画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy7C1354SV25-166AXCT | - | ![]() | 4671 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1354 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP(14x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 166 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | M25PX80-VMP6G | - | ![]() | 7561 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25PX80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VFQFPN (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||||
![]() | 7133SA35J | - | ![]() | 8011 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 7133SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 揮発性 | 32kbit | 35 ns | sram | 2k x 16 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | MT41K1G4DA-107:P Tr | - | ![]() | 6532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT41K1G4DA-107:PTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 4 | 平行 | - | ||
![]() | AT25SF641B-SHB-B | 0.7773 | ![]() | 6537 | 0.00000000 | Renesas Electronics Operations Services Limited | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1695-AT25SF641B-SHB-B | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs 、30ms | ||||||
![]() | SST39LF400A-55-4C-B3KE | 2.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFBGA | SST39LF400 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 256k x 16 | 平行 | 20µs | ||||
![]() | AT21CS01-SSHM17-T | - | ![]() | 7652 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT21CS01 | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 125 kbps | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | i²c、単一ワイヤ | 5ms | ||||
![]() | AT24CS02-MAHM-E | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT24CS02 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 15,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 2kbit | 550 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
70T3319S133BF | 214.2776 | ![]() | 4809 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 208-LFBGA | 70T3319 | sram- デュアルポート、同期 | 2.4V〜2.6V | 208-CABGA (15x15 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||||
S25FL256LDPBHV023 | 5.3200 | ![]() | 8841 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||||
MT48H4M16LFB4-10 | - | ![]() | 7031 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 104 MHz | 揮発性 | 64mbit | 7 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | TC58NVG2S0HTAI0 | - | ![]() | 8751 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | TC58NVG2 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | AT45DB081D-SU | - | ![]() | 1433 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT45DB081 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 66 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 264バイトx 4096ページ | spi | 4ms | ||||||
DS1249Y-100# | 65.7200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 32-dipモジュール(0.600 "、15.24mm) | DS1249Y | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 32-EDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | DS1249Y100 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 不揮発性 | 2mbit | 100 ns | nvsram | 256k x 8 | 平行 | 100ns | ||||
![]() | GD25LQ32EEAGR | 1.2636 | ![]() | 3670 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON | - | 1970-GD25LQ32EEAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | ||||||||
![]() | 43RCLNA1116-1 | - | ![]() | 7862 | 0.00000000 | IBM | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Cy7C109BN-20VC | - | ![]() | 9852 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C109 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 20 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | AS4C256M8D3-12BINTR | - | ![]() | 4137 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||
S29GL01GS11DHA023 | 16.2400 | ![]() | 8765 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,200 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 128m x 8 | CFI | 60ns | ||||||
![]() | cyatb108ld-zs45xi | - | ![]() | 5387 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 不揮発性 | 8mbit | 45 ns | nvsram | 1m x 8 | 平行 | 45ns | |||||
![]() | w63ah6nbvabe tr | 4.1409 | ![]() | 6845 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 178-VFBGA | W63AH6 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 178-VFBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W63AH6NBVABETR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5.5 ns | ドラム | 64m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | ASA5520-MEM-2GB-C | 55.0000 | ![]() | 5707 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-ASA5520-MEM-2GB-C | ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy62147EV30LL-45ZSXA | 7.4400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy62147 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 41 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 45ns | 確認されていません | |||||
![]() | Cy7C024-15AXC | - | ![]() | 7424 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C024 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 64kbit | 15 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 15ns | 確認されていません | |||||
![]() | CY15V104QSN-108BFXI | 19.2125 | ![]() | 2108 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 448-CY15V104QSN-108BFXI | 4,900 | |||||||||||||||||||
![]() | N25Q128A13B1241F TR | - | ![]() | 5344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、5ms | ||||
25AA160A-I/ST | 0.8400 | ![]() | 9606 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 25AA160 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 25AA160A-I/ST-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | NM93C56M8 | - | ![]() | 7759 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C56 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 95 | 1 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 128 x 16 | マイクロワイヤ | 10ms | ||||
![]() | CY14B104N-ZS45XC | - | ![]() | 4684 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy14B104 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 不揮発性 | 4mbit | 45 ns | nvsram | 256k x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | MX29GL512GLT2I-10G | 7.3590 | ![]() | 2460 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29GL | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MX29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 100ns |
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