画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | 構造 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在-hold(ihmax) | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | scr の数、ダイオード | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SD101A-TR | 0.3700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | SD101 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 60 V | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | 125°C (最大) | 30ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB1660-E3/81 | 1.4600 | ![]() | 377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB1660 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 16 a | 1 MA @ 60 v | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-6CWQ10FNTR-M3 | 0.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 6cwq10 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 3.5a | 810 mv @ 3 a | 1 MA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | byw74tr | 0.5346 | ![]() | 5967 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | byw74 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.1 V @ 3 a | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSKC250-12PBF | 175.6450 | ![]() | 5456 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | int-a-pak | VSKC250 | 標準 | int-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKC25012PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 125a | 50 mA @ 1200 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-1N1184R | - | ![]() | 8371 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N1184 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.7 V @ 110 a | 10 ma @ 100 v | -65°C〜190°C | 35a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VSKE320-20 | - | ![]() | 2310 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | vske320 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 2000 v | 50 mA @ 2000 v | 320A | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLZ4V7A-GS18 | 0.0335 | ![]() | 5324 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ4v7 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.7 v | 25オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GP15JHE3/73 | - | ![]() | 6472 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | GP15 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1.5 a | 3.5 µs | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1.5a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-16FR120 | 8.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 16FR120 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.23 V @ 50 a | 12 mA @ 1200 v | -65°C〜175°C | 16a | - | ||||||||||||||||||||||||
P300J-E3/54 | 0.4700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | P300 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.2 V @ 3 a | 2 µs | 5 µA @ 600 v | -50°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 20ets12fp | - | ![]() | 5289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 20ets12 | 標準 | TO-220ACフルパック | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.1 V @ 20 a | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BYT53B-TAP | 0.2772 | ![]() | 7016 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BYT53 | 雪崩 | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 1.9a | - | |||||||||||||||||||||||
MBR7H60HE3/45 | - | ![]() | 3526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | MBR7 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 730 mv @ 7.5 a | 50 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | 7.5a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST303C10LFJ0 | 216.4733 | ![]() | 8107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜125°C | シャーシマウント | TO-200AB、E-PUK | ST303 | TO-200AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 Ma | 1 kV | 995 a | 3 v | 7950A 、8320A | 200 ma | 2.16 v | 515 a | 50 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF15H45CT-E3/45 | - | ![]() | 5477 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF15 | ショットキー | ITO-220AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 7.5a | 630 mv @ 7.5 a | 50 µA @ 45 v | -65°C〜175°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S2M-M3/52T | 0.0888 | ![]() | 8661 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S2M | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 1.5 a | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 16pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB20100CT | - | ![]() | 4464 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB20 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRKH142/12 | - | ![]() | 7080 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | シャーシマウント | int-a-pak(3 + 2) | IRKH142 | -scr/ダイオード | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 200 ma | 1.2 kv | 310 a | 2.5 v | 4500a 、4712a | 150 Ma | 140 a | 1 scr、1ダイオード | |||||||||||||||||||||||
![]() | RS1J-M3/61T | 0.0577 | ![]() | 7458 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | RS1J | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 7pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST700C16L1 | 149.7367 | ![]() | 4144 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシマウント | TO-200AC 、B-PUK | ST700 | TO-200AC 、B-PUK | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSST700C16L1 | ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 600 Ma | 1.6 kV | 1857 a | 3 v | 13200a、13800a | 200 ma | 1.8 v | 910 a | 80 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST230C20C1 | 86.8958 | ![]() | 6276 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | シャーシマウント | TO-200AB、a-puk | ST230 | TO-200AB、a-puk | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSST230C20C1 | ear99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 Ma | 2 kV | 780 a | 3 v | 4800a 、5000a | 150 Ma | 1.69 v | 410 a | 30 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||||||
![]() | ugb18bcthe3_a/p | - | ![]() | 2900 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UGB18 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 18a | 1.1 V @ 9 a | 30 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||
![]() | VSD3913 | - | ![]() | 8197 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | VSD3913 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 30a | - | |||||||||||||||||||||||||||
GSIB6A60N-M3/45 | - | ![]() | 9036 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gsib-5s | GSIB6 | 標準 | GSIB-5S | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 1 V @ 3 a | 10 µA @ 600 V | 15 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6480-E3/96 | 0.4500 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | 1N6480 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-12CWQ10FNTRL-M3 | 0.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 12CWQ10 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 6a | 950 mv @ 12 a | 1 MA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VBT4045C-M3/4W | 1.6536 | ![]() | 4084 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VBT4045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 20a | 580 mV @ 20 a | 3 MA @ 45 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VBT1045C-E3/8W | 0.6001 | ![]() | 4681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VBT1045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 5a | 580 mV @ 5 a | 500 µA @ 45 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4005GPEHE3/53 | - | ![]() | 9037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4005 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz |
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