Ma | 1.6 v | 80 a | 15 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||||
![]() | VSKL250-14 | - | ![]() | 4378 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | VSKL250 | -scr/ダイオード | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 Ma | 1.4 kV | 555 a | 3 v | 8500a 、8900a | 200 ma | 250 a | 1 scr、1ダイオード | ||||||||||||||||||||
![]() | ZMM5247B-7 | - | ![]() | 6757 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 13 V | 17 v | 19オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-25TTS12SPBF | - | ![]() | 2281 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜125°C | 表面マウント | TO-263-3 | 25TTS12 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 150 Ma | 1.2 kv | 25 a | 2 v | 350A @ 50Hz | 45 Ma | 1.25 v | 16 a | 500 µA | 標準回復 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-ST173C10CFK1 | 79.4175 | ![]() | 7176 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜125°C | シャーシマウント | TO-200AB、a-puk | ST173 | TO-200AB、a-puk | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSST173C10CFK1 | ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 Ma | 1 kV | 610 a | 3 v | 3940a 、4120a | 200 ma | 2.07 v | 330 a | 40 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||
![]() | 30EPH03 | - | ![]() | 7700 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-2 | 30EPH03 | 標準 | TO-247AC修正 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 30 a | 55 ns | 60 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | plz2v7b-g3/h | 0.2800 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | plz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3.93% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-219AC | plz2v7 | 960 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.8 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||||
![]() | rs2ghe3_a/h | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | rs2g | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1.5 a | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | MUH1PD-M3/89A | 0.3900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | MicroSMP | MUH1 | 標準 | microSMP (DO-219AD) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.05 V @ 1 a | 40 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||
VS-16FR100 | 8.2100 | ![]() | 5302 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 16FR100 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.23 V @ 50 a | 12 mA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 16a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZG05B10-M3-18 | 0.1980 | ![]() | 2007年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B10 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 7 V | 10 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||
DZ23C11-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 5878 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | DZ23-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通カソード | 100 Na @ 8.5 v | 11 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-T110HF60 | 36.7300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-55 Tモジュール | T110 | 標準 | D-55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 600 V | 20 mA @ 600 v | 110a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | UH1C-E3/61T | - | ![]() | 5423 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | uh1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.05 V @ 1 a | 30 ns | 1 µA @ 150 V | -55°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | vss8d3m6hm3/h | 0.4300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | S8D3 | ショットキー | Slimsmaw | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 490 mV @ 1.5 a | 300 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | 2.5a | 500pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST083S12MFK0L | - | ![]() | 7489 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシ、スタッドマウント | TO-209AC | ST083 | TO-209AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSST083S12MFK0L | ear99 | 8541.30.0080 | 25 | 600 Ma | 1.2 kv | 135 a | 3 v | 2060a 、2160a | 200 ma | 2.15 v | 85 a | 30 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||
![]() | IRKT41/12a | - | ![]() | 9633 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | add-a-pak(3 + 4) | IRKT41 | -scr/ダイオード | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 ma | 1.2 kv | 100 a | 2.5 v | 850a 、890a | 150 Ma | 45 a | 1 scr、1ダイオード | ||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5251C-G3-08 | 0.0483 | ![]() | 1023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5251 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29オーム | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-S1054 | - | ![]() | 3890 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | S1054 | - | 112-VS-S1054 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-72HF120M | 21.2611 | ![]() | 5977 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 72HF120 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS72HF120M | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.35 V @ 220 a | -65°C〜180°C | 70a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | BZG05B6V2-M3-18 | 0.1980 | ![]() | 9999 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.94% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B6V2 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | 4オーム |
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