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メモリ（648）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
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71v256S12yg	0.8000	RFQ	2	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	チューブ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	71v256	sram-非同期	3V〜3.6V	28-SOJ	-	適用できない				3A991B2B	8542.32.0041	27		揮発性	256kbit	12 ns	sram	32k x 8	平行	12ns
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71v416yl10phgi	2.0100	RFQ	5294	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	71v416y	sram-非同期	3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	適用できない				3A991B2A	8542.32.0041	26		揮発性	4mbit	10 ns	sram	256k x 16	平行	10ns
71V416VS15BEGI	-	RFQ	5614	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	71V416V	sram-非同期	3V〜3.6V	48-cabga （9x9）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4mbit	15 ns	sram	256k x 16	平行	15ns
71V3557S80PFGI	9.4300	RFQ	140	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	71V3557	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード					3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4.5mbit	8 ns	sram	128k x 36	平行	-
71V65602S133BQ	-	RFQ	9908	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	119-BGA	71v65602	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	揮発性	9mbit	4.2 ns	sram	256k x 36	平行	-
71V124SA15YGI8	2.6500	RFQ	303	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅）	71V124	sram-非同期	3V〜3.6V	32-SOJ	ダウンロード					3A991B2B	8542.32.0041	1		揮発性	1mbit	15 ns	sram	128k x 8	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²