画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS4C64M8D1-5TIN | 4.4414 | ![]() | 8738 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C64 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | Cy7C1061GN30-10BVJXI | 34.0725 | ![]() | 2933 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy7C1061 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4,800 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | IS45S16160G-7CTLA1-TR | 5.8156 | ![]() | 5788 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | 5962-8700219UA | - | ![]() | 2449 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | -55°C〜125°C | 表面マウント | 48-lcc | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48-lcc( 14.22x14.22) | - | 800-5962-8700219UA | 1 | 揮発性 | 16kbit | 25 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 25ns | |||||||||
![]() | S25HL512TFANHI010 | 12.1400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | HL-T | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25HL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | 42 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | 確認されていません | ||||||||
![]() | CY15B064Q-SXE | - | ![]() | 6734 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CY15B064 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2832-CY15B064Q-SXE | 1 | 16 MHz | 不揮発性 | 64kbit | フラム | 8k x 8 | spi | - | 確認されていません | |||||
![]() | SM662GEBベスト | 17.8500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GEBBEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||||
![]() | MX25L2006EZUI-12G | 0.5500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX05/06/08 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | MX25L2006 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 12,000 | 86 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 50µs、3ms | ||||
W9751G8NB-25 | 2.8500 | ![]() | 7720 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-VFBGA | W9751G8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-VFBGA (8x9.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9751G8NB-25 | ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | STK14CA8-RF45TR | - | ![]() | 2434 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) | STK14CA8 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 1mbit | 45 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | R1Q2A7236ABG-50IA1 | 35.5800 | ![]() | 315 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | Cy27C256A-70WC | 2.6400 | ![]() | 3499 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 28-CDIP (0.600 "、15.24mm )ウィンドウ | Cy27C256 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | 28-cerdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 不揮発性 | 256kbit | 70 ns | eprom | 32k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | 24FC04HT-I/MS | 0.3450 | ![]() | 2119 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24FC04 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 450 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | |||
S26KS512SDPBHB020 | - | ![]() | 2943 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™KS | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | S26KS512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | 1 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||||
![]() | 71V2546S150PFG | 7.6600 | ![]() | 612 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71v2546 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||||||
![]() | mtfc16gkqdi-it | - | ![]() | 7209 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | - | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | 70V9169L6PF8 | - | ![]() | 6799 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9169 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 144kbit | 6.5 ns | sram | 16k x 9 | 平行 | - | ||||
![]() | 7106548-C | 111.2500 | ![]() | 5408 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-7106548-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | AS6C8016B-55zin | 7.3900 | ![]() | 132 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS6C8016B-55zin | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 55 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | LE25FU206AMB-TLM-H-SA | 0.3400 | ![]() | 48 | 0.00000000 | sanyo | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||
w25q80ewzpag | - | ![]() | 6798 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80EWZPAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs 、800µs | |||||
![]() | Cy7C245-35LMB | 22.3000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | Cy7C245 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 16kbit | 35 ns | eprom | 2k x 8 | 平行 | - | |||||||
![]() | Cy62138FV30LL-45ZSXIT | - | ![]() | 5119 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy62138 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 45 ns | sram | 256k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | Cy7C1021L-15ZC | 3.6400 | ![]() | 612 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1021 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MT55L512L18FF-11 | 8.9300 | ![]() | 1825年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | MT55L512L | sram- zbt | 3.135V〜3.465V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | 揮発性 | 8mbit | 8.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
![]() | 25LC128-E/MF | 1.6800 | ![]() | 9072 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | 25LC128 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-dfn-s(6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 10 MHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | M29F400FB5AM6F2 TR | - | ![]() | 7513 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | Cy7C1356S-166BGC | - | ![]() | 5058 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1356 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
EM004LXQBDH13CS1T | 15.2500 | ![]() | 1233 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | ミスター(磁気抵抗ラム) | 1.65V〜2V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 819-EM004LXQBDH13CS1T | 570 | 200 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 7 ns | ラム | 512k x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||
![]() | 7130SA100PF | - | ![]() | 3029 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 7130SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 8kbit | 100 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 100ns |
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