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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
RS1J-M3/61T	0.0577	RFQ	7458	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	RS1J	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns												600 V		1.3 V @ 1 a	250 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1a	7pf @ 4V、1MHz
VS-ST700C16L1	149.7367	RFQ	4144	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	TO-200AC 、B-PUK	ST700			TO-200AC 、B-PUK	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST700C16L1	ear99	8541.30.0080	3		600 Ma	1.6 kV	1857 a	3 v	13200a、13800a	200 ma	1.8 v	910 a	80 Ma	標準回復
VS-ST230C20C1	86.8958	RFQ	6276	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	TO-200AB、a-puk	ST230			TO-200AB、a-puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSST230C20C1	ear99	8541.30.0080	12		600 Ma	2 kV	780 a	3 v	4800a 、5000a	150 Ma	1.69 v	410 a	30 Ma	標準回復
ugb18bcthe3_a/p	-	RFQ	2900	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB18	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	100 V	18a	1.1 V @ 9 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
VSD3913	-	RFQ	8197	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	VSD3913	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns												400 V						30a	-
GSIB6A60N-M3/45	-	RFQ	9036	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	GSIB6	標準		GSIB-5S	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200															1 V @ 3 a		10 µA @ 600 V		15 a		単相	600 V
1N6480-E3/96	0.4500	RFQ	48	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N6480	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns												200 v		1.1 V @ 1 a		10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
VS-12CWQ10FNTRL-M3	0.9700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	12CWQ10	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	100 V	6a	950 mv @ 12 a		1 MA @ 100 V	150°C （最大）
VBT4045C-M3/4W	1.6536	RFQ	4084	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT4045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	45 v	20a	580 mV @ 20 a		3 MA @ 45 v	-40°C〜150°C
VBT1045C-E3/8W	0.6001	RFQ	4681	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT1045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	45 v	5a	580 mV @ 5 a		500 µA @ 45 V	-40°C〜150°C
1N4005GPEHE3/53	-	RFQ	9037	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4005	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns												600 V		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
ES1PC-M3/85A	0.1594	RFQ	8289	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	ES1	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns												150 v		920 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
vs-murb820-1pbf	-	RFQ	3538	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	To-262-3 Long Leads	murb820	標準		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsmurb8201pbf	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns												200 v		975 mV @ 8 a	20 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-
V3F6HM3/h	0.4400	RFQ	141	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	V3F6	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns												60 V		620 mv @ 3 a		600 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	3a	310pf @ 4V、1MHz
VS-VS24EDR16L	-	RFQ	7249	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					VS24				-				112-VS-VS24EDR16L			1
ugb18ccthe3_a/p	-	RFQ	6859	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB18	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	150 v	18a	1.1 V @ 9 a	30 ns	10 µA @ 150 v	-65°C〜150°C
UG06C-E3/54	-	RFQ	7987	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	mpg06 、軸	UG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns												150 v		950 mV @ 600 Ma	25 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	600MA	9pf @ 4V、1MHz
VS-MBR2045CT-N3	-	RFQ	5879	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR20	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-MBR2045CT-N3GI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	45 v	10a	840 mV @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
BZX84B12-G3-18	0.0389	RFQ	8926	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B12		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																	100 Na @ 8 V						12 v	25オーム
BY448GP-E3/73	0.9100	RFQ	970	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	BY448	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	標準回復> 500ns												1650 v		1.6 V @ 3 a	20 µs	5 µA @ 1650 v	-65°C〜175°C	1.5a	-
HFA320NJ40D	-	RFQ	4134	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB分離タブ	HFA320	標準		to-244ab （分離）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*HFA320NJ40D	ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns											1ペアシリーズ接続	400 V	321a dc）	1.55 V @ 320 a	140 ns	12 µA @ 400 v
BZX55B51-TAP	0.2200	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B51		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 39 v						51 v	125オーム
BZT55B13-GS18	0.0433	RFQ	3265	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55B13		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000															1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 10 V						13 v	26オーム
VS-16TTS12STRL-M3	2.1400	RFQ	9897	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-40°C〜125°C	表面マウント	TO-263-3	16TTS12			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	800		150 Ma	1.2 kv	16 a	2 v	200A @ 50Hz	60 Ma	1.4 v	10 a	10 Ma	標準回復
VS-SD600R04PC	131.1883	RFQ	8706	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	B-8	SD600	標準		B-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6	標準回復> 500ns												400 V		1.31 V @ 1500 a		35 mA @ 400 v	-40°C〜180°C	600a	-
BZT52C16-E3-08	0.2700	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C16		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																	100 na @ 12 v						16 v	13オーム
1N5627-TAP	1.0900	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	1N5627	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	標準回復> 500ns												800 V		1 V @ 3 a	7.5 µs	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
VS-MBRS130LTRPBF	-	RFQ	5140	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	MBRS1	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns												30 V		420 mv @ 1 a		1 mA @ 30 v	-55°C〜125°C	1a	-
SF5402-TR	0.5544	RFQ	6305	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	SF5402	標準		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12,500	高速回復= <500ns												200 v		1.1 V @ 3 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	3a	-
MMSZ5262C-E3-08	0.0433	RFQ	3744	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5262		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000																	100 Na @ 39 v						51 v	125オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²