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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SS26she3_a/i	-	RFQ	5943	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS26	ショットキー			do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns												60 V		750 mV @ 2 a		200 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	2a	-
MMBZ5252C-E3-18	-	RFQ	1444	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5252		225 MW		SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																		100 Na @ 18 V					24 v	33オーム
MMSZ5239B-HE3-18	0.0378	RFQ	8539	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5239		500 MW		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																		3 µA @ 7 V					9.1 v	10オーム
SMPZ3929B-E3/84A	-	RFQ	6843	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	SMPZ39		500 MW		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 11.4 v					15 V	9オーム
TZMC10GS08	0.2300	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC10		500 MW		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500																1.5 V @ 200 mA		100 na @ 7.5 v					10 v	15オーム
SBLB1030CTHE3/45	-	RFQ	9951	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	SBLB1030	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	30 V	5a	550 mv @ 5 a		500 µA @ 30 V	-40°C〜125°C
VS-HFA08TB120STRRP	-	RFQ	1379	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	HFA08	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	1200 v	8a（dc）	3.3 V @ 8 a	95 ns	10 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C
VS-16CTU04S-M3	1.2600	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	16CTU04	標準			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	400 V	8a	1.3 V @ 8 a	60 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C
VS-8ETL06-1PBF	-	RFQ	2749	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	To-262-3 Long Leads	8etl06	標準			TO-262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns												600 V		1.05 V @ 8 a	250 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	8a	-
RMPG06JHE3/54	-	RFQ	8167	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	mpg06 、軸	RMPG06	標準			MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		高速回復= <500ns												600 V		1.3 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1a	6.6pf @ 4V、1MHz
VB20M120CHM3/i	-	RFQ	2285	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	VB20M	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	120 v	10a	910 mv @ 10 a		700 µA @ 120 V	-40°C〜150°C
VS-VSUD505CW60	54.6000	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	箱	アクティブ			シャーシマウント	TO-244AB		標準			TO-244	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-VSUD505CW60	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	600 V	572a	1.355 V @ 250 a	179 ns	820 µA @ 600 v	-40°C〜175°C
1N5393-E3/73	0.2700	RFQ	27	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5393	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns												200 v		1.4 V @ 1.5 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	1.5a	15pf @ 4V、1MHz
ESH2PBHE3/85A	-	RFQ	1265	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	ESH2	標準			DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns												100 V		980 mV @ 2 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	2a	25pf @ 4V、1MHz
ES2AHE3_a/i	0.1947	RFQ	1245	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	ES2A	標準			do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		高速回復= <500ns												50 v		900 mV @ 2 a	20 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2a	18pf @ 4V、1MHz
VS-VSKV105/16	45.7340	RFQ	7507	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜130°C （TJ	シャーシマウント	add-a-pak（3 + 4）	VSKV105			一般的なアノード -すべてのscr		ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKV10516	ear99	8541.30.0080	10			250 Ma	1.6 kV	165 a	2.5 v	2000a 、2094a	150 Ma		105 a												2 SCRS
AZ23B11-HE3_A-08	-	RFQ	7211	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW		SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23B11-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード																	100 Na @ 8 V					11 v	20オーム
VS-16TTS16STRL-M3	1.3094	RFQ	9402	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-40°C〜125°C	表面マウント	TO-263-3	16TTS16				TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	800			150 Ma	1.6 kV	16 a	2 v	200A @ 50Hz	60 Ma	1.4 v	10 a	10 Ma	標準回復
VS-3ECH02-M3/9AT	0.2026	RFQ	2656	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	3ech02	標準			do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		標準回復> 500ns												200 v		900 mV @ 3 a		2 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	3a	-
GL41B-E3/96	0.4500	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	GL41	標準			DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		標準回復> 500ns												100 V		1.1 V @ 1 a		10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
1N5247C-TAP	0.0288	RFQ	2939	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5247		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000																1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 13 V					17 v	19オーム
RGL41A-E3/96	0.4600	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	RGL41	標準			DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns												50 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
VS-6CSH02-M3/87A	0.2701	RFQ	6026	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	6CSH02	標準			TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	200 v	3a	940 mV @ 3 a	25 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜175°C
GI250-4-M3/73	-	RFQ	1270	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	テープ＆ボックス（ TB）	廃止					GI250					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000
1N4007/54	-	RFQ	9552	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4007	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns												1000 V		1.1 V @ 1 a		5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
GF1DHE3/5CA	-	RFQ	1296	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214BA	GF1	標準			do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		標準回復> 500ns												200 v		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
S1PAHE3/84A	-	RFQ	7729	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	S1P	標準			DO-220AA	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns												50 v		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	-
GP10JE-E3/54	0.1840	RFQ	4865	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準			do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns												600 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
VS-MBRD650CTPBF	-	RFQ	2746	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	to-252-3	MBRD6	ショットキー			d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	50 v	3a	650 mv @ 3 a		100 µA @ 50 V	-40°C〜150°C
sblb1640cthe3_a/p	-	RFQ	6465	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	SBLB1640	ショットキー			TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	sblb1640cthe3_b/p	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	40 v	8a	550 mv @ 8 a		500 µA @ 40 V	-40°C〜125°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²