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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	構造	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在-hold（ihmax）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	scr の数、ダイオード	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MBRF1045HE3/45	-	RFQ	7337	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF104	ショットキー				ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	MBRF1045HE3_A/P	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns												45 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	10a	-
VS-16TTS08STRRPBF	-	RFQ	1912年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		-40°C〜125°C	表面マウント	TO-263-3	16TTS08					TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	800			150 Ma	800 V	16 a	2 v	170a @ 50Hz	60 Ma	1.4 v	10 a	10 Ma	標準回復
BZX84C9V1-HE3_A-08	0.0498	RFQ	3091	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW			SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84C9V1-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000																		500 NA @ 6 V											9.1 v	15オーム
VS-GB150YG120NT	-	RFQ	7460	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	GB150		892 w		標準	econo3 4pack	-					ear99	8541.29.0095	10	フルブリッジ																						npt	1200 v	182 a	4V @ 15V 、200A	120 µA	はい
MURS360SHE3/52T	-	RFQ	7232	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AA、SMB	MURS360	標準				do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns												600 V		1.45 V @ 3 a	75 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1.5a	-
1N5227B-TAP	0.2300	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5227		500 MW			do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																1.1 V @ 200 mA		15 µA @ 1 V											3.6 v	24オーム
MBRF1045HE3_A/P	0.7095	RFQ	6513	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF104	ショットキー				ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-MBRF1045HE3_A/P	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns												45 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	10a	-
MMSZ5253C-E3-08	0.3200	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5253		500 MW			SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																		100 na @ 19 v											25 v	35オーム
BZX84B30-G3-18	0.0389	RFQ	5175	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B30		300 MW			SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000																		50 Na @ 21 V											30 V	80オーム
VS-16FR120	8.3700	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	16FR120	標準、逆極性				do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns												1200 v		1.23 V @ 50 a		12 mA @ 1200 v	-65°C〜175°C	16a	-
30BQ040TR	-	RFQ	5078	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	30BQ040	ショットキー				do-214ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns												40 v		530 mv @ 3 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	-
UG2C-E3/73	-	RFQ	1477	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	UG2	標準				DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns												150 v		950 mv @ 2 a	25 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	2a	-
VS-T90RIA100	40.8300	RFQ	8837	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	D-55 Tモジュール	T90			シングル			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10			200 ma	1 kV	141 a	2.5 v	1780a、1870a	120 Ma		90 a												1 SCR
RS2G-E3/5BT	0.4200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	rs2g	標準				do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		高速回復= <500ns												400 V		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	20pf @ 4V、1MHz
VSKD600-12	-	RFQ	7436	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKD600	標準				Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1		標準回復> 500ns											1ペアシリーズ接続	1200 v	600a	1.24 V @ 1800 a		50 mA @ 1200 v
v8p8hm3_a/h	0.6800	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	v8p8	ショットキー				TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns												80 v		660 mV @ 8 a		700 µA @ 80 V	-40°C〜150°C	8a	-
VS-25TTS12FPPBF	-	RFQ	9599	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-40°C〜125°C	穴を通して	TO-220-3フルパック	25TTS12					TO-220フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	50			100 Ma	1.2 kv	25 a	2 v	350A @ 50Hz	45 Ma	1.25 v	16 a	500 µA	標準回復
VSKD250-08	-	RFQ	4607	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKD250	標準				Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns											1ペアシリーズ接続	800 V	250a			50 mA @ 800 v
VS-P122	35.6080	RFQ	2896	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	8ペースパック	P122			ブリッジ、単相 -scrs/ダイオード（レイアウト 3）			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	10			130 Ma	600 V		2 v	357a、375a	60 Ma														2つのscr 、2ダイオード
1N4948GP/1	-	RFQ	1582	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4948	標準				do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない	1N4948	ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns												1000 V		1.3 V @ 1 a	500 ns	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
UF5405-E3/73	-	RFQ	8296	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	UF5405	標準				DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns												500 V		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	3a	36pf @ 4V、1MHz
VS-HFA08SD60SPBF	-	RFQ	2095	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止			表面マウント	to-252-3	HFA08	標準				d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75		高速回復= <500ns												600 V		1.7 V @ 8 a	55 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	8a	-
VSD3913	-	RFQ	8197	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	VSD3913	標準				do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns												400 V						30a	-
VS-MBRS130LTRPBF	-	RFQ	5140	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	MBRS1	ショットキー				do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns												30 V		420 mv @ 1 a		1 mA @ 30 v	-55°C〜125°C	1a	-
VS-VSUD505CW60	54.6000	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	箱	アクティブ			シャーシマウント	TO-244AB		標準				TO-244	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-VSUD505CW60	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	600 V	572a	1.355 V @ 250 a	179 ns	820 µA @ 600 v	-40°C〜175°C
VS-MURB820TRL-M3	0.8500	RFQ	525	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	murb820	標準				TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns												200 v		975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-
vs-mur820pbf	-	RFQ	2550	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	MUR820	標準、逆極性				TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns												200 v		975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-
VS-MBRB30CTLPBF	-	RFQ	8205	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB30	ショットキー				TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsmbrb3030ctlpbf	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns											1ペア共通カソード	30 V	15a	470 mV @ 15 a		2 mA @ 30 v	-55°C〜150°C
VS-249NQ150PBF	44.6200	RFQ	6445	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	D-67ハーフパック	249NQ150	ショットキー				D-67ハーフパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS249NQ150PBF	ear99	8541.10.0080	20		高速回復= <500ns												150 v		1.21 V @ 240 a		6 MA @ 150 v	-55°C〜175°C	240a	6000pf @ 5V、1MHz
VS-150KR10A	28.5996	RFQ	3221	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			シャーシ、スタッドマウント	DO-205AA	150kr10	標準、逆極性				do-205aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25		標準回復> 500ns												100 V		1.33 V @ 471 a		35 mA @ 100 V	-40°C〜200°C	150a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²