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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -非担当者サージ50、60Hz	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
20ETF04	-	RFQ	4491	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	20ETF04	標準			TO-220AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns			400 V		1.3 V @ 20 a	160 ns	100 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	20a	-
VS-15CTQ035PBF	-	RFQ	9006	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	15CTQ035	ショットキー			TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	35 v	7.5a	550 mV @ 7.5 a		800 µA @ 35 V	-55°C〜150°C
byg10jhm3_a/i	0.1551	RFQ	7309	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg10	雪崩			do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		標準回復> 500ns			600 V		1.15 V @ 1.5 a	4 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
GL41BHE3/96	0.4800	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	GL41	標準			DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		標準回復> 500ns			100 V		1.1 V @ 1 a		10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
VS-71HFR40	9.2057	RFQ	6867	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	71HFR40	標準、逆極性			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns			400 V		1.35 V @ 220 a		15 mA @ 400 v	-65°C〜150°C	70a	-
VS-87HF120	8.7081	RFQ	1698	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	87HF120	標準			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS87HF120	ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns			1200 v		1.2 V @ 267 a			-65°C〜180°C	85a	-
gdz5v1b-e3-18	0.0360	RFQ	7229	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ5V1		200 MW		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000									2 µA @ 1 V					5.1 v	80オーム
BZX384B3V9-HE3-08	0.0378	RFQ	2148	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B3V9		200 MW		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000									3 µA @ 1 V					3.9 v	90オーム
8AF1RPP	-	RFQ	7225	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	B-47	8AF1	標準			B-47	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*8AF1RPP	ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns			100 V				7 ma @ 100 v	-65°C〜195°C	50a	-
VS-STPS20L15GR-M3	0.6448	RFQ	9758	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	STPS20	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns			15 V		520 mV @ 40 a		10 ma @ 15 v	-55°C〜125°C	20a	2000pf @ 5V、1MHz
SE70PJ-M3/86A	0.8900	RFQ	6045	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SE70	標準			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		標準回復> 500ns			600 V		1.05 V @ 7 a	2.6 µs	20 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	2.9a	76pf @ 4V、1MHz
uh4pdchm3/86a	-	RFQ	8118	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	uh4	標準			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	200 v	2a	1.05 V @ 2 a	25 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C
V2FM15HM3/i	0.0842	RFQ	8588	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	V2FM15	ショットキー			do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns			150 v		1.46 V @ 2 a		50 µA @ 150 v	-40°C〜175°C	2a	90pf @ 4V、1MHz
vs-vskv26/14	38.0270	RFQ	7962	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 4）	VSKv26			-		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKV2614	ear99	8541.30.0080	10			-										-
VS-70HF140M	16.7658	RFQ	5582	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	70HF140	標準			do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS70HF140M	ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns			1400 v		1.46 V @ 220 a			-65°C〜150°C	70a	-
BAS70-04-G3-18	0.0629	RFQ	1356	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAS70	ショットキー			SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		1ペアシリーズ接続	70 v	200MA （DC）	1 V @ 15 mA	5 ns	100 Na @ 50 V	125°C （最大）
1N3290	-	RFQ	4186	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	DO-205AA	1N3290	標準			do-205aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*1N3290	ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns			300 V		1.5 V @ 100 a		24 mA @ 300 v	-40°C〜200°C	100a	-
VLZ12C-GS08	-	RFQ	2997	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ12		500 MW		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500							1.5 V @ 200 mA		40 Na @ 11.2 v					12 v	12オーム
VSSAF56-M3/6A	0.4200	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®、Slimsma™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SAF56	ショットキー			DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns			60 V		620 mV @ 5 a		400 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	5a	540pf @ 4V、1MHz
SS26S-M3/5AT	0.0749	RFQ	9888	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS26	ショットキー			do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns			60 V		750 mV @ 2 a		200 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	2a	-
1N5402-E3/51	-	RFQ	8495	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	1N5402	標準			DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		標準回復> 500ns			200 v		1.2 V @ 3 a		5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	3a	30pf @ 4V、1MHz
P600G-E3/73	0.9000	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	P600 、軸	P600	標準			P600	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	300		標準回復> 500ns			400 V		900 mV @ 6 a	2.5 µs	5 µA @ 400 V	-50°C〜150°C	6a	150pf @ 4V、1MHz
ES3FHE3_A/H	0.3392	RFQ	4319	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	ES3F	標準			do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns			300 V		1.1 V @ 3 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	3a	30pf @ 4V、1MHz
DZ23C47-E3-18	0.0415	RFQ	9933	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通カソード								100 Na @ 35 V					47 v	100オーム
VS-12TQ045-M3	1.1600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	12TQ045	ショットキー			TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns			45 v		710 mv @ 30 a		1.75 mA @ 45 v	-55°C〜150°C	15a	900pf @ 5V、1MHz
VS-1N3892	-	RFQ	5337	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N3892	標準			do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns			300 V		1.4 V @ 12 a	300 ns	25 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	12a	-
es1che3_a/h	0.3900	RFQ	46	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	ES1	標準			do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns			150 v		920 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
EGP30AHE3/54	-	RFQ	7060	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-201AA	EGP30	標準			GP20	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		高速回復= <500ns			50 v		950 mv @ 3 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	3a	-
VS-10BQ060TRPBF	-	RFQ	2248	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	10BQ060	ショットキー			do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns			60 V		600 mV @ 1 a		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	-
rs2dhe3_a/h	0.1650	RFQ	7952	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	RS2D	標準			do-214aa	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns			200 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1.5a	20pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²